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  • 本申请涉及储能技术领域,特别是涉及储能变流器及储能系统。在本申请实施例中,通过将散热器配置为包括主体部和多个插入部,并将插入部插入至热管理部件的流体通道内,不仅可以进一步利用流体通道内的冷却液对插入部进行冷却,还可以利用插入部对流体通道内的...
  • 本申请涉及一种电池单体及其充电方法、电池装置和用电装置,电池单体包括电解液和电极组件,电极组件包括正极极片、负极极片以及隔离膜,正极极片包括正极集流体和含有正极活性材料的正极膜层,正极活性材料包括橄榄石结构的含锂磷酸盐,负极极片包括负极集流...
  • 本发明属于电池检测技术领域,具体提供了一种矿用锂电池的充放电检测方法,包括步骤:实时采集矿井环境参数和锂电池状态参数;获取历史施工日志,根据矿井环境参数,通过时间序列分析基于历史施工日志计算矿井环境参数的对应施工阶段;将矿井环境参数、对应施...
  • 本申请提供一种电池单体、电池装置以及用电装置。电池单体包括正极极片和电解液;正极极片包括正极集流体和位于正极集流体至少一个表面之上的正极活性层,正极活性层包括正极活性材料,正极活性材料包括含锂磷酸盐,正极活性层的单侧面密度为230 mg/1...
  • 本发明公开了一种纳米硬质合金复合固态电解质膜及其制备方法和应用,属于固态锂电池技术领域。纳米硬质合金复合固态电解质膜包括以下原料:纳米硬质合金改性的无机固态电解质、纺丝聚合物、有机分散剂和锂盐;其中,纳米硬质合金改性的无机固态电解质包括以下...
  • 本发明公开了一种高失效阈值的界面修饰材料、固态电解质和全固态电池,涉及电化学技术领域。所述界面修饰材料,包括锂盐、聚合物颗粒、纳米氧化铟颗粒、纳米NASICON型固态电解质粉末,所述固态电解质由前述的界面修饰材料对NASICON型固态电解质...
  • 本申请涉及一种电池单体、电池装置和用电装置,电池单体包括电解液、正极极片和负极极片,正极极片包括正极集流部和位于正极集流部至少一个表面且含正极活性材料的正极膜层,正极活性材料包括橄榄石结构的含锂磷酸盐,正极膜层的单面涂布重量为200mg/1...
  • 本发明提供了一种锂离子电池,包括电池壳体、电解液和卷芯,卷芯包括依次层叠设置的正极片、隔膜和负极片;正极片包括正极集流体及形成在正极集流体两侧的正极活性物质层;负极片包括负极集流体及形成在负极集流体两侧的负极活性物质层;正极片、负极片满足关...
  • 本发明公开了一种氢燃料电池保护控制策略仿真方法及系统,涉及氢燃料电池控制技术领域,包括,根据故障预测结果构造强化学习训练环境,设定状态空间、动作空间和奖励函数,采用深度Q网络,对氢燃料电池保护控制策略进行训练,得到初步保护控制策略;通过物理...
  • 本发明属于电极材料技术领域,具体涉及钒基电极材料及其制备方法和锂离子电池正极极片。本发明提供了一种新型的钒基电极材料LixNayVO3‑zMw,其中,M...
  • 本发明提供了一种钠离子电池高镍正极材料及其制备方法与应用,所述钠离子电池高镍正极材料包括内核和外壳,内核包括NauAvLiwNi1‑x‑yFe...
  • 本发明属于集流体技术领域。本发明提供一种功能集流体的加工方法及应用其制得的功能集流体、二次电池。上述功能集流体包括聚合物基材和金属层;上述加工方法包括压电材料层成型制程和金属层成型制程;压电材料层成型制程包括以下操作,在聚合物基材的表面制作...
  • 本发明公开了一种DFN1610防变形框架,DFN1610框架上设有基岛、x向连筋、y向连筋、延伸x向连筋和延伸y向连筋,一对x向连筋关于基岛横向对称布置,一对y向连筋关于基岛纵向对称布置,相邻两根x向连筋和y向连筋间形成镂空结构;一对延伸x...
  • 本申请提供一种定位方法、系统及存储介质,包括:获取样品绕旋转轴旋转运动过程中的多组测量数据,其中,每组测量数据包括定位区域与基准点沿预设方向的测量距离、以及样品相对于旋转轴的旋转角度;从多组测量数据中确定至少部分测量数据,作为拟合数据;根据...
  • 本申请提供了一种上下料装置及晶圆检测系统,包括机架机构、物料模组及升降机构,机架机构的顶部设有开口,物料模组对应开口设置,物料模组包括承载台机构和物料盒,物料盒设于承载台机构上,物料盒用于放置待测样品,升降机构对应开口设置,升降机构包括升降...
  • 本发明提供一种无基板芯片封装装置及方法,涉及芯片封装领域。其包括架体,所述架体上设有用于取料的取料组件、旋转组件、注胶组件、烘干组件、驱动组件,所述旋转组件设于架体上部,所述旋转组件包括转动安装于架体上的旋转盘,所述旋转盘上圆周均匀设有产品...
  • 本发明涉及一种基于拉曼结合电阻率检测的SiC晶锭小面检测方法,其包括以下步骤,S1提供一个碳化硅工件,基于预设的电阻率检测扫描路径,获取工件表面层上不同检测区域的电阻率ρk,进而初步筛选出电阻率异常区域;S2基于预设的...
  • 本发明属于芯片技术领域,公开了一种固液混合SMD芯片及其加工方法,包括依次通过微流控技术将液态功能单元封装于高分子复合膜内,形成具有半固态保护层的复合基底结构;基于复合基底结构的物理特性与历史工艺数据集,通过参数预测模型生成动态贴装参数集,...
  • 本发明公开了一种IGBT芯片散热封装模块及封装方法,包括对IGBT芯片的背面进行清洁和预处理,在背面上刻蚀出微通道网络,利用化学气相沉积法,在内壁沉积石墨烯薄膜,形成热传导通道;制作微流体分配器,通过对位和键合技术,将微流体分配器与芯片背面...
  • 本申请涉及一种多极离子传输装置,包括:多个金属杆,多个金属杆平行设置,金属杆的两端形成为离子入口和离子出口;固定环,固定环的中心孔套设于多个金属杆的两端,其中,中心孔具有限位金属杆的外轮廓的弧形内缘,固定环由绝缘介质材料形成;遮挡电极,遮挡...
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