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  • 本申请实施例提供了一种正极极片、二次电池和用电装置,该正极极片包括正极集流体和正极膜层,正极膜层位于正极集流体的至少一侧,正极膜层包括中部区域、围绕中部区域设置的边缘区域以及位于中部区域和边缘区域的正极活性材料,正极膜层具有位于中部区域和边...
  • 本发明公开了一种三维流体化复合电极及其制造方法与集成系统,属于电化学储能技术领域。该复合电极旨在解决传统厚电极因离子/电子长程固相传输瓶颈而导致的倍率性能差,以及无机全固态电池因“固‑固”界面机械失效而导致的循环寿命短的问题。本发明的技术方...
  • 本发明涉及电池技术领域,具体公开了一种极片结构,具有两两垂直的第一方向、第二方向和第三方向,包括集流体、活性物质层、极耳和相变导电胶纸;所述集流体具有沿所述第一方向排布的功能区和空箔区;所述活性物质层涂覆于所述功能区,沿所述第三方向,所述活...
  • 本发明涉及电池技术领域,具体公开了一种极片结构,包括集流体、活性物质层、极耳和陶瓷涂层;所述活性物质层涂覆于集流体的两侧;所述极耳设于集流体的一端;所述陶瓷涂层涂覆于活性物质层靠近极耳的一端,且陶瓷涂层的至少部分与极耳连接;所述活性物质层靠...
  • 本发明公开了一种正极片及其制备方法和应用,该正极片包括正极集流体、设于正极集流体至少一侧表面的正极活性材料层,以及设于正极活性材料层表面的补锂层,补锂层包括α‑Li3N和β‑Li3N。以上正极片可用于与硅负极片构建电池(尤其是硫化物全固态电...
  • 本发明涉及锂电池生产技术领域的一种负极及制备方法、全固态电池,所述负极包括负极活性材料,负极活性材料包括粒子A及粒子B,粒子B附着于粒子A的表面;粒子A包括多孔硅碳颗粒及颗粒表面的包覆层,包覆层为硅层;多孔硅碳包括多孔碳及沉积在多孔碳孔内的...
  • 本发明公开了复合固态正极、电芯、单体电池及用电设备,该正极由集流体、正极活性物质、电子导电剂、固态电解质、界面改性剂。其中正极活性物质用于提供锂源;电子导电剂用于降低欧姆内阻和极化;固态电解质时用于传输离子,界面改性剂用于进一步降低内阻和极...
  • 一种极片、电芯及终端装置,极片包括集流体和第一活性物质层。第一活性物质层背离集流体的表面设有沿第二方向等间距排列的多个第一凹槽。沿第一方向观察,每个第一凹槽自第一活性物质层在第三方向上的一侧延伸至第一活性物质层在第三方向上的另一侧。每个第一...
  • 本发明提供一种正极片和锂离子二次电池。本发明的正极片包括正极集流体,沿正极片宽度方向,正极集流体包括依次设置的第一模块、第二模块和第三模块,第一模块和所述第三模块分别位于正极片宽度方向的边缘;第二模块包括正极活性物质层,第一模块包括层叠设置...
  • 本发明提供一种正极片和锂离子二次电池。本发明的正极片包括正极集流体,沿正极片宽度方向,正极集流体包括依次设置的第一模块、第二模块和第三模块,第一模块和第三模块分别位于沿正极片宽度方向的边缘;第二模块包括正极活性物质层,第一模块包括层叠设置的...
  • 本发明涉及一种化学电池技术领域,尤其涉及一种高性能锂一次电池正极片的制备方法。该方法包括在金属带上涂布浆料制成极片的过程,所述的金属带制备步骤为:S1、将不锈钢带表面进行粗糙处理;S1、将步骤S1所得的不锈钢带进行冲拉加工成菱形金属网;S2...
  • 本发明提供一种电池滚压控制方法,涉及电池滚压工艺技术领域,步骤包括:采集前置检测区域的电极片点云数据;提取位于基准滚压区域的峰值点云,确定峰值点云的绝对差值;结合标定压力,确定初始压力;电极片进入滚压区域时,实时监测电极片的参数;当实际滚压...
  • 本发明公开了一种抑制极片产生毛刺的制作方法及极片,该制作方法包括以下步骤:S1、浆料制备,添加自修复材料;S2、涂布,集流体经双轴取向拉伸处理;S3、干燥,采用三段式温度控制;S4、压延,采用非对称辊压;S5、切割,先进行超声波软化预处理,...
  • 本发明属于镁金属电池技术领域,涉及一种金属镁负极的表面氟化物处理方法。针对金属镁的还原性明显低于锂,导致金属氟化物和镁之间不能直接发生置换反应并构建人工SEI的问题,本发明提供一种金属镁负极的表面氟化物处理方法,包括:(1)去除金属镁材料表...
  • 本发明提供了一种通过低温常压高能球磨法制备乙二醇氧钒(VEG)并制备高性能锌离子电池正极的方法。该方法通过球磨和烘干步骤制备了VEG晶体,并将其与导电粘结剂配合涂覆于钛箔上,最终得到具有优良性能的锌离子电池正极。该制备方法具有反应条件简便、...
  • 公开了二次电池电极和包括其的电极组件。二次电池电极包括基板,该基板包括未涂覆部分和涂覆部分,未涂覆部分包括第一表面和第二表面,第二表面与第一表面相反,在涂覆部分上涂覆有第一活性物质层和第二活性物质层,第二活性物质层位于基板的与第一活性物质层...
  • 本发明提供一种电子装置,包括一基板、设置在所述基板上的复数个晶体管、设置在所述复数个晶体管的至少一个上的一发光单元、设置在所述发光单元上的一第一绝缘层以及一光学单元。所述第一绝缘层具有一第一开口和一第二开口,所述光学单元设置在所述第一开口中...
  • 本申请实施例公开了光通信模块封装结构和制备方法,涉及半导体封装技术领域,该光通信模块封装结构包括封装基板,封装基板的上表面开设有第一凹槽,第一凹槽中嵌入有第一芯片,第一芯片的上表面与封装基板的上表面平齐,第一芯片的上表面为有源面;第一封装结...
  • 本发明涉及一种芯片及其制备方法、封装结构及其制备方法,涉及半导体技术领域,在该芯片中,由于多个第一屏蔽结构环绕功能区,所以当芯片内的功能区产生电磁辐射时,第一屏蔽结构可以直接将电磁辐射有效的吸收或反射,使其不会干扰其他结构,减少了电磁辐射的...
  • 本发明涉及多芯片平行排布的双面散热功率模块,包括基板组件、芯片组件、金属连接组件、键合线以及端子,其中基板组件包括第一基板和第二基板,第一基板和第二基板在高度方向设置金属连接组件和芯片组件;芯片组件与第一基板上表面连接,金属连接组件与芯片组...
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