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最新专利技术
  • 用于反馈信道状态信息的方案选择
    用于反馈信道状态信息的方案选择_高通股份有限公司_202480019579.8
    一种装置可被配置为接收指示与第一频谱效率相关联的机器学习(ML)信道状态信息(CSI)反馈方案或与第二频谱效率相关联的非ML CSI反馈方案中的一者的指令；以及使用ML CSI反馈方案或非ML CSI反馈方案中的所指示的一者来向网络节点报告...
    2025-10-31
  • 发送数字信号生成电路以及光发送器
    发送数字信号生成电路以及光发送器_三菱电机株式会社_202380095526.X
    本公开技术的光发送器对符号(X)的发生概率进行直方图化， 根据直方图的累计频数， 决定DAC(121)的分配， 其中， 直方图的层级值是符号(X)的值， 在任何层级中， 频数都为非零， 频数的总数是DAC(121)的量化数。
    2025-10-31
  • 用于管理非地面网络中用户设备可达性的方法
    用于管理非地面网络中用户设备可达性的方法_谷歌有限责任公司_202480016244.0
    与非地面网络(NTN)节点进行通信的用户设备(UE)可以实现一种用于管理来自核心网络(CN)对UE的寻呼的方法。该方法包括：(i)在该UE处从该CN接收包括与可达性相关联的NTN时间信息的下行链路消息；(ii)在该UE处基于该NTN时间信息...
    2025-10-31
  • 用于超宽带(UWB)发送器或收发器应用的时钟信号合成器
    用于超宽带(UWB)发送器或收发器应用的时钟信号合成器_高通股份有限公司_202480019698.3
    一种装置， 包括：振荡器， 该振荡器被配置为生成时钟信号；时钟信号合成器， 该时钟信号合成器被配置为生成第一时钟信号、第二时钟信号和第三时钟信号， 其中该第一时钟信号、该第二时钟信号和该第三时钟信号基于该时钟信号；基带发送器， 该基带发送器...
    2025-10-31
  • 电流模式滤波器
    电流模式滤波器_高通股份有限公司_202480019500.1
    本公开的各方面提供了用于电流模式模拟信号滤波的技术和装置。示例性滤波器电路通常包括电流模式放大器。该电流模式放大器包括：第一放大器， 该第一放大器包括输入和输出；第一反相器， 该第一反相器包括被耦接到该第一放大器的该输出的输入， 并且包括被...
    2025-10-31
  • 用于安全运行电机的方法和装置
    用于安全运行电机的方法和装置_宝马股份公司_202480016733.6
    描述了一种用于借助逆变器运行电机的装置。所述装置设计用于：对于第一周期确定在所述第一周期内用于运行开关组的运行开关模式， 所述运行开关模式旨在引起所述电机的额定运行点；以及对于相继的周期的序列确定过渡开关模式的序列， 所述过渡开关模式的序列...
    2025-10-31
  • 电动机控制装置
    电动机控制装置_三菱电机移动出行株式会社_202380093335.X
    本公开的电动机控制装置包括：逆变器， 该逆变器向电动机提供功率；以及控制器， 该控制器控制所述电动机， 向所述逆变器输出指令信号， 所述控制器具有：电流指令值运算器， 该电流指令值运算器运算所述电动机在旋转二轴中的电流指令值；电压指令值运算...
    2025-10-31
  • 电力转换装置
    电力转换装置_日产自动车株式会社_202380095870.9
    在电力转换装置(10)中， 具有LC谐振电路(22)的逆变器电路(20)的双向开关(21)对在一对输入端子(IN1、IN2)之间流动的电流的方向和导通断开进行切换。逆变器电路(20)根据输入到一对输入端子(IN1、IN2)的交流电力生成高频...
    2025-10-31
  • 具有用于减少电机中的电容耦合的屏蔽结构的电机以及包括该屏蔽结构的径向通量型机器
    具有用于减少电机中的电容耦合的屏蔽结构的电机以及包括该屏蔽结构的径向通量型机器_舍弗勒技术股份两合公司_202480017470.0
    本发明涉及一种用于减少电机、特别是同步电机中的电容耦合的屏蔽结构(1)， 其中， 电机具有转子和定子(2)， 其中， 屏蔽结构(1)联接至电机的壳体(3)或电机的地， 其中， 屏蔽结构(1)由极靴结构(4)形成。
    2025-10-31
  • 具有定子和优化的极靴冷却的轴流式机器
    具有定子和优化的极靴冷却的轴流式机器_舍弗勒技术股份两合公司_202480017493.1
    本发明涉及一种用于轴流式机器(2)的定子(1)， 该定子具有定子齿(3)， 该定子齿被以绕组(4)的形式布置的导体(5)环绕， 其中， 绕组(4)布置在定子齿(3)的外侧部(6)上， 其中， 插入器件(7)以保持定子齿(3)与绕组(4)之间...
    2025-10-31
  • 用于机动车辆的转向系统
    用于机动车辆的转向系统_蒂森克虏伯普利斯坦股份公司_202380095891.0
    本发明涉及一种用于机动车辆的机电制动装置(1)， 该机电制动装置包括运动装置(5)， 该运动装置可以由至少一个电动马达(41、42)驱动并且制动部件(22)可以通过该运动装置移动， 其中， 马达(41、42)包括定子(1100)和安装在定子...
    2025-10-31
  • 在无线电力系统中基于状态指示符组合的电力状态转变
    在无线电力系统中基于状态指示符组合的电力状态转变_杜比知识产权许可有限责任公司_202480020048.0
    本公开提供了用于供电力接收器将状态信息传送到电力发射器的系统、方法和装置。电力接收器和电力发射器可以支持使用消息的电力接收器状态字段中的现有状态指示符的组合来提供对该电力接收器中的故障条件的量身定制性的响应。在一些方面， 电力发射器和电力接...
    2025-10-31
  • 混合EM-LC谐振器
    混合EM-LC谐振器_全球能量传送公司_202480016778.3
    一种用于无线电力传输(WPT)系统的混合EM‑LC谐振器包括多个电容性环路和各自在非谐振操作模式中具有互感的LC电路。该谐振器在无线能量传输系统中可用。该系统包括发射器天线组件和接收器天线组件， 其中的每个天线组件包括彼此隔离的至少两个电路...
    2025-10-31
  • 控制装置和决定电池的输出容许电力的方法
    控制装置和决定电池的输出容许电力的方法_日产自动车株式会社_202380095975.4
    本发明是一种决定并控制电池控制系统中的电池的输出容许电力的控制装置。所述控制装置具备：电流值获取部， 其获取从构成电池的电池单体输出的电流的当前的电流值；电压值获取部， 其获取所述电池单体的当前的电压值；通常输出容许电力计算部， 其基于所述...
    2025-10-31
  • 控制装置和决定电池的输出容许电力的方法
    控制装置和决定电池的输出容许电力的方法_日产自动车株式会社_202380095974.X
    本发明具备：电流测量部， 其测量从电池输出的电流的电流值；电压测量部， 其测量所述电池的电压值；第一电压下降量计算部， 其基于开路电压来计算所述电池的第一电压下降量， 所述开路电压是基于所述电流值和所述电压值得到的；实际放电电压计算部， 其...
    2025-10-31
  • 备用电源系统
    备用电源系统_松下知识产权经营株式会社_202380095640.2
    蓄电部包括n级的蓄电单体串联连接而成的单体集合体。充放电电路部利用从第一供电路径供给的电力对蓄电部进行充电， 并将蓄电部放出的电力输出到第一供电路径， 该第一供电路径将连接电源的第一端口与连接第一负载的第二端口之间连接。第一支路与第m级(m...
    2025-10-31
  • 通过电解水来产生氢气和氧气的电解设备的控制
    通过电解水来产生氢气和氧气的电解设备的控制_西门子能源国际公司_202480016616.X
    本发明涉及一种电解设备(10)， 具有多个电解装置(34、36)， 这些电解装置连接到供能线路(30)， 其中电解装置(34、36)具有供能单元(38、40)和与供能单元耦连的电解模块(12、14、16、18、20、22、24、26)， 其...
    2025-10-31
  • 面发光半导体激光元件的制造方法及面发光半导体激光元件
    面发光半导体激光元件的制造方法及面发光半导体激光元件_国立大学法人京都大学_202480016642.2
    (a)在基板上形成空洞形成准备层， (b)在空洞形成准备层形成在各个格子点二维地配置的空洞， 而形成空洞形成层， (c)进行封闭空洞的小面生长而形成第一埋入层， (d)进行平坦地掩埋第一埋入层的第二埋入层的生长， 而形成具有与空洞对应的孔的...
    2025-10-31
  • 表面发射激光器和表面发射激光器阵列
    表面发射激光器和表面发射激光器阵列_索尼集团公司_202480016996.7
    根据本公开的一个实施方式的表面发射激光器， 包括：第一DBR层；第二DBR层；有源层；第一间隔层；第二间隔层；以及隧道结层。有源层设置在第一DBR层与第二BDR层之间。第一间隔层设置在有源层与第一DBR层之间。第二间隔层设置在有源层与第二D...
    2025-10-31
  • 面发射激光器及面发射激光器的制造方法
    面发射激光器及面发射激光器的制造方法_三樱工业株式会社_202380095309.0
    一种扩展型垂直腔面发射激光器(VCSEL)， 包括：横向外延过生长的半导体区段， 所述半导体区段由位于空穴注入III族氮化物层与电子注入III族氮化物层之间的III族氮化物有源区构成；以及位于所述电子注入III族氮化物层一侧的纳米多孔III...
    2025-10-31
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