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最新专利技术
  • 一种用于碳化硅外延生长的石墨盘和环
    一种用于碳化硅外延生长的石墨盘和环_浙江六方半导体科技有限公司_202511635052.0
    本发明涉及一种用于碳化硅外延生长的石墨盘和环，用于作为碳化硅外延生长的承载基座，包括石墨盘和石墨环，石墨环与石墨盘一体成型，沿石墨盘的径向，石墨环位于石墨盘的径向外侧，沿石墨盘的轴向，石墨盘的高度小于石墨环的高度，石墨盘和石墨环围设有开口槽...
    2026-04-23
  • 一种基于原位高温退火强化的单晶金刚石拼接缝外延愈合方法
    一种基于原位高温退火强化的单晶金刚石拼接缝外延愈合方法_无锡鑫磊精工科技有限公司_202512005568.3
    本发明涉及一种基于原位高温退火强化的单晶金刚石拼接缝外延愈合方法，属于人造金刚石领域。选取单晶金刚石作为籽晶，对籽晶进行预处理，然后在微波等离子体化学气相沉积MPCVD反应腔内进行多阶段表面复制生长，将表面复制生长后的晶体进行分片获得单晶金...
    2026-04-23
  • 一种抽气组件和半导体薄膜沉积设备
    一种抽气组件和半导体薄膜沉积设备_江苏微导纳米科技股份有限公司_202511935884.4
    本申请实施例提供了一种抽气组件和半导体薄膜沉积设备。抽气组件包括：第一本体，所述第一本体具有环本体，所述环本体设置有沿其周向延伸的第一缝隙；第二本体，所述第二本体由多个滑块沿所述环本体的周向拼接形成；各个滑块以可拆卸方式设置于所述环本体，每...
    2026-04-23
  • 多晶金刚石复合材料及其制备方法和在拉丝模坯制备中的应用
    多晶金刚石复合材料及其制备方法和在拉丝模坯制备中的应用_郑州磨料磨具磨削研究所有限公司_202511957021.7
    本发明提供了一种多晶金刚石复合材料及其制备方法和在拉丝模坯制备中的应用。所述多晶金刚石复合材料包括位于芯部的细粒度多晶金刚石脱钴烧结体和外部的大粒度多晶金刚石烧结体，两者均有特殊配方和特殊工艺协同作用，尤其是细粒度多晶金刚石脱钴烧结体制备用...
    2026-04-23
  • 一种拉晶装置及拉晶方法
    一种拉晶装置及拉晶方法_西安奕斯伟材料科技股份有限公司_202511869249.0
    本公开涉及拉晶装置及拉晶方法。在一方面中，提供了一种拉晶装置，该拉晶装置包括：坩埚，容纳有硅熔体；驱动器，驱动坩埚运动；以及控制器，与驱动器通信连接，控制器被配置为在检测到坩埚内的硅熔体熔化完成后，在开始提拉晶体前，控制驱动器驱动坩埚同时执...
    2026-04-23
  • 一种单晶炉及其使用方法
    一种单晶炉及其使用方法_福建名炬自动化科技有限公司_202511962753.5
    本发明涉及一种单晶炉及其使用方法，单晶炉包括炉体和所述炉体上侧座体上由伺服减速电机驱动的丝杆滑台模组，炉体铰接有炉体门，炉体门上设置有观察窗，炉体的顶部设置有与炉体连通的密封座，炉体的背部设置有与炉体连通的法兰连接座，炉体、炉体门、观察窗、...
    2026-04-23
  • 一种快速生长单晶钙钛矿薄膜的方法
    一种快速生长单晶钙钛矿薄膜的方法_中山大学_202511844214.1
    本发明公开了一种快速生长单晶钙钛矿薄膜的方法，包括如下步骤：错切的蓝宝石衬底退火处理得到具有平行排列台阶的衬底；将AX3、BX和有机溶剂混合并搅拌得到B3A2X9前驱体溶液；其中，A选自Bi、Sb中的一种；B选自Cs、MA中的一种；X选自I...
    2026-04-23
  • 一种晶态KZnP3O9缓蚀剂的制备方法及应用
    一种晶态KZnP3O9缓蚀剂的制备方法及应用_河南工业大学_202512005595.0
    一种晶态KZnP3O9缓蚀剂的制备方法及应用，其晶体结构的基本构筑单元为(PO3)∞链，该链由PO4四面体连接形成；所述(PO3)∞链通过共用氧原子在三维空间延伸，形成长程有序的、基于偏磷酸根(PO3‑)的三维网状结构。本发明设计的缓蚀剂具...
    2026-04-23
  • 基于Bi2WO6单晶薄膜的室温超高选择性耐湿气体传感器
    基于Bi2WO6单晶薄膜的室温超高选择性耐湿气体传感器_合肥工业大学_202512057365.9
    本发明公开了基于Bi2WO6单晶薄膜的室温超高选择性耐湿气体传感器，采用激光分子束外延(LMBE)技术制得不同厚度Bi2WO6薄膜，当厚度不高于130 nm时薄膜保持优异单晶织构；通过分析厚度效应，评估NO2响应势垒变化与形态参数依赖性。基...
    2026-04-23
  • 碳化硅外延片及其制备方法
    碳化硅外延片及其制备方法_中科汇珠(广州)半导体有限公司_202511925675.1
    本申请涉及碳化硅外延片及其制备方法。本申请的碳化硅外延片的制备方法，包括如下步骤：于生长温度下在碳化硅衬底上外延生长碳化硅外延层，得到待冷却晶圆；控制降温速率为第一降温速率，将待冷却晶圆由生长温度降温至第一温度；控制降温速率为第二降温速率，...
    2026-04-23
  • 一种快速制备大直径晶体的碳化硅生长方法
    一种快速制备大直径晶体的碳化硅生长方法_安徽微芯长江半导体材料有限公司_202610024940.7
    本申请涉及一种快速制备大直径晶体的碳化硅生长方法技术领域，具体公开了一种快速制备大直径晶体的碳化硅生长方法，旨在解决传统物理气相传输法扩径效率低、周期长、成本高且易产生多晶包裹与堆垛层错等缺陷的问题。该方法采用圆柱形碳化硅籽晶，将其C面完全...
    2026-04-23
  • 一种碳化硅外延设备及外延片制造方法
    一种碳化硅外延设备及外延片制造方法_南京盛鑫半导体材料有限公司_202610074846.2
    本发明公开了一种碳化硅外延设备及外延片制造方法，所述设备的气浮托盘上表面中部开有凹槽，进气系统包括五条平行设置的进气通道，进气通道进气方向平行于气浮托盘上表面；五条进气通道包括位于中部的中心气路、位于中心气路两侧的两条次边缘气路、位于次边缘...
    2026-04-23
  • 氮化铝单晶衬底-镓基有序薄膜复合材料及其制备方法
    氮化铝单晶衬底-镓基有序薄膜复合材料及其制备方法_浙江大学_202511809136.1
    本发明公开了一种氮化铝单晶‑镓基有序薄膜复合材料及其制备方法。它是在氮化铝单晶衬底上，以金属镓薄膜作为前驱体，通过可控氧化、氮化过程中，在衬底表面形成外延型氧化镓或氮化镓有序薄膜，从而获得氮化铝单晶‑镓基有序薄膜复合材料。本发明的复合材料兼...
    2026-04-23
  • 一种提高p型碲化铋晶棒热电性能的方法
    一种提高p型碲化铋晶棒热电性能的方法_江西铜业技术研究院有限公司_202511807682.1
    本发明公开了一种提高p型碲化铋晶棒热电性能的方法，涉及热电材料技术领域。本发明所提供的方法，先在180‑230℃对碲化铋原料压制成的坯体进行放电等离子烧结，随后再将温度提高50‑320℃，对烧结块体进行保温热处理，SPS烧结的步骤可以保留大...
    2026-04-23
  • 一种异质籽晶诱导生长金属单晶的方法及金属单晶
    一种异质籽晶诱导生长金属单晶的方法及金属单晶_天津理工大学_202512036680.3
    本发明公开了一种异质籽晶诱导生长金属单晶的方法及金属单晶。在坩埚中加入金属单质或合金作为原料，在原料表面覆盖一异质单晶片作为籽晶，所述籽晶的密度低于原料熔融后形成的熔液的密度；将坩埚置于真空炉内，净化真空炉内部氛围，加热使原料充分熔融形成熔...
    2026-04-23
  • 一种高稳定的二维Dion-Jacobson型非铅极性杂化钙钛矿晶体及其制备方法和用途
    一种高稳定的二维Dion-Jacobson型非铅极性杂化钙钛矿晶体及其制备方法和用途_江西师范大学_202610027483.7
    本发明属于功能晶体材料技术领域，更具体的说是涉及一种高稳定的二维Dion‑Jacobson型非铅极性杂化钙钛矿晶体及其制备方法和用途。一种高稳定的二维Dion‑Jacobson型非铅极性杂化钙钛矿晶体，所述高稳定的二维Dion‑Jacobs...
    2026-04-23
  • 一种类单晶高锰氢氧化物前驱体及其制备方法和富锂锰基正极材料
    一种类单晶高锰氢氧化物前驱体及其制备方法和富锂锰基正极材料_有研新能源材料(江西)有限公司_202512022170.0
    本发明公开了一种类单晶高锰氢氧化物前驱体及其制备方法和富锂锰基正极材料，涉及锂离子电池材料技术领域。所述类单晶高锰氢氧化物前驱体包含一次晶粒形成的类单晶颗粒或单晶颗粒；所述一次晶粒满足：<001>方向厚度d在50‑800nm，<010>方向...
    2026-04-23
  • 用于改善单晶氧含量均匀性的磁场动态适配系统及方法
    用于改善单晶氧含量均匀性的磁场动态适配系统及方法_宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司_202511993427.0
    本发明属于半导体晶体生长技术领域，具体涉及一种用于改善单晶氧含量均匀性的磁场动态适配系统及方法，通过液面位置传感单元实时感知熔体液面高度H，通过温区监测单元获取热场状态数据W，基于熔体液面高度H和热场状态数据W，计算目标位置P_z和目标值B...
    2026-04-23
  • 一种用于p型β-Ga2O3薄膜的退火工艺
    一种用于p型β-Ga2O3薄膜的退火工艺_北京镓创华芯科技有限公司_202511786025.3
    本申请涉及半导体材料制备技术领域，尤其是涉及一种p型β‑Ga2O3单晶薄膜的退火工艺，该退火工艺通过多阶段气氛调控、温度梯度优化技术，精准调控氧化镓薄膜的晶格缺陷，抑制氧空位的形成，在退火气氛的作用下引导非金属元素取代氧化镓晶格中的氧元素，...
    2026-04-23
  • 一种基于BTO单晶宏观带电畴壁的制备方法
    一种基于BTO单晶宏观带电畴壁的制备方法_南京理工大学_202512020598.1
    本发明公开了一种基于BTO单晶宏观带电畴壁的制备方法，属于铁电材料制备技术领域。本发明制备方法包括如下步骤：S1、对片状BTO单晶进行抛光处理，直至其表面平整度Ra达到纳米级别；S2、在经过步骤S1处理的BTO单晶的相对两侧面进行镀金，形成...
    2026-04-23
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