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最新专利技术
  • 一种多结太阳能电池结构及其制备方法
    一种多结太阳能电池结构及其制备方法_扬州乾照光电有限公司_202511097016.3
    本申请公开一种多结太阳能电池结构及其制备方法，涉及太阳能电池技术领域，该电池结构包括层叠的第一子电池、第一隧穿结、第二子电池(GaAs子电池)、第二隧穿结、DBR反射层、变质缓冲层和第三子电池，通过在第二隧穿结和变质缓冲层间增加DBR反射层...
    2025-11-30
  • 一种具有选择性发射极结构的太阳能电池及其制备方法
    一种具有选择性发射极结构的太阳能电池及其制备方法_滁州捷泰新能源科技有限公司_202511203116.X
    本发明属于太阳能电池技术领域，具体公开了一种具有选择性发射极结构的太阳能电池及其制备方法，所述一种具有选择性发射极结构的太阳能电池包括：硅基底，所述硅基底具有相对的正面和背面；所述正面包括掺杂层，所述掺杂层包括轻掺杂区域和重掺杂区域；所述轻...
    2025-11-30
  • 太阳能电池及其制备方法、光伏组件
    太阳能电池及其制备方法、光伏组件_天合光能股份有限公司_202511051902.2
    本申请涉及一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件，该太阳能电池包括：衬底，所述衬底具有相对设置的第一表面和第二表面；所述第一表面设有凹槽；第一隧穿氧化层，设于所述第一表面的凹槽内；第一掺杂多晶硅层，设于凹槽内所述第一隧穿氧化层远离所述第一表面...
    2025-11-30
  • 一种TOPCon电池及其制备方法、光伏组件
    一种TOPCon电池及其制备方法、光伏组件_中科研和(宁波)科技有限公司_202510874297.2
    本发明实施例公开了一种TOPCon电池及其制备方法、光伏组件，其中TOPCon电池包括：衬底，衬底具有朝向入射光的第一面和背向入射光的第二面；衬底的第二面依次设置有两层或三层隧穿钝化层，以及设置在隧穿钝化层上的接触层；隧穿钝化层包括隧穿氧化...
    2025-11-30
  • 背接触电池及其制备工艺
    背接触电池及其制备工艺_环晟光伏(江苏)有限公司_202411333363.7
    本发明提供了一种背接触电池及其制备工艺，具体涉及太阳能电池制备技术领域。该背接触电池包括：半导体基底，半导体基底具有相对的表面和背光面；表面具有依次层叠设置的第一钝化层和第一减反射层；背光面设置有互不接触的P区和N区，P区和N区的交界区域的...
    2025-11-30
  • 背接触电池、电池组件和光伏系统
    背接触电池、电池组件和光伏系统_浙江爱旭太阳能科技有限公司_202511020821.6
    本申请涉及太阳能电池技术领域，提供了一种背接触电池、电池组件和光伏系统，在背接触电池中，至少一个第一掺杂层上形成有沿第二方向间隔排布的若干第一镂空槽，硅片从第一镂空槽处露出。所有第一镂空槽在第一方向上均未贯穿第一侧面和第二侧面；或者所有第一...
    2025-11-30
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410504905.6
    一种半导体结构及其形成方法，其中半导体结构包括：衬底，包括若干有源区以及位于相邻有源区之间的无源区；位于衬底上的至少一个栅极结构，所述栅极结构位于至少两个相邻有源区上，所述栅极结构包括位于所述无源区上的应力结构以及位于有源区上的主栅极；与所...
    2025-11-30
  • 显示面板
    显示面板_三星显示有限公司_202510487164.X
    提供了显示面板，该显示面板包括电路层和在电路层上的发光元件。电路层包括半导体图案、包括被配置为暴露半导体图案的一部分的第一接触孔的第一绝缘层、在第一绝缘层上并且通过第一接触孔电连接到半导体图案的多个第一连接电极和被配置为覆盖多个第一连接电极...
    2025-11-30
  • 封装基板的制备方法
    封装基板的制备方法_礼鼎半导体科技(深圳)有限公司_202410513075.3
    一种封装基板的制备方法，包括步骤：提供一个封装基板，所述封装基板包括设置的第一连接垫和第二连接垫，所述第一连接垫具有第一表面，所述第二连接垫具有第二表面，所述封装基板具有厚度方向，沿所述厚度方向，第一表面与所述第二表面错开设置。于所述封装基...
    2025-11-30
  • 晶体管阵列及其应用
    晶体管阵列及其应用_苏州培风图南半导体有限公司_202510967166.9
    本发明公开了一种晶体管阵列及其应用，该晶体管阵列包括源极区、漏极区、分别连接至源极区和漏极区的K个沟道区、以及分别形成于K个沟道区上的K个第一栅极和第二栅极；第一栅极和第二栅极在沟道区的长度方向上间隔分布，以形成串联的第一晶体管和第二晶体管...
    2025-11-30
  • 多指GGNMOS器件及制造方法、芯片
    多指GGNMOS器件及制造方法、芯片_北京智芯微电子科技有限公司_202510850363.2
    本发明提供一种多指GGNMOS器件及制造方法、芯片，属于半导体集成电路技术领域。所述多指GGNMOS器件包括：衬底、形成于衬底的体区和衬底接口、以及形成于体区表面的多个源区、多个漏区和多个栅极，源区、栅极以及衬底接口均接地，多个源区、多个漏...
    2025-11-30
  • 半导体器件
    半导体器件_三星电子株式会社_202510124621.9
    一种半导体器件可以包括：衬底，其包括有源图案；第一沟道层，其在有源图案上沿垂直方向间隔开；第一栅极结构，其围绕第一沟道层；第一源极/漏极图案，其位于第一栅极结构的两侧并且连接到第一沟道层；第一内部间隔物，其位于第一栅极结构与第一源极/漏极图...
    2025-11-30
  • 晶体管及其制备方法
    晶体管及其制备方法_京东方华灿光电(浙江)有限公司_202510805903.5
    本公开提供了一种晶体管及其制备方法。该晶体管包括：耗尽型器件和增强型器件，所述耗尽型器件包括第一漏极、第一源极和第一栅极，所述增强型器件包括第二漏极、第二源极和第二栅极，所述第一源极与所述第二漏极相连，所述第一栅极与所述第二源极相连。本公开...
    2025-11-30
  • 集成电路器件
    集成电路器件_三星电子株式会社_202411882654.1
    一种集成电路器件可以包括：纳米片堆叠件，所述纳米片堆叠件包括多个纳米片；栅极线，所述栅极线至少部分地围绕所述多个纳米片中的每一个纳米片，所述栅极线包括主栅极部分和子栅极部分；源极/漏极区域，所述源极/漏极区域与所述多个纳米片接触；以及内绝缘...
    2025-11-30
  • 一种芯片、制备方法及电子设备
    一种芯片、制备方法及电子设备_华为技术有限公司_202410511112.7
    本申请公开了一种芯片、制备方法及电子设备，芯片包括衬底、多个垂直沟道、第一介质层、栅极结构以及第二介质层。第一介质层围绕垂直沟道的第一间隔区，栅极结构覆盖垂直沟道的沟道区的侧壁的至少部分区域，第二介质层围绕各垂直沟道的第二间隔区。第一介质层...
    2025-11-30
  • 半导体器件及其制作方法、电子设备、车辆
    半导体器件及其制作方法、电子设备、车辆_比亚迪股份有限公司_202510839050.7
    本申请提供一种半导体器件及其制作方法、电子设备、车辆；该半导体器件包括：基体，以及设置在基体下表面的第一电极，基体具有沿垂直于基体厚度方向邻接的有源区和终端保护区；终端保护区包围有源区设置；基体具有第一导电类型；基体包括：分压保护结构，位于...
    2025-11-30
  • 一种单片集成的GaN级联器件及其制备方法
    一种单片集成的GaN级联器件及其制备方法_西安电子科技大学_202510793474.4
    本发明提供一种单片集成的GaN级联器件及其制备方法，包括：通过互联金属连接的Si基NMOS子器件和GaN HEMT子器件，以及共享的Si衬底；第一台阶形成于Si衬底的一侧边缘区域内；GaN缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层、帽层和第一介...
    2025-11-30
  • 半导体器件
    半导体器件_三星电子株式会社_202510861663.0
    本发明提供一种半导体器件，该半导体器件包括：第一导电类型的基板；在基板上的栅电极；第一导电类型的第一高浓度杂质区，设置在栅电极的第一侧；第一导电类型的第一阱，设置在第一高浓度杂质区下面并围绕第一高浓度杂质区；第二导电类型的第二阱，交叠栅电极...
    2025-11-30
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410521621.8
    本申请提供半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括相互垂直的x方向和y方向以及沿所述x方向延伸的若干鳍片结构，所述鳍片结构包括位于所述半导体衬底表面的第一部分以及位于所述第一部分顶面的第二部分；气隙结构，位...
    2025-11-30
  • 高密度堆叠电容器和方法
    高密度堆叠电容器和方法_格芯(美国)集成电路科技有限公司_202510241177.9
    本公开涉及高密度堆叠电容器和方法。公开了一种半导体结构和形成该半导体结构的方法。该半导体结构包括高密度堆叠电容器，具体地为并联地连接在两个节点之间的电容器堆叠。该堆叠包括位于半导体衬底内的二极管型电容器(本文中也称为PN结电容器)。在不同的...
    2025-11-30
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