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  • 本发明是针对现有技术中的光伏组件层压机存在的对光伏组件的施压不均匀的不足,提供一种光伏组件层压装置、光伏组件层压机,这种光伏组件层压装置,包括刚性的层压板,还包括提升装置及刚性的密封板,包括至少一个层压板,密封板下方具有容纳层压板的容腔一,...
  • 本发明公开了一种太阳能电池组件和太阳能电池系统,涉及太阳能技术领域,所述太阳能电池组件包括电池串、焊带和汇流条,所述焊带沿所述第一方向延伸并排布在所述电池片的背面;所述汇流条沿第二方向延伸设置,所述第一方向与所述第二方向交叉;所述电池串包括...
  • 本申请实施例提供了一种光伏组件,包括:多个电池片,电池片设有多条第一栅线,第一栅线沿第一方向延伸,且多条第一栅线沿第二方向间隔设置;互联条,沿第二方向延伸设置并与至少部分第一栅线电连接,相邻电池片通过互联条电连接;以及结合部,包括沿第一方向...
  • 本发明适用于光伏技术领域,提供了一种背接触电池组件及光伏系统,该背接触电池组件包括:电池串、焊带、汇流条;电池串包括沿第一方向排布的若干背接触太阳电池片,相邻的背接触太阳电池片通过焊带串联,背接触太阳电池片包括沿第一方向排布的第一电池片及第...
  • 本发明适用于光伏技术领域,提供了一种背接触电池组件及光伏系统,该背接触电池组件包括:第一电池串、焊带、汇流条;第一电池串包括沿第一方向交替排布的若干背接触太阳电池片,相邻的背接触太阳电池片通过焊带串联,背接触太阳电池片包括沿第一方向排布的第...
  • 本发明涉及硅太阳电池领域,具体公开了一种背接触电池组件及光伏系统。其中,背接触电池组件包括:若干电池串,所述电池串包括若干沿第一方向排布的电池片,相邻电池片通过第一焊带电连接;以及汇流条,其用于将电池串电连接,其沿第二方向延伸;其中,所述电...
  • 本申请适用于光伏技术领域,提供了一种电池组件及光伏系统,包括:电池片,包括若干栅线;焊带,与所述栅线电性连接,本申请将设置于电池片的栅线和焊带之间的焊接层进行优化设计,一方面将焊接层的尺寸进行优化设计,使其与焊带尺寸的比值设置为大于1,且小...
  • 本申请适用于光伏技术领域,提供了一种电池组件及光伏系统,包括:电池片;设置于电池片上的导电接触结构;设置于所述电池片上的焊带,所述焊带连接于所述导电接触结构,设置于所述导电接触结构和所述焊带之间的至少一个焊接层,本申请将设置于导电接触结构和...
  • 本发明公开了一种新型轻量化光伏焊带的生产方法。该焊带包括稀土微合金化铝基芯材、铜包覆层和镀锡层;所述铝基芯材含有Ce、La、Y中的至少一种稀土元素;所述铜包覆层包覆于铝基芯材外周,界面处形成Cu‑Al金属间化合物层;所述焊带截面为异型结构,...
  • 本发明公开了一种背接触光伏组件,所述背接触光伏组件包括电池串,电池串包括沿第一方向排列的多个背接触电池片,背接触电池片的背面具有电极图案,相邻两个背接触电池片的边缘交叠形成交叠区域,且相邻两个背接触电池片被焊带串联,电极图案与交叠区域之间具...
  • 本申请涉及一种光伏组件、光伏组件的制造方法和光伏组件的制造设备。光伏组件包括电池串、焊带和胶点。电池串包括多个太阳能电池,至少一太阳能电池包括基底、多个栅线和导电结构,基底具有沿第一方向相背设置的第一表面和第二表面,第一表面和第二表面中的至...
  • 本申请涉及一种光伏组件。光伏组件包括电池串及第一汇流条。电池串包括电池片,电池片具有背面;第一汇流条位于电池片的背面,且包括导电主体及绝缘层。其中,导电主体具有沿第一方向朝向背面设置的第一外表面,绝缘层至少设于第一外表面上。导电主体与电池串...
  • 本发明公开了一种合串装置及电池串制备方法,涉及电池串生产技术领域,该方法包括多个合片组件,合片组件包括用于承载电池片的插片台,和设于插片台一侧的用于承接胶膜组的承膜台,合片组件还配置于承载焊带,焊带包括与电池片表面叠置的第一长段和延伸至插片...
  • 本发明公开了一种基于六方氮化硼薄膜的线阵真空紫外探测器及其制备方法,探测器包括从下到上依次设置的衬底、hBN薄膜和线阵电极。在衬底上沉积hBN薄膜,hBN薄膜的厚度为50~300 nm,在hBN薄膜上制备具有叉指结构的线阵电极,线阵电极厚度...
  • 本发明涉及一种极紫外位置敏感探测器、制备方法、极紫外光斑定位方法。极紫外位置敏感探测器包括从下至上的N型SiC衬底、SiC本征吸收层和P型宽禁带异质纳米柱阵列,能够形成表面PN异质结以提供强大的垂直载流子收集电场和横向的电学隔离。通过强大的...
  • 本发明涉及pBn探测器技术领域,具体涉及一种InAs/InAsSb超晶格中波红外pBn探测器结构及其制备方法,InAs/InAsSb超晶格中波红外pBn探测器结构包括GaSb衬底、GaSb缓冲层、p+‑GaSb接触层、InAs/InAsSb...
  • 本发明公开了高性能β‑Ga2O3/ZrO2异质结自供电紫外光电探测器件及其制备方法。自下而上依次包括蓝宝石衬底、β‑Ga2O3薄膜层、ZrO2薄膜层以及金属电极。所述β‑Ga2O3薄膜层与ZrO2薄膜层构成异质结,在界面处形成强内建电场和极...
  • 本发明公开了一种降低暗电流的低噪声单光子雪崩探测器及其制备方法,该探测器包括从下至上依次设置的衬底、n+ InP buffer层、i : InGaAs吸收层、n+ InGaAsP渐变层、i : InP倍增层以及掩膜层;i : InP倍增层中...
  • 本发明公开了一种基于外延结构设计的SPAD探测器及其制备方法,该探测器包括InP衬底以及在InP衬底上从下至上生长的n型InP的buffer缓冲层、交替生长In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As超晶格过渡层、i‑In0....
  • 本申请涉及一种雪崩光电探测器和光电探测方法。雪崩光电探测器包括本征区,本征区包括沿第一方向设置的第一本征区和第二本征区,第一本征区在第二方向上的第一长度小于第二本征区在第二方向上的第二长度,第一方向和第二方向垂直;N型掺杂区,沿第二方向设置...
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