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最新专利技术
  • 雪崩光电探测器和光电探测方法
    雪崩光电探测器和光电探测方法_清华大学_202511728755.8
    本申请涉及一种雪崩光电探测器和光电探测方法。雪崩光电探测器包括本征区，本征区包括沿第一方向设置的第一本征区和第二本征区，第一本征区在第二方向上的第一长度小于第二本征区在第二方向上的第二长度，第一方向和第二方向垂直；N型掺杂区，沿第二方向设置...
    2026-03-25
  • 一种凹面结单光子雪崩二极管
    一种凹面结单光子雪崩二极管_季华实验室_202511912002.2
    本发明涉及光电探测器件技术领域，尤其涉及一种凹面结单光子雪崩二极管。其包括P型外延层、刻蚀槽、以及依次形成的N型重掺杂层、P型埋层、P型轻掺杂埋层和P型表面掺杂层。其核心在于，通过掺杂浓度显著低于P型埋层的P型轻掺杂埋层与掺杂浓度高于该轻掺...
    2026-03-25
  • 一种提高红光探测概率的单光子雪崩二极管
    一种提高红光探测概率的单光子雪崩二极管_天津大学_202511985796.5
    本发明公开了一种提高红光探测概率的单光子雪崩二极管所述二极管包括：由N型轻掺杂的HVNW层和P型重掺杂的DPW层构成单光子雪崩二极管的中心PN结；所述中心PN结为倒置N/P+结，中心PN结由P型轻掺杂的HVPW包围；HVNW层的接触区为重掺...
    2026-03-25
  • 一种高增益硅基窄带短波红外光电探测器及其制备方法与应用
    一种高增益硅基窄带短波红外光电探测器及其制备方法与应用_苏州大学_202511537683.9
    本发明涉及一种高增益硅基窄带短波红外光电探测器及其制备方法与应用，包括依次层叠设置的衬底层、键合胶层、第一金属膜层、硅膜层、第二金属膜层；所述第二金属膜层设有周期性排布的纳米孔阵列，且纳米孔为贯穿第二金属膜层的通孔。本发明通过在第二金属膜层...
    2026-03-25
  • 硅基柔性半透明短波红外光电探测器及其制备方法与应用
    硅基柔性半透明短波红外光电探测器及其制备方法与应用_苏州大学_202511537684.3
    本发明涉及硅基柔性半透明短波红外光电探测器及其制备方法与应用，属于光电探测技术领域。本发明的光电探测器包括依次叠层设置的底部电极层、硅孔层以及顶部金属膜层；其中，底部电极层与硅孔层形成欧姆接触，顶部金属膜层与硅孔层形成肖特基接触；通过控制硅...
    2026-03-25
  • 一种基于金属-硅微纳结构的高增益短波红外光电探测器及其制备方法
    一种基于金属-硅微纳结构的高增益短波红外光电探测器及其制备方法_苏州大学_202511541215.9
    本发明涉及一种基于金属‑硅微纳结构的高增益短波红外光电探测器及其制备方法，属于光电探测技术领域。本发明的包括探测器依次设置的第一金属膜层、硅膜层和第二金属膜层；第一金属膜层与硅膜层形成的结、第二金属膜层与硅膜层形成的结独立地为肖特基结或欧姆...
    2026-03-25
  • 基于α-In2Se3/WSe2异质结构的双极化可重构光电逻辑器件及其制备方法
    基于α-In2Se3/WSe2异质结构的双极化可重构光电逻辑器件及其制备方法_河南师范大学_202511826494.3
    本发明公开了基于α‑In2Se3/WSe2异质结构的双极化可重构光电逻辑器件及其制备方法，属于半导体器件技术领域，双极化可重构光电逻辑器件，包括：衬底；栅介质层，设置在衬底之上；二维WSe2光敏层；二维α‑In2Se3铁电层，所述二维WSe...
    2026-03-25
  • 双面三维探测器及其制备方法和应用
    双面三维探测器及其制备方法和应用_中国科学院微电子研究所_202511482339.4
    本申请提出一种双面三维探测器及其制备方法和应用，双面三维探测器包括：基底层、第一电极、第二电极和欧姆连接层；第一电极设置在基底层中，且沿第一方向延伸，第一电极的深宽比为80~110：1；沿第一方向，第一电极的上表面和第二电极的下表面分别位于...
    2026-03-25
  • 一种手机摄像头模组的注塑封装方法
    一种手机摄像头模组的注塑封装方法_嘉兴乐威电子科技有限公司_202511776106.5
    本发明涉及封装技术领域。本发明公开了一种手机摄像头模组的注塑封装方法，其包括：S1：备好含线路板、图像传感器及镜头的摄像头模组组件，定位于承载面，通过承载面连通的负压气孔施负压，吸附固定组件；S2：闭合注塑模具，向型腔注电磁屏蔽复合塑料包覆...
    2026-03-25
  • 一种摄像头模组封装工艺
    一种摄像头模组封装工艺_盛泰光电科技股份有限公司_202511889567.3
    本发明涉及摄像头模组封装技术领域，公开了一种摄像头模组封装工艺，包括以下步骤：组装模组，将芯片安装在电路板上，再将使用金线将芯片与电路板电连接；组装模具，将模组放入第二型腔内，再将上模与下模相扣合；模具固定，使用螺栓固定上模和下模，使密封胶...
    2026-03-25
  • 一种CIS器件及其生产方法
    一种CIS器件及其生产方法_上海微阱电子科技有限公司_202511958725.6
    本发明涉及半导体生产领域，特别是涉及一种CIS器件及其生产方法，通过在晶圆衬底上同层设置N型阱区与P型阱区；在所述N型阱区与所述P型阱区的表面设置二氧化硅栅氧层；在所述二氧化硅栅氧层的表面设置多晶硅栅极层；向设置过所述多晶硅栅极层的晶圆衬底...
    2026-03-25
  • 一种水下探测增强型硅基雪崩二极管阵列及其制备方法
    一种水下探测增强型硅基雪崩二极管阵列及其制备方法_西南技术物理研究所_202511685050.2
    本发明属于光电探测器技术领域，公开了一种水下探测增强型硅基雪崩二极管阵列，采用多层垂直堆叠结构，自下而上依次设置有：背面公共电极、背面钝化层、背面单元电极、N+型衬底、N‑型外延层、N型电荷区、P+型接触层、隔离环、APD阵列抗反射层、正面...
    2026-03-25
  • 一种基于氧化锌纳米线网络结构的柔性紫外光探测器及其制备方法和应用
    一种基于氧化锌纳米线网络结构的柔性紫外光探测器及其制备方法和应用_达州产业技术研究院_202511943151.5
    本发明公开了一种基于氧化锌纳米线网络结构的柔性紫外光探测器及其制备方法和应用，属于柔性光电子器件技术领域。基于氧化锌纳米线网络结构的柔性紫外光探测器包括柔性衬底、氧化锌纳米线网络薄膜层、金属电极对；氧化锌纳米线网络薄膜层为单晶氧化锌纳米线，...
    2026-03-25
  • 芯片及其结构、晶圆及其结构和阵列芯片、阵列晶圆
    芯片及其结构、晶圆及其结构和阵列芯片、阵列晶圆_中芯北方集成电路制造(北京)有限公司_202411188041.8
    一种芯片及其结构、晶圆及其结构和阵列芯片、阵列晶圆，芯片包括：衬底、顶层金属、键合垫和键合插塞；PID测试结构，PID测试结构包括：与顶层金属经同一工艺过程形成的测试顶层金属；包括：测试金属和测试插塞的测试天线，其中测试金属与键合垫经同一工...
    2026-03-25
  • 图像传感器
    图像传感器_长鑫科技集团股份有限公司_202411289238.0
    本申请涉及图像传感器领域，提供一种图像传感器，包括第一芯片和第二芯片；第一芯片上形成有多个像素区域群，每一像素区域群包括多个像素区域，每一像素区域包括光电二极管、转移栅极和浮置扩散区域；第二芯片上形成有多个像素电路，第一芯片上的多个像素区域...
    2026-03-25
  • 电路板、图像传感器的封装结构、摄像模组及电子设备
    电路板、图像传感器的封装结构、摄像模组及电子设备_华为技术有限公司_202411296468.X
    本申请提供一种电路板、图像传感器的封装结构、摄像模组及电子设备，该电路板包括：玻璃基板、布线层和滤光层，玻璃基板用于承载布线层和滤光层。电路板具有透光区域，电路板用于在透光区域的位置处安装图像传感器。在垂直于玻璃基板的方向上，滤光层的投影与...
    2026-03-25
  • 用于基于光三角测量的三维成像的具有非对称光漫射层的图像传感器、相机和成像系统
    用于基于光三角测量的三维成像的具有非对称光漫射层的图像传感器、相机和成像系统_西克IVP股份公司_202511316308.1
    本申请涉及用于基于光三角测量的三维成像的具有非对称光漫射层的图像传感器、相机和成像系统。图像传感器(331；431；531')、相机(330；530)和成像系统(305)，图像传感器用于基于光三角测量对物体(320)进行三维成像的成像系统的...
    2026-03-25
  • 感光组件及其制备方法、摄像模组
    感光组件及其制备方法、摄像模组_江西晶浩光学有限公司_202511690618.X
    本申请公开了一种感光组件及其制备方法、摄像模组，包括复合电路板和感光芯片，复合电路板包括PCB和陶瓷覆铜板，PCB的基板为树脂基板，树脂基板具有第一表面，第一表面具有覆铜区和安装区，所述覆铜区位于所述安装区的外周，陶瓷覆铜板包括陶瓷基板和第...
    2026-03-25
  • 背照式图像传感器及其制作方法
    背照式图像传感器及其制作方法_武汉新芯集成电路股份有限公司_202511833057.4
    本申请提供一种背照式图像传感器及其制作方法。该背照式图像传感器包括：第一基板，包括正面和背面；感光区，从第一基板正面形成于第一基板，感光区包括第一感光区、第二感光区和第三感光区；光吸收区，为第一基板背面与感光区之间的第一基板，光吸收区包括具...
    2026-03-25
  • 一种抑制CIS暗电流的方法及CIS
    一种抑制CIS暗电流的方法及CIS_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610204137.1
    本发明属于半导体制造技术领域，公开了一种抑制CIS暗电流的方法及CIS，方法包括：在微透镜进行等离子体刻蚀之后，执行如下步骤：在微透镜的表面形成SiO2层；在SiO2层的表面形成掺氘的α‑SiN层；利用梯度微波热耦合快速热退火技术，进行退火...
    2026-03-25
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