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最新专利技术
  • 一种用于智能电网的户外高压交流跌落式熔断器
    一种用于智能电网的户外高压交流跌落式熔断器_江苏宾房电力科技有限公司_202610255083.1
    本发明公开了一种用于智能电网的户外高压交流跌落式熔断器，包括安装支架、绝缘子与熔丝管，绝缘子上端设有上静触头组件，另一端设有下静触头组件，熔丝管的一端设有触头帽，且触头帽与上静触头组件接触，熔丝管底部设置有动触头支架，动触头支架铰接于下静触...
    2026-04-25
  • 一种P型硅针结构、电子场发射阵列阴极及其制备方法
    一种P型硅针结构、电子场发射阵列阴极及其制备方法_四川大学_202512056934.8
    本发明属于集成电路制造技术领域，公开了一种P型硅针结构、电子场发射阵列阴极及其制备方法；先在包覆有保护层的硅基体上刻蚀多个呈阵列排布的窗口；再采用各向异性刻蚀液对窗口进行刻蚀，在各窗口形成倒锥台结构；最后采用电化学刻蚀液继续对窗口进行电化学...
    2026-04-25
  • 一种精确齐平的可编程场发射阵列器件制备方法及结构
    一种精确齐平的可编程场发射阵列器件制备方法及结构_上海交通大学_202512059260.7
    本发明公开了一种精确齐平的可编程场发射阵列器件制备方法及结构，涉及真空微电子技术领域，该制备方法包括以下步骤：在支撑衬底表面生长单根直立的碳纳米管或者单簇直立的碳纳米管阵列，利用原子层沉积或真空物理镀膜的方式，将场发射结构阵列之间空隙用非导...
    2026-04-25
  • 一种应用于相对论返波管的降压收集极
    一种应用于相对论返波管的降压收集极_中国科学院电工研究所_202512053494.0
    本发明提供一种应用于相对论返波管的降压收集极，包括：降压收集极与相对论返波管中心轴相同，收集极电极输入端的内径与返波管管体内径相同，收集极电极输出端的内径与返波管输出部分的内径相同，在收集极电极入口处进行半径渐变，收集极电极与返波管管体和返...
    2026-04-25
  • 一种微波功率模块的小型化高压组件
    一种微波功率模块的小型化高压组件_中国船舶集团有限公司第七二三研究所_202511927741.9
    本发明公开了一种微波功率模块的小型化高压组件，包括：LC谐振槽路、高压变压器、高压整流滤波电路、脉冲隔离变压器、灯丝变压器。所述微波功率模块内的LC谐振槽路、高压变压器、高压整流滤波电路、脉冲隔离变压器、灯丝变压器等高压分立部件集成为小型化...
    2026-04-25
  • 一种单源0兆球管阴极头组件
    一种单源0兆球管阴极头组件_凯思轩达医疗科技无锡有限公司_202512004387.9
    本发明涉及球管阴极头领域，具体的说是指一种单源0兆球管阴极头组件，包括陶瓷柱芯及活动套接在陶瓷柱芯内侧壁面的挡丝，所述陶瓷柱芯的内侧壁面设置有可伐套管，所述可伐套管的内部开设有两组挡丝套孔，所述挡丝套孔的内侧壁面且位于中间位置设置有气凝胶隔...
    2026-04-25
  • 一种高效散热的X射线源装置
    一种高效散热的X射线源装置_鑫特朗科技(无锡)有限公司_202512041837.1
    本发明涉及X射线成像及检测技术领域，具体为一种高效散热的X射线源装置，包括：循环冷却件；阳极端冷却件，阳极端冷却件包括第一支撑件、内部座和外部冷却件，第一支撑件在金属密封箱体内用于安装X射线球管的阳极，并且第一支撑件与循环冷却件贯通连接，内...
    2026-04-25
  • 显微术中的束对准与同步
    显微术中的束对准与同步_FEI公司_202511205661.2
    一种用于超快传输带电粒子显微术中的灵活射束消隐的方法，该方法可以包括：在第一时间间隔期间将第一带电粒子束和第一脉冲光子束引向目标物；至少部分地基于第一带电粒子束与目标物的第一相互作用生成目标物的第一图像；在第二时间间隔期间将第二带电粒子束引...
    2026-04-25
  • 显微术中的束对准与同步
    显微术中的束对准与同步_FEI公司_202511206675.6
    一种用于在显微术中对准脉冲激光束的方法，该方法可包括将第一脉冲光子束引向目标物，将带电粒子束引向目标物，确定由带电粒子束与目标物相互作用产生的衍射图谱，将第二脉冲光子束引向目标物，以及至少部分地基于第二脉冲光子束确定衍射图谱的偏离。在一些实...
    2026-04-25
  • 一种长寿命污染离子源装置
    一种长寿命污染离子源装置_浙江露语尔半导体设备有限公司_202410112930.X
    本发明涉及半导体离子植入加工装置技术领域，且公开了一种长寿命污染离子源装置，包括腔室，腔室内一端设有圆孔，阴极穿过圆孔延伸至腔室内，阴极呈圆柱状，内部设有灯丝，外侧设有固定环，固定环固定在腔室内壁的一端，腔室侧面设有进气口，腔室和阴极分别与...
    2026-04-25
  • 一种磁透镜和电子显微镜
    一种磁透镜和电子显微镜_日联科技集团股份有限公司_202512032335.2
    本发明公开了一种磁透镜和电子显微镜。磁透镜包括第一极靴组件、第二极靴组件和线圈组件；第一极靴组件内形成容纳空间；线圈组件和第二极靴组件均设置于容纳空间内；线圈组件围绕第二极靴组件；其中，第二极靴组件的状态包括第一状态、第二状态和第三状态；在...
    2026-04-25
  • 箔片透镜校正器、包含箔片透镜校正器的带电粒子显微镜系统及相关方法
    箔片透镜校正器、包含箔片透镜校正器的带电粒子显微镜系统及相关方法_FEI公司_202511295379.8
    箔片透镜校正器、包含箔片透镜校正器的带电粒子显微镜系统及相关方法。在一个示例中，箔片透镜校正器被配置为在带电粒子束中产生抵消性球面像差，并且包含石墨烯箔片。在一个示例中，CPM 系统包含带电粒子源和包含石墨烯箔片的箔片透镜校正器。在一个示例...
    2026-04-25
  • 晶圆载台及刻蚀设备
    晶圆载台及刻蚀设备_上海稷以科技有限公司_202512058844.2
    本发明提供了一种晶圆载台及刻蚀设备。所述晶圆载台包括电控电极阵列材料盘，从上至下依次包括：第一陶瓷层、阵列电极材料层、第二陶瓷层；其中，所述阵列电极材料层包括一金属薄板，所述金属薄板上分布有多个电控电极阵列单元；每个所述电控电极阵列单元的谐...
    2026-04-25
  • 一种内部共轴光路的透射电镜原位样品杆及测试方法
    一种内部共轴光路的透射电镜原位样品杆及测试方法_云南大学_202511670479.4
    本发明公开了一种内部共轴光路的透射电镜原位样品杆，属于透射电子显微镜领域。其包括依次连接的样品杆头、样品杆身和手握柄。样品杆头设有样品载台和聚光透镜，将激发光会聚至样品；样品杆身内设有密封光纤导向通道及容纳于其中的光纤，激发光和样品被激发产...
    2026-04-25
  • 用于原子层刻蚀的简化气体输送系统
    用于原子层刻蚀的简化气体输送系统_上海原子启智半导体设备有限公司_202511391189.6
    本发明涉及一种用于原子层刻蚀的简化气体输送系统。该系统通过省去气箱和压力计的需求，降低了整体成本。预设的质量流量控制器(MFC)和三通阀可在ALE工艺的表面改性步骤与溅射步骤中精确控制气体流量。借助ALE工艺的自限性，该系统无需维持腔室稳态...
    2026-04-25
  • 一种刻蚀腔体的清洁方法、系统及可读存储介质
    一种刻蚀腔体的清洁方法、系统及可读存储介质_重庆芯联微电子有限公司_202511919989.0
    本发明公开了一种刻蚀腔体的清洁方法、系统及可读存储介质，属于半导体技术领域，该刻蚀腔体的清洁方法，包括提供刻蚀腔体，所述刻蚀腔体内设置有若干零部件，所述刻蚀腔体的内部及所述零部件上均含有氧化硅，刻蚀腔体内存在大量氧化硅材质；在所述刻蚀腔体内...
    2026-04-25
  • 用于真空环境下的图形刻蚀装置以及图形刻蚀方法
    用于真空环境下的图形刻蚀装置以及图形刻蚀方法_中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所_202511981408.6
    本发明公开了一种用于真空环境下的图形刻蚀装置以及图形刻蚀方法，所述图形刻蚀装置包括外壳、承载座、掩模版机构以及离子束源；外壳内具有工作腔，所述外壳上还设有连通口，所述工作腔通过连通口与外界相连通；承载座安装于所述外壳的工作腔内；掩模版机构包...
    2026-04-25
  • 刻蚀反应腔的刻蚀方法及刻蚀设备
    刻蚀反应腔的刻蚀方法及刻蚀设备_无锡芯卓湖光半导体有限公司_202512032685.9
    本申请公开了一种刻蚀反应腔的刻蚀方法及刻蚀设备，属于刻蚀技术领域。刻蚀反应腔的刻蚀方法包括：在刻蚀反应腔内执行第一刻蚀制程，以对第一结构进行刻蚀；在第一刻蚀制程结束之后，对刻蚀反应腔进行清洁，以去除残留的沉积聚合物；在清洁后的刻蚀反应腔内进...
    2026-04-25
  • 一种射频电源动态频率调谐方法及系统
    一种射频电源动态频率调谐方法及系统_佛仪科技(佛山)有限公司_202512055118.5
    本发明提供了一种射频电源动态频率调谐方法及系统，涉及射频电源控制技术领域。该方法包括步骤：采集射频输出端的瞬时电压信号和瞬时电流信号；根据瞬时电压信号和瞬时电流信号，获得平均反射功率值；根据平均反射功率值与预设阈值的比较结果，生成频率调节指...
    2026-04-25
  • 一种基于射频等离子体的5nm级半导体芯片原子层刻蚀系统
    一种基于射频等离子体的5nm级半导体芯片原子层刻蚀系统_四川东泽科技有限公司_202610014575.1
    本发明提供基于射频等离子体的5nm级半导体芯片原子层刻蚀系统，系统包括反应腔室、射频电源子系统、气体注入子系统和控制单元，射频电源子系2包含60MHz高频源和2MHz低频源，控制单元通过时序控制信号实现两者的交替输出，高频脉冲用于激发反应气...
    2026-04-25
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