Document
拖动滑块完成拼图
首页 专利交易 IP管家助手 科技果 科技人才 科技服务 国际服务 商标交易 会员权益 需求市场 关于龙图腾
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索
  • 我要求购
  • 我要出售
官方微信客服

官方微信客服
官方微信客服

官方微信客服
最新专利技术
  • 燃料电池系统
    燃料电池系统_株式会社爱信_202480014931.9
    本发明涉及燃料电池系统。燃料电池系统在启动系统时， 供给氧化剂气体， 并且执行燃料预先投入工序， 在燃料预先投入工序中， 通过燃烧部的燃料浓度相对于氧化剂气体的供给流量成为爆炸下限以下的燃料气体的供给流量供给燃料气体， 直到从燃料供给系统直...
    2025-10-16
  • 用于运行空气系统的方法和控制器
    用于运行空气系统的方法和控制器_罗伯特·博世有限公司_202480012964.X
    本发明涉及一种用于运行空气系统(1)的方法， 所述空气系统用于向至少一个燃料电池供给氧气， 其中， 所述空气系统(1)具有空气路径(2)， 所述空气路径具有集成的空气过滤器(3)和集成的空气压缩机(4)， 并且其中， 在将环境空气作为氧气提...
    2025-10-16
  • 用于为使用氢燃料电池单元的混合动力电动车辆的电动马达供电的系统
    用于为使用氢燃料电池单元的混合动力电动车辆的电动马达供电的系统_安培股份公司_202480017892.8
    本发明涉及一种用于为混合动力电动车辆的电动马达(82)供应电力的系统(100)， 该电力供应系统(100)包括氢燃料电池单元(26)、能够向氢燃料电池单元(26)供应的氢罐(160)、以及在氢燃料电池单元(26)的输出端处的升压器(740)...
    2025-10-16
  • 具有催化燃烧器的能量产生系统
    具有催化燃烧器的能量产生系统_纳波普股份有限公司_202380088149.7
    一种能量产生系统(1)包括：用于产生热能的催化燃烧器(40)；隔热容器(32)， 其中所述隔热容器(32)包围所述催化燃烧器(40)；和燃料电池， 其中来自所述燃料电池的废热可以提供给所述催化燃烧器(40)和/或所述隔热容器(32)；其中所...
    2025-10-16
  • 分隔件的制造方法
    分隔件的制造方法_NOK株式会社_202480014993.X
    根据本公开的一个方面的分隔件的制造方法是一种包括用于产生电能的气体的流路和顶部设置有衬垫的凸圈的分隔件的制造方法， 该方法包括：通过实施压模成型在平板状基材中形成与流路对应的第一凸部的工序， 在形成有第一凸部的基材的表面上形成表层的工序， ...
    2025-10-16
  • 碱性干电池
    碱性干电池_松下知识产权经营株式会社_202480014837.3
    公开的碱性干电池(10)包括：有底圆筒形的电池壳体(1)；负极端子板(7)和垫片(5)；以及收纳于电池壳体(1)的正极(2)、负极(3)、分隔件(4)、电解液和树脂片(11)。正极(2)具有圆筒状的形状， 具有负极端子板侧的第一端面(2a)...
    2025-10-16
  • 锂二次电池
    锂二次电池_株式会社LG新能源_202480014281.8
    本发明提供一种锂二次电池， 其包括正极、负极、置于正极和负极之间的隔膜、以及非水电解质， 其中正极包括正极活性材料和第一添加剂， 非水电解质包括锂盐、有机溶剂和第二添加剂， 第一添加剂包括选自由式1‑1和式1‑2表示的化合物组成的组中的至少...
    2025-10-16
  • 柱形二次电池和电子装置
    柱形二次电池和电子装置_厦门新能安科技有限公司_202480012303.7
    本申请提供了一种柱形二次电池和电子装置， 包括电极组件， 所述电极组件包括负极极片， 所述负极极片包括负极集流体和位于所述负极集流体至少一个表面上的负极材料层， 基于所述电极组件的体积， 所述负极集流体的体积占比为D％， 所述负极材料层的体...
    2025-10-16
  • 蓄电元件用正极、蓄电元件和蓄电装置
    蓄电元件用正极、蓄电元件和蓄电装置_株式会社杰士汤浅国际_202380094370.3
    本发明的一个方面所涉及的蓄电元件用正极具有含有正极活性物质和导电助剂的正极活性物质层， 上述导电助剂包含碳纳米管， 上述正极活性物质层中的上述导电助剂的含量为3.0质量％以下， 上述正极活性物质层的BET比表面积为1.00m2/g～3.00...
    2025-10-16
  • 功率模块、逆变器以及机电装置
    功率模块、逆变器以及机电装置_罗伯特·博世有限公司_202380094927.3
    本发明公开了功率模块、逆变器以及机电装置。所述功率模块包括：具有电路层的基板， 其具有彼此相对的第一侧和第二侧， 以及位于所述第一侧和所述第二侧之间且包含石墨烯聚合物合金材料的至少一个中间层；半导体器件， 其设置在所述第一侧并与所述电路层形...
    2025-10-16
  • 半导体装置及半导体装置的制造方法
    半导体装置及半导体装置的制造方法_株式会社东芝_202480014323.8
    实施方式的半导体装置具有电路基板， 该电路基板具有朝向第一侧的第一面以及朝向第一侧的相反侧的第二侧的第二面。具有安装于第一面的芯片。具有经由第一接合层而与第二面接合的导热部件。具有经由第二接合层而与导热部件的朝向第二侧的面接合的散热部件。第...
    2025-10-16
  • 光子集成电路封装及其制造方法
    光子集成电路封装及其制造方法_英特尔公司_202380094756.4
    公开了光子集成电路封装和制造方法。示例集成电路封装包括：半导体管芯；封装衬底， 其支撑所述半导体管芯， 所述封装衬底包括玻璃芯， 所述玻璃芯包括在所述玻璃芯的相对的第一表面与第二表面之间延伸的贯穿玻璃过孔， 所述玻璃芯包括与所述贯穿玻璃过孔...
    2025-10-16
  • 差分基板背侧冷却
    差分基板背侧冷却_应用材料公司_202480015199.7
    一种静电吸盘(ESC)， 所述静电吸盘具有陶瓷主体， 所述陶瓷主体包括嵌入电极并且具有第一直径。三个或更多个区域被限定在表面上并同心地布置在所述表面上， 每个区域包括布置在所述表面上并限定所述区域的外边缘的保持环以及布置在所述表面上并在所述...
    2025-10-16
  • 等离子体处理系统和环状构件的高度的估计方法
    等离子体处理系统和环状构件的高度的估计方法_东京毅力科创株式会社_202480017722.X
    一种等离子体处理系统， 具备：等离子体处理装置；减压搬送装置， 其与所述等离子体处理装置连接， 并且具有搬送基板的搬送机器人；以及控制装置， 其中， 所述等离子体处理装置具有：处理容器， 其构成为能够减压；基板支承台， 其设置于所述处理容器...
    2025-10-16
  • 电路基板的制造方法、电路基板以及电源模块
    电路基板的制造方法、电路基板以及电源模块_电化株式会社_202380094393.4
    一种电路基板的制造方法， 其包括：制备多个复合体的工序， 其中， 复合体具备氮化硅板、铜板以及粘结氮化硅板和铜板的钎焊层；以及在一对复合体之间配置间隔物以制备层压体的工序；以及将层压体在370～420℃的温度范围内加热3.5小时以上， 以对...
    2025-10-16
  • 基板处理方法、基板处理装置、半导体装置的制造方法以及半导体制造装置
    基板处理方法、基板处理装置、半导体装置的制造方法以及半导体制造装置_株式会社斯库林集团_202380094908.0
    提供一种基板处理方法、基板处理装置、半导体装置的制造方法以及半导体制造装置， 能够通过抑制或者减少发生膜缺陷而在短时间内高效地将致密性以及保护性能优异的自组装单分子膜成膜于基板的表面。本发明的基板处理方法包含：分散液生成工序S101， 生成...
    2025-10-16
  • 基板处理装置以及基板处理方法
    基板处理装置以及基板处理方法_株式会社斯库林集团_202380093750.5
    该基板处理装置及基板处理方法一边向旋转的基板(W)的上表面供给处理液， 一边利用照相机(84)拍摄基板(W)的周缘部。由此， 能够拍摄基板(W)的周缘部的处理的状态。照相机(84)配置于腔室(30)的外部。因此， 能够抑制在腔室(30)内的...
    2025-10-16
  • 带树脂层的半导体芯片的制造方法及基板层叠体的制造方法
    带树脂层的半导体芯片的制造方法及基板层叠体的制造方法_三井化学株式会社_202480013523.1
    一种带树脂层的半导体芯片(20A)的制造方法， 其包括：准备包含半导体基板(21)和层叠于半导体基板上的树脂层(23)的层叠体(20)的工序；将层叠体以树脂层露出的方式与切割带(42)贴合的工序；在层叠体的树脂层上形成保护层(33)的工序；...
    2025-10-16
  • 基板处理装置及基板处理方法
    基板处理装置及基板处理方法_株式会社斯库林集团_202380094707.0
    本发明提供一种对主面形成有抗蚀膜的基板进行处理的方法。本方法包含：喷嘴配置工序， 将复数流体喷嘴朝向基板的主面配置；供给工序， 向复数流体喷嘴供给水蒸气、臭氧气体及硫酸；及混合流体供给工序， 从复数流体喷嘴向上述基板的主面供给水蒸气、臭氧气...
    2025-10-16
  • 形成氮化镓膜的方法
    形成氮化镓膜的方法_周星工程股份有限公司_202480017845.3
    根据本公开的实施例的形成氮化镓(GaN)膜的方法为一种在基板上形成氮化镓(GaN)膜的方法， 并且可以包括在基板上形成氮化镓(GaN)膜的步骤、将氮化镓(GaN)膜暴露于包含氧(O2)的等离子体的步骤以及将氮化镓(GaN)膜暴露于包含氢(H...
    2025-10-16
首页 上一页 3 下一页
技术分类

专利交易买卖与高校科技成果转化平台

主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务

Copyright ©龙图腾网 版权所有  营业执照  | 皖ICP备12007331号-2 lotut.com 皖公网安备 34010402703815号 中华人民共和国增值电信业务经营许可证