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最新专利技术
  • 一种用于GIS出线套管处的充气式分段防尘及防火封堵装置和方法
    一种用于GIS出线套管处的充气式分段防尘及防火封堵装置和方法_国网浙江省电力有限公司建设分公司_202511761042.1
    本发明公开了一种用于GIS出线套管处的充气式分段防尘及防火封堵装置和方法，装置包括：预埋防尘防火套管，贯穿于墙体，GIS出线套管穿过预埋防尘防火套管；外侧防尘气囊和内侧防尘气囊，均填充在GIS出线套管与预埋防尘防火套管的间隙，密封隔绝防尘；...
    2026-05-02
  • 一种基于对地电容电流的环网柜线路台账梳理方法
    一种基于对地电容电流的环网柜线路台账梳理方法_中国石油天然气股份有限公司_202411385953.4
    一种基于对地电容电流的环网柜线路台账梳理方法，属于电力技术领域。技术方案：采集电缆线路中每个环网柜中的三相相电流数据，终端研判标识分合闸信息；根据分闸信息和合闸信息，采集分闸前和合闸后电缆线路中每个环网柜中的三相相电流数据；结合设备的采集信...
    2026-05-02
  • 一种工厂配电柜用防触电防护结构
    一种工厂配电柜用防触电防护结构_郭永峰_202610188553.7
    本申请公开了一种工厂配电柜用防触电防护结构，属于电气设备安全防护技术领域，该防触电防护结构包括常闭结构，所述常闭结构包括固定安装在柜门远离配电柜体铰接一侧表面的铁块、设置在所述配电柜体一侧用于与所述铁块磁吸以锁合柜门的强磁铁以及设置在所述柜...
    2026-05-02
  • 一种耐高温烧蚀的气体火花开关W-Cu-CrNb电极及其制备方法
    一种耐高温烧蚀的气体火花开关W-Cu-CrNb电极及其制备方法_湘潭大学_202610167794.3
    本发明公开了一种耐高温烧蚀的气体火花开关W‑Cu‑CrNb电极及其制备方法，属于高功率脉冲技术领域。本发明通过在W‑Cu基体中添加特定原子百分比的Cr和Nb，并通过粉末冶金工艺，在烧结过程中于W‑Cu界面处生成金属间化合物Cr2Nb增强相，...
    2026-05-02
  • 发光模块
    发光模块_日亚化学工业株式会社_202511388536.X
    提供一种实现考虑到可安装性的小型发光模块的发光模块。发光模块具备发光装置和配线基板，所述发光装置具有一个或多个发光元件和配置该一个或多个发光元件的基体，所述配线基板具有包含安装发光装置的第一区域的安装面。配线基板具有用于将配线基板固定于基体...
    2026-05-02
  • 一种具有折射率扭折空穴注入层的氮化镓基半导体激光器
    一种具有折射率扭折空穴注入层的氮化镓基半导体激光器_安徽格恩半导体有限公司_202610025515.X
    本发明提出了一种具有折射率扭折空穴注入层的氮化镓基半导体激光器，包括从下至上依次设置的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、上限制层和接触层，所述上波导层与上限制层之间设置有折射率扭折空穴注入层，所述折射率扭折空穴注入层的SIMS测试...
    2026-05-02
  • 一种具有应变波导层的氮化镓基半导体激光器
    一种具有应变波导层的氮化镓基半导体激光器_安徽格恩半导体有限公司_202610025524.9
    本发明提出了一种具有应变波导层的氮化镓基半导体激光器，包括从下至上依次设置的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、第一上限制层、电子阻挡层、第二上限制层和接触层，所述下波导层包括第一下波导层和第二下波导层，且所述第一下波导层位于所述第...
    2026-05-02
  • 一种外腔光栅加环超窄线宽激光器
    一种外腔光栅加环超窄线宽激光器_聚光科芯(合肥)光电子有限公司_202512008834.8
    本发明涉及半导体激光器技术领域，具体为一种外腔光栅加环超窄线宽激光器，包括：激光增益芯片；低光能损耗BRAGG光栅光波导，设置在所述激光增益芯片的右侧且与所述激光增益芯片耦合对接；低光能损耗环形谐振光波导，设置在所述低光能损耗BRAGG光栅...
    2026-05-02
  • 一种外腔光栅加环超窄线宽激光器
    一种外腔光栅加环超窄线宽激光器_聚光科芯(合肥)光电子有限公司_202512008475.6
    本发明涉及半导体激光器技术领域，具体为一种外腔光栅加环超窄线宽激光器，包括：激光增益芯片；低光能损耗BRAGG光栅光波导，设置在所述激光增益芯片的右侧且与所述激光增益芯片耦合对接；低光能损耗环形谐振光波导，设置在所述低光能损耗BRAGG光栅...
    2026-05-02
  • 一种基于螺旋式铌酸锂波导电控高速可调谐激光器
    一种基于螺旋式铌酸锂波导电控高速可调谐激光器_聚光科芯(杭州)光电子科技有限公司_202511725626.3
    本发明涉及半导体激光器技术领域，具体为一种基于螺旋式铌酸锂波导电控高速可调谐激光器，包括：衬底；衬底开口，开设于所述衬底的上端面；增益芯片，设置于所述衬底开口内部；铌酸锂薄膜光波导，设置于衬底的上端面；还包括，准直透镜、光学标准具和反射镜；...
    2026-05-02
  • 一种异构相位相干阵半导体激光器及制备方法
    一种异构相位相干阵半导体激光器及制备方法_北京工业大学_202610017338.0
    本发明公开了一种异构相位相干阵半导体激光器及制备方法，包括自下而上依次设置的N面电极、N型衬底、N型DBR层、有源层、P型DBR层和P面电极；有源层与N型DBR层之间设有N面异构相位层和/或有源层与P型DBR层之间设有P面异构相位层，N面异...
    2026-05-02
  • 一种边发射激光器外延结构及其制备方法
    一种边发射激光器外延结构及其制备方法_徐州仟目科技集团有限公司_202512044452.0
    本发明公开了一种边发射激光器外延结构及其制备方法。本发明解决了现有磷化铟基激光器中电子迁移率远大于空穴迁移率所带来的载流子注入不匹配，以及随之而来的激光器光电转换效率过低，发热偏高，器件输出功率受限的问题。通过在N区分别限制层(n‑SCH)...
    2026-05-02
  • 基于两不同光栅且相位间隔λ/2平面金属光栅激光器
    基于两不同光栅且相位间隔λ/2平面金属光栅激光器_聚光科芯(苏州)光电子科技有限公司_202511834490.X
    本发明属于光电子器件技术领域，特别涉及基于两不同光栅且相位间隔λ/2平面金属光栅激光器，包括 : 增益芯片、增益芯片光波导、光栅光波导衬底、脊背光波导以及平面金属光栅。本发明采用独特的外腔结构，通过两个光栅常数相近且相位差λ/2的金属平面光...
    2026-05-02
  • 一种基于平面金属光栅的超窄线宽可调波长外腔激光器
    一种基于平面金属光栅的超窄线宽可调波长外腔激光器_聚光科芯(合肥)光电子有限公司_202511757405.4
    本发明涉及半导体激光器技术领域，具体为一种基于平面金属光栅的超窄线宽可调波长外腔激光器，包括：增益芯片，所述增益芯片左右端面分别镀设有高反射膜和第一增透膜；所述增益芯片右侧设置有平面金属光栅波导，所述增益芯片的右端面与所述平面金属光栅波导的...
    2026-05-02
  • 一种基于顶部金属反射光栅的紧凑型超窄线宽外腔激光器
    一种基于顶部金属反射光栅的紧凑型超窄线宽外腔激光器_聚光科芯(合肥)光电子有限公司_202511752734.X
    本发明涉及半导体激光器技术领域，具体为一种基于顶部金属反射光栅的紧凑型超窄线宽外腔激光器，包括：增益芯片，所述增益芯片左端面镀设有高反射膜，所述增益芯片右端面镀设有第一增透膜；所述增益芯片右侧设置有金属光栅波导，所述增益芯片的右端面与所述金...
    2026-05-02
  • 基于双金属布拉格光栅和顶面HR反射膜的激光器
    基于双金属布拉格光栅和顶面HR反射膜的激光器_宁波吉亚科技咨询有限公司_202511728014.X
    本发明涉及半导体激光器技术领域，具体为基于双金属布拉格光栅和顶面HR反射膜的激光器，包括：增益芯片，所述增益芯片左端面镀设有第一高反射HR膜，所述增益芯片右端面镀设有第一增透AR膜。所述增益芯片右侧设置有金属布拉格光栅波导，所述增益芯片的右...
    2026-05-02
  • 侧向掩埋光栅DFB激光器及其制备方法
    侧向掩埋光栅DFB激光器及其制备方法_北京邮电大学_202511828683.4
    本发明提供一种侧向掩埋光栅DFB激光器及其制备方法，通过N型接触层、N型限制层、有源层、P型限制层及P型接触层的层叠设置，侧向光栅掩埋于脊波导两侧并靠近有源层，利用侧向光栅与有源层光场的横向耦合机制，使得光栅耦合系数主要取决于侧向距离而非刻...
    2026-05-02
  • 一种基于顶部金属光栅可调谐TFLN薄膜铌酸锂ECL激光器
    一种基于顶部金属光栅可调谐TFLN薄膜铌酸锂ECL激光器_聚光科芯(合肥)光电子有限公司_202511719939.8
    本发明涉及半导体激光器技术领域，具体为一种基于顶部金属光栅可调谐TFLN薄膜铌酸锂ECL激光器，包括：光增益芯片；TFLN薄膜铌酸锂光波导，设置在所述光增益芯片的右侧且与所述光增益芯片的右端面抵接；光隔离器，设置在所述TFLN薄膜铌酸锂光波...
    2026-05-02
  • 一种基于顶部金属光栅可调谐TFLN薄膜铌酸锂DBR激光器
    一种基于顶部金属光栅可调谐TFLN薄膜铌酸锂DBR激光器_聚光科芯(合肥)光电子有限公司_202511719798.X
    本发明涉及半导体激光器技术领域，具体为一种基于顶部金属光栅可调谐TFLN薄膜铌酸锂DBR激光器，包括：光增益芯片；TFLN薄膜铌酸锂光波导，设置在所述光增益芯片的左侧且与所述光增益芯片的左端面抵接；光隔离器，设置在所述光增益芯片的右侧；光放...
    2026-05-02
  • 一种激光器消光比自适应控制电路及方法
    一种激光器消光比自适应控制电路及方法_厦门亿芯源半导体科技有限公司_202610025911.2
    一种激光器消光比自适应控制电路及方法，属于光通信技术领域，本发明为解决传统激光器消光比控制方案因依赖间接温度补偿和片外大电容滤波而导致的控制不精确、响应速度慢的问题。本发明提出一种双闭环直接反馈控制架构。电路包括驱动调制模块、信号监测模块、...
    2026-05-02
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