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  • 本申请提供一种芯片堆叠封装及其制作方法、电子设备,涉及堆叠封装领域,能够在提升散热性能的基础上,缩短封装周期(cycle time),并保持较高的互联密度。该芯片堆叠封装包括重布线层、第一芯片、基板、第二芯片、垂直连接结构、第一散热件、焊点...
  • 本发明公开一种陶瓷识别卡的封装工艺及封装设备,所述封装设备包括第一定位平台、第二定位平台、丝印刮胶机构、刷胶平台、第一移动模组,由第一定位平台和第二定位平台分别对上陶瓷基片和下陶瓷基片定位,然后由第一移动模组驱动上陶瓷基片与丝印网板底面贴合...
  • 本发明公开了一种一体化激光发射端和接收端腔体模压封装系统,涉及半导体器件制造技术领域,包括以下模块:基板预处理模块对PCB封装基板进行表面清洁、线路检测与修复,确保表面平整度;芯片固晶模块通过定制化DAF膜将芯片与基板温控压合固定,适配超小...
  • 本发明涉及微电子器件封装技术领域,具体公开了一种用于大功率器件的高导热低释气封装方法,包括:将陶瓷外壳放入烘箱中进行烘烤,以去除陶瓷外壳表面吸附的水分子及有机物;将烧结银胶涂覆在陶瓷外壳内部的芯片安装区域;将芯片放置在烧结银胶的表面;将芯片...
  • 本发明涉及半导体封装技术领域,提供了一种半导体面板级成型方法和系统,能够实现离型膜和树脂同步转移至下模型腔中。该方法包括以下步骤:S1、将离型膜平铺、吸附固定于托盘表面;S2、在离型膜上盖上托盘盖,所述托盘盖的框体内腔和离型膜之间形成容纳树...
  • 本发明属于半导体分立器件的封装技术领域,具体的说是一种半导体分立器件的封装装置及封装工艺,包括机体,所述机体的内部设置有平台,所述机体的上表面固接有第一液压缸,所述第一液压缸的输出端固接有模具框,所述机体的内部设置有切模组件,所述切模组件包...
  • 本发明公开了一种具有定位结构的芯片封装压膜装置及其使用方法,其技术方案要点是:一种具有定位结构的芯片封装压膜装置,包括封装台,所述封装台的顶面固定安装又定位板,所述定位板的顶面开设有若干个定位槽,所述封装台的顶面开设有两个安装槽,其中一个所...
  • 本发明公开了一种基于接触热阻优化的氮化镓芯片散热封装方法,涉及芯片封装技术领域,包括,对下DBC上铜层与上盖内底金属层进行表面处理,并同步开设微观接触结构;将氮化镓芯片翻转对位至下DBC上铜层,在真空条件下进行微凸点烧结,获得芯片子组件;在...
  • 本申请涉及一种功率芯片的并联倒装封装方法及并联功率芯片,该方法通过在具有相互穿插且隔离设置的共源极连接板、共栅极连接板的封装基板上制备与若干功率芯片的源极、栅极对应的焊盘凸点,将若干功率芯片并联封装在封装基板上,可有效解决现有通过打线并联多...
  • 提供了一种用于制造半导体封装的装置。该装置包括:卡盘,被配置为保持物体,其中,物体包括晶片到晶片接合结构,晶片到晶片接合结构包括边缘区域,并且在晶片之间在边缘区域中限定有间隙;以及供给结构,被配置为在晶片到晶片接合结构被保持在竖直方向上的同...
  • 本发明涉及芯片制造技术领域,公开了一种封装体及其焊桥结构,焊桥结构包括引线框架和焊桥,引线框架的焊接连接区设有至少一个限位孔,焊桥设有用于卡接设于限位孔内的限位插销。上述焊桥结构,焊桥可通过限位插销锁入引线框架的限位孔内,利用限位孔和限位插...
  • 一种半导体封装包括:具有第一表面和第二表面的基板;第一半导体芯片,在第二表面上并包括第三表面和第四表面,第三表面面对第二表面;第二半导体芯片,配置为基于第一供电电压操作并包括第五表面和第六表面,其中,第五表面面对第二表面,第六表面面对第一表...
  • 本发明提供了一种晶圆键合用施压机构,包括驱动组件和施压组件;驱动组件用于提供驱动力;施压组件包括可绕一固定支点摆动的旋转支架,以及由旋转支架驱动的摆臂;摆臂的末端设置有施压部;其中,驱动组件的输出端作用于旋转支架,将驱动力转换为旋转支架绕固...
  • 本发明揭示了一种芯片封装方法及芯片封装结构,芯片封装方法包括步骤,提供芯片封装组件,所述芯片封装组件包括相对设置的基板和芯片、初始围坝及第一金属凸起,初始围坝为柔性固体且连接基板和芯片;基板具有第一焊盘,芯片具有第二焊盘,第一金属凸起连接第...
  • 本发明涉及光电子器件封装技术领域,具体为一种OE模组合封方法,该方法包括:S1,获取待用硅基底和活化的待用PIC基板,清洗并活化PIC基板,获得待用PIC基板;S2,在待用PIC基板的感光区域处,将待用硅基底的清洗面和待用PIC基板的活化面...
  • 本发明涉及一种芯片封装结构,包括工作台,工作台顶面固定安装有第一支撑座、第一夹持构件、第二夹持构件、用于传输芯片的第一传输构件与用于传输基板的第二传输构件;基板上固定安装有多个与芯片上开设的定位孔相对应的定位柱,定位柱呈阵列分布在基板上,定...
  • 本发明公开了一种DFN封装器件的制造方法,包括将晶圆切割得到芯片;将芯片焊接在矩阵式金属框架上;采用导电材料连接芯片和汇流片;采用金属焊线连接芯片和金属片;用塑封材料塑封焊接好芯片的矩阵式金属框架;通过挂镀制程,对矩阵式金属框架露出的部分镀...
  • 本发明涉及芯片制备的技术领域,更具体地,涉及一种集成芯片焊盘的制备方法及其焊盘,制备方法包括如下步骤:S1.取铝焊盘层并对其进行除污清洗;S2.对铝焊盘层使用溶液浸泡法依次进行一次沉锌、硝酸退锌、二次沉锌,然后得到锌层;S3.对锌层使用溶液...
  • 本发明公开了基于蚀刻技术的车规芯片一体化封装制造工艺,包括步骤一,设计与基板准备;步骤二,芯片预处理;步骤三,芯片贴装与互连;步骤四,塑封与成型;步骤五,散热与加固;步骤六,图像旋转校正与缺陷检测;步骤七,后工序与测试;本发明利用蚀刻技术实...
  • 本发明涉及芯片串焊技术领域,公开了一种基于多排芯片串焊技术的三相功率桥制备工艺,其制备工艺包括以下步骤:S1、设计与布局,S2、多拍芯片贴装,S3、回流焊接与银烧结,S4、壳体组装与灌封,S5、测试与筛选。本发明通过设计覆铜陶瓷基板的布线图...
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