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最新专利技术
  • 高密度堆叠电容器和方法
    高密度堆叠电容器和方法_格芯(美国)集成电路科技有限公司_202510241177.9
    本公开涉及高密度堆叠电容器和方法。公开了一种半导体结构和形成该半导体结构的方法。该半导体结构包括高密度堆叠电容器，具体地为并联地连接在两个节点之间的电容器堆叠。该堆叠包括位于半导体衬底内的二极管型电容器(本文中也称为PN结电容器)。在不同的...
    2025-11-30
  • 沟槽式半导体结构及其制造方法
    沟槽式半导体结构及其制造方法_达尔科技股份有限公司_202410509983.5
    本申请涉及沟槽式半导体结构及其制造方法。沟槽式半导体结构包括：半导体材料层，具有第一表面、第二表面以及第一导电型；第一沟槽结构，从第一表面往第二表面延伸，包括第一电极及第一闸极，第一电极包括与第一闸极相邻的第一部分，以及位于第一部分以及第一...
    2025-11-30
  • 射频开关芯片、射频前端模组、电子设备
    射频开关芯片、射频前端模组、电子设备_锐石创芯(深圳)半导体有限公司_202510895472.6
    本申请实施例提供了一种射频开关芯片、射频前端模组、电子设备，射频开关芯片，包括：多个开关单元、连接线以及多个公共端口，连接线连接多个开关单元的第一端，多个公共端口间隔设置且均与连接线连接，多个公共端口用于连接射频开关芯片外部的同一天线端口。...
    2025-11-30
  • 一种双端供电、双面散热封装的并联半桥功率模块
    一种双端供电、双面散热封装的并联半桥功率模块_常州瑞华新能源科技有限公司_202510985753.0
    本发明公开了本发明涉及封装技术领域，特别是一种双端供电、双面散热封装的并联半桥功率模块，上DBC板和下DBC板之间设置有SiC MOSFET芯片和二极管芯片，SiC MOSFET芯片、二极管芯片底端分别通过焊料层与下DBC板连接，SiC M...
    2025-11-30
  • 提升SiC MOS器件开关速度和鲁棒性的器件结构及制作方法
    提升SiC MOS器件开关速度和鲁棒性的器件结构及制作方法_浙江摩珂达半导体有限公司_202511005084.2
    一种提升SiC MOS器件开关速度和鲁棒性的器件结构及制作方法，在器件元胞的JFET区域上方选择性增设局部加厚的弧形栅氧化层，通过降低栅漏电容减小总输入电容，提升开关速度并降低功耗；同时，加厚的JFET区栅氧化层提高了栅氧可靠性和抗单粒子能...
    2025-11-30
  • 一种氯氧化物栅极电介质材料及其制备方法和应用
    一种氯氧化物栅极电介质材料及其制备方法和应用_中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所_202511011201.6
    本发明涉及一种氯氧化物栅极电介质材料及其制备方法和应用，包括：将氯化物前驱体和衬底材料分别置于同一单侧开口反应容器的底部和单侧开口处，将单侧开口反应容器置于化学气相沉积装置中且开口位于化学气相沉积装置中通气口的一侧，调控反应腔室的相对湿度，...
    2025-11-30
  • 半导体工艺方法、半导体器件、电子设备
    半导体工艺方法、半导体器件、电子设备_华为技术有限公司_202410528843.2
    本申请实施例提供一种半导体工艺方法、半导体器件、电子设备。涉及半导体制造技术领域。提供可以制得凹槽侧壁倾斜角度较大、线宽较窄的半导体工艺方法。该半导体工艺方法包括：在衬底上形成待刻蚀层；在待刻蚀层的背离衬底的一侧形成具有第一开窗的掩膜图案层...
    2025-11-30
  • 具有增加的击穿电压特性的半导体装置
    具有增加的击穿电压特性的半导体装置_安华高科技股份有限公司_202510431192.X
    本公开涉及供在多种适合应用中使用的具有增加的击穿电压特性的半导体装置。一种具有增加的击穿电压特性的实例性半导体装置包含：衬底，其具有p型阱、n型阱、n型层及耗尽区域；以及栅极，其安置在所述p型阱、所述耗尽区域及所述n型层上方。所述耗尽区域及...
    2025-11-30
  • 半导体结构及其制备方法
    半导体结构及其制备方法_无锡华润上华科技有限公司_202410544048.2
    本申请涉及一种半导体结构及其制备方法。所述半导体结构包括：衬底、第一栅介电层、第一栅极、第二栅介电层、第二栅极以及栅极引出电极。衬底包括第一导电类型的阱区。阱区内具有沟槽。第一栅介电层至少覆盖沟槽的侧壁。第一栅介电层在沟槽顶部的厚度大于在沟...
    2025-11-30
  • 一种半导体结构及半导体器件
    一种半导体结构及半导体器件_苏州晶湛半导体有限公司_202410543519.8
    本公开提供了一种半导体结构及半导体器件，半导体结构包括依次层叠设置的SiC衬底、重掺杂SiC层、AlGaN外延层以及GaN外延层，GaN外延层包括层叠设置的重掺杂层和轻掺杂层，SiC衬底、重掺杂SiC层、AlGaN外延层以及GaN外延层均为...
    2025-11-30
  • LDMOS器件及其制作方法
    LDMOS器件及其制作方法_无锡华润上华科技有限公司_202410534268.7
    本申请涉及一种LDMOS器件及其制作方法。LDMOS器件包括：漂移区、体区、栅介质层、漏区和源区，体区设置在漂移区中，体区设置在漂移区中，体区和漂移区的掺杂类型不同；栅介质层分别连接漂移区和体区的一部分，栅介质层用于引出栅电极；漏区设置在漂...
    2025-11-30
  • 晶体管器件及其制备方法、显示基板
    晶体管器件及其制备方法、显示基板_京东方科技集团股份有限公司_202511038242.4
    一种晶体管器件及其制备方法、显示基板，其中，晶体管器件包括：设置在基底上，晶体管器件包括：栅电极、栅绝缘层、有源层、第一电极和第二电极，第一电极和第二电极设置在有源层和栅电极远离基底一侧，栅绝缘层设置在有源层和栅电极之间；栅绝缘层包括：层叠...
    2025-11-30
  • 薄膜晶体管器件及显示面板
    薄膜晶体管器件及显示面板_广州华星光电半导体显示技术有限公司_202410525545.8
    本申请实施例公开了一种薄膜晶体管器件及显示面板，其采用在有源层的第一非晶硅层和第二非晶硅层之间增设一层非晶硅掺杂层，非晶硅掺杂层包括非晶硅和掺杂粒子，所述掺杂粒子为N型掺杂粒子，在所述非晶硅掺杂层中，所述掺杂粒子的掺杂浓度小于或等于1.5％...
    2025-11-30
  • 半导体器件及显示面板
    半导体器件及显示面板_TCL华星光电技术有限公司_202410498682.7
    本申请实施例提供一种半导体器件及显示面板，半导体器件包括衬底以及位于所述衬底上且依次层叠设置的底栅极层、第一绝缘层、有源层、源漏电极层、第二绝缘层以及顶栅极层。其中，所述有源层包括依次层叠设置的第一子有源层、第二子有源层和第三子有源层，所述...
    2025-11-30
  • 一种新型栅极碳化硅功率器件及其制备方法、芯片
    一种新型栅极碳化硅功率器件及其制备方法、芯片_深圳天狼芯半导体有限公司_202511404994.8
    本申请属于功率器件技术领域，提供了一种新型栅极碳化硅功率器件及其制备方法、芯片，通过在电流扩展层、P型阱区以及N型重掺杂区上形成有氮化镓层，氮化镓层覆盖P型阱区和电流扩展层，氧化镓层形成于氮化镓层上，高K介质层形成于氧化镓层上，栅极层形成于...
    2025-11-30
  • 一种碳化硅器件结构及其制备方法、芯片
    一种碳化硅器件结构及其制备方法、芯片_深圳天狼芯半导体有限公司_202511404837.7
    本申请属于功率器件技术领域，提供了一种碳化硅器件结构及其制备方法、芯片，通过设置P型重掺杂区与相邻位置的结型场效应管区之间由P型阱区隔离，N型重掺杂区与相邻位置的结型场效应管区之间由P型阱区隔离，相邻的结型场效应管区之间由P型阱区隔离，从而...
    2025-11-30
  • 一种深槽填充结构的950V超结MOS终端结构及其制作方法
    一种深槽填充结构的950V超结MOS终端结构及其制作方法_江苏吉莱微电子股份有限公司_202511384262.7
    本发明公开了一种深槽填充结构的950V超结MOS终端结构及其制作方法，器件额外设有Ptop浮空P柱连接层注入、终端区多晶硅场板、终端区金属场板，器件整体以N型衬底进行二次外延，按最优条件拓展出多个功能层。本发明利用深槽填充工艺，通过优化结构...
    2025-11-30
  • 一种具有背侧超结结构的碳化硅MOS器件及其制备工艺
    一种具有背侧超结结构的碳化硅MOS器件及其制备工艺_杭州清芯微电子有限公司_202511374455.4
    本发明涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种具有背侧超结结构的碳化硅MOS器件及其制备工艺，包括若干个相互并列的MOS元胞，单个所述MOS元胞包括漏极、半导体外延层、源极以及栅极，所述半导体外延层包括N衬底层、N扩散层、P+层、N阱层以及P...
    2025-11-30
  • 高频、高可靠型SiC SGT-MOSFET及其制备方法
    高频、高可靠型SiC SGT-MOSFET及其制备方法_重庆大学_202511059585.9
    本发明涉及功率半导体技术领域，涉及高频、高可靠型SiC SGT‑MOSFET及其制备方法；其中，一种高频、高可靠型SiC SGT‑MOSFET包括第一导电类型碳化硅衬底、第一导电类型漂移区、屏蔽栅、控制栅、源极区、漏极区、第二导电类型体区和...
    2025-11-30
  • 一种单片集成的PGaN栅控的Cascode结构GaN MOSFET
    一种单片集成的PGaN栅控的Cascode结构GaN MOSFET_西安电子科技大学_202510862188.9
    本发明公开了一种单片集成的PGaN栅控的Cascode结构GaN MOSFET，涉及半导体器件技术领域，将表面的第二P‑GaN层用作E‑mode器件的栅极区域，将刻蚀第一P‑GaN层、势垒层、沟道层和部分漂移层形成的沟槽用作D‑mode器件...
    2025-11-30
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