Document
拖动滑块完成拼图
专利交易 积分商城 国际服务 IP管家助手 科技果 科技人才 商标交易 会员权益 需求市场 关于龙图腾 更多
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索
  • 我要求购
  • 我要出售
官方微信客服

官方微信客服
官方微信客服

官方微信客服
最新专利技术
  • 一种耐高压高功率芯片PIN二极管的散热结构及其加工方法
    一种耐高压高功率芯片PIN二极管的散热结构及其加工方法_合肥星波通信技术有限公司_202511825666.5
    本发明涉及一种耐高压高功率芯片PIN二极管的散热结构，包括热沉，向上设置第一PCB介质基板，第一PCB介质基板向上设置第一铜垫块，氮化铝陶瓷基片向上设置金刚石铜基片，金刚石铜基片向上分别设置垫片、PIN二极管芯片，垫片通过第一金丝与第一铜垫...
    2026-03-20
  • 一种熔丝结构及其制作方法
    一种熔丝结构及其制作方法_无锡芯卓湖光半导体有限公司_202411238894.8
    本发明提供一种熔丝结构及其制作方法，其中，本发明的熔丝的制作方法在形成多晶硅图形化层之后，先对多晶硅图形化层的上表层进行离子注入以得到预设厚度的预非晶化层，然后形成金属种子层于预非晶化层上，再进行热处理以使金属种子层中的部分金属扩散到预非晶...
    2026-03-20
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511499298.X
    本发明提供一种形成半导体结构的方法。衬底设有第一区和第二区。在第一区中的衬底中形成贯通孔。在第一区中形成覆盖贯通孔的第一导电图案，并且在第二区中的衬底上同时形成第一导电层。在第一区中的第一导电图案上形成第二导电图案，并且在第二区中的第一导电...
    2026-03-20
  • 半导体装置及半导体封装体
    半导体装置及半导体封装体_爱普科技股份有限公司_202510920993.2
    本发明公开一种半导体装置及半导体封装体。半导体装置包括第一半导体晶粒，第一半导体晶粒具有前侧及相对于前侧的背侧，并且包括邻近设置于第一半导体晶粒前侧的第一主动元件。半导体装置还包括第二半导体晶粒，第二半导体晶粒具有接合至第一半导体晶粒背侧的...
    2026-03-20
  • 半导体器件
    半导体器件_三星电子株式会社_202510403995.4
    一种半导体器件包括：半导体元件部分，半导体元件部分包括半导体元件；第一布线部分，第一布线部分位于半导体元件部分的第一表面上；支撑衬底，支撑衬底位于第一布线部分上；接合层，接合层位于第一布线部分与支撑衬底之间；以及第二布线部分，第二布线部分位...
    2026-03-20
  • 半导体结构
    半导体结构_长鑫科技集团股份有限公司_202411267639.6
    本公开实施例提供了一种半导体结构，包括多行第一字线和多条第一导电线，各第一导电线与奇数行或偶数行的各第一字线对应设置且彼此连接；多个第一导电触点与各第一导电线对应设置，多个第二导电触点与各第一导电触点对应设置且彼此隔离；各第二导电触点连接至...
    2026-03-20
  • 半导体结构以及集成组合件
    半导体结构以及集成组合件_长鑫科技集团股份有限公司_202411267637.7
    本公开实施例提供了一种半导体结构，包括：相对的第一表面和第二表面；第一连接垫和第二连接垫，设置于第一表面；第三连接垫、第四连接垫和第五连接垫，设置于第二表面；存储单元区域，存储单元区域设置在第一表面与第二表面之间，存储单元区域包括沿第一方向...
    2026-03-20
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_中芯国际集成电路制造(天津)有限公司_202411203623.9
    一种半导体结构及其形成方法，其中形成方法包括：提供基底，所述基底包括多层金属连线层，所述多层金属连线层包括第一金属连线层和第二金属连线层；在所述第一金属连线层上形成至少一个第一电容结构，所述第一电容结构包括第一底电极、位于所述第一底电极上的...
    2026-03-20
  • 一种半导体器件及其制造方法、电子设备
    一种半导体器件及其制造方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202411259913.5
    一半导体器件及其制造方法、电子设备，半导体器件包括：设置在衬底上的阶梯区域，阶梯区域包括沿垂直于衬底方向堆叠的多个导电层，相邻的导电层之间设置有绝缘膜层，至少存在一个所述绝缘膜层包括沿平行于衬底方向分布的第一绝缘层、隔离层和支撑层，隔离层在...
    2026-03-20
  • 一种大马士革膜层结构及其制备方法
    一种大马士革膜层结构及其制备方法_珠海天成先进半导体科技有限公司_202511931469.1
    本发明公开了一种大马士革膜层结构及其制备方法，属于半导体制造技术领域。该方法采用PECVD工艺，在铜基底上于350℃沉积Si3N4作为停止层；在停止层上于180℃沉积SiO2作为图形化层；再于400℃沉积SiOxNy作为介电抗反射层。通过调...
    2026-03-20
  • 半导体器件及其制备方法、芯片、电子设备
    半导体器件及其制备方法、芯片、电子设备_苏州龙驰半导体科技有限公司_202511924015.1
    本申请提供一种半导体器件及其制备方法、芯片、电子设备。该方法包括提供基底，并图案化基底，以在基底中形成接触孔；形成阻挡层，阻挡层至少覆盖于接触孔的内壁上，阻挡层的材质为NiSix；执行沉积工艺形成导电材料层，导电材料层填充部分接触孔，并覆盖...
    2026-03-20
  • 一种半导体结构及其形成方法
    一种半导体结构及其形成方法_湖北江城芯片中试服务有限公司_202511819080.8
    本申请公开了一种半导体结构及其形成方法，其中形成方法包括提供第一晶圆，第一晶圆包括衬底、堆叠结构、第一停止层以及第一保护层；对第一晶圆进行图形化处理形成互连通孔；在形成互连通孔后，去除第一保护层，使第一停止层暴露；在去除第一保护层后，在互连...
    2026-03-20
  • 多孔阵列互连线的制备方法
    多孔阵列互连线的制备方法_上海傲睿科技有限公司_202511789889.0
    本发明提供了一种多孔阵列互连线的制备方法，首先，通过结构设计阶段的几何关系，预先确定侧壁倾角、介质层厚度与通孔间距的定量关系，为形成稳定的梯形或三角形支撑结构提供保障。其次，在工艺上，采用基于氧等离子体的灰化以及低选择比刻蚀技术，通过精确控...
    2026-03-20
  • 半导体结构及其制备方法
    半导体结构及其制备方法_深圳市昇维旭技术有限公司_202511748553.X
    本申请公开了一种半导体结构及其制备方法，制备方法包括：提供基底，在基底上部形成镶嵌的多个金属柱，其中，金属柱通过ALD工艺形成，金属柱的上表面与基底的上表面平齐；在基底和金属柱的上表面形成保护层；在保护层上形成具有多个开口的掩膜层，其中，多...
    2026-03-20
  • 芯片及其制备方法、电子设备
    芯片及其制备方法、电子设备_北京大学_202511656767.4
    本申请提供了一种芯片及其制备方法、电子设备；该芯片的制备方法包括：在晶圆背面形成低层金属层，其中，低层金属层中包括低层金属结构，低层金属结构与在晶圆正面形成的半导体器件电连接；在低层金属层上方，形成后道器件；至少基于后道器件，形成电压转换模...
    2026-03-20
  • 芯片及其制备方法、电子设备
    芯片及其制备方法、电子设备_北京大学_202511656761.7
    本申请提供了一种芯片及其制备方法、电子设备；该芯片的制备方法包括：在第一晶圆背面形成低层金属层，其中，低层金属层中包括低层金属结构，低层金属结构与在第一晶圆正面形成的半导体器件电连接；在第二晶圆正面形成高层金属层，其中，高层金属层中包括高层...
    2026-03-20
  • 半导体装置与其形成方法
    半导体装置与其形成方法_南亚科技股份有限公司_202411518145.0
    一种半导体装置，包含基板、主动栅极结构、虚设栅极结构，以及储存节点。基板包含主动区以及围绕主动区的隔离结构，其中隔离结构为双层结构，且隔离结构的平均介电常数为小于3.9。主动栅极结构设置于主动区中，虚设栅极结构设置于隔离结构中。储存节点设置...
    2026-03-20
  • BCD工艺中改善有源区CDU的方法
    BCD工艺中改善有源区CDU的方法_中国电子科技集团公司第二十四研究所_202511936662.4
    本发明公开了一种BCD工艺中改善有源区CDU的方法，包括：在所述硅衬底上依次淀积缓冲氧化层、SiN层和SiON层；通过光刻和刻蚀工艺在硅衬底上形成浅隔离沟槽；通过热氧化工艺形成高温氧化层；去除SiON层表面在热氧化工艺过程中形成的表面氧化层...
    2026-03-20
  • 一种自主修复辐照损伤的芯片系统及方法
    一种自主修复辐照损伤的芯片系统及方法_西安电子科技大学_202511810539.8
    本发明公开了一种自主修复辐照损伤的芯片系统及方法，包括功能芯片、温度传感器、介电导热层、射频加热器及隔热衬底；所述介电导热层作为桥接层用于将射频加热器的产生的热量传递到功能芯片，同时所述介电导热层也为功能芯片提供电绝缘；所述功能芯片作为退火...
    2026-03-20
  • 一种可转移衬底的半导体器件及其制备方法
    一种可转移衬底的半导体器件及其制备方法_安徽长飞先进半导体股份有限公司_202511909123.1
    本发明公开了一种可转移衬底的半导体器件及其制备方法，包括：基础衬底；半导体器件结构层，位于所述基础衬底一侧；可剥离中间层，位于所述基础衬底和所述半导体器件结构层之间；其中，所述可剥离中间层具有电穿透性，并且能够使所述基础衬底和所述半导体器件...
    2026-03-20
首页 上一页 3 下一页
技术分类

专利交易买卖与高校科技成果转化平台

主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务

Copyright ©龙图腾网 版权所有  营业执照  | 皖ICP备12007331号-2 lotut.com 皖公网安备 34010402703815号 中华人民共和国增值电信业务经营许可证