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最新专利技术
  • 半导体装置
    半导体装置_罗姆股份有限公司_202480056586.5
    半导体装置包括半导体元件，该半导体元件包括形成在元件表面的表面电极。元件表面包括形成有功率晶体管的有源区域和形成有对功率晶体管进行控制的控制电路的控制电路区域。有源区域形成为将控制电路区域从第二方向的两侧及第一方向的单侧包围。表面电极配置在...
    2026-04-10
  • 各向异性导电基板及其使用方法
    各向异性导电基板及其使用方法_BAE系统信息和电子系统集成有限公司_202480052697.9
    一种由批量产品制作至少一个通用基板的方法。该方法包括以下步骤：提供具有预定轮廓的预制件；将多个导体缠绕在该预制件的外表面上；在多个导体的导体之间注入非导电基质，其中非导电基质渗透在多个导体的间隙空间之间，以将多个导体的一些导体彼此隔离；形成...
    2026-04-10
  • 基板厚度测定装置、基板贴合系统以及基板厚度测定方法
    基板厚度测定装置、基板贴合系统以及基板厚度测定方法_株式会社斯库林集团_202480056562.X
    在预对准单元(PU)中，偏离校正致动器(1300)校正基板(W)相对于台(100)的位置偏离。厚度计算部(1912)在基板(W)旋转的期间，基于第一光源头(1710)测定直至基板(W)的上表面(Wa)为止的距离而得到的测定结果以及第二光源头...
    2026-04-10
  • 基板保持装置、贴合装置、基板保持方法以及贴合方法
    基板保持装置、贴合装置、基板保持方法以及贴合方法_株式会社斯库林集团_202480056780.3
    基板保持装置(100)具备保持机构(110)以及变形机构(170)。保持机构(110)吸附并保持基板(W)。变形机构(170)使保持机构(110)变形。保持机构(110)具有夹具(130)以及基座(120)，基座(120)安装有夹具(130...
    2026-04-10
  • 晶片支撑台及RF棒
    晶片支撑台及RF棒_日本碍子株式会社_202380036439.7
    晶片支撑台20具备：陶瓷基体21，其具有晶片载放面21a，且植入有RF电极22和加热器电极27；孔21c，其从陶瓷基体21中的与晶片载放面21a相反一侧的面朝向RF电极22而设置；以及RF棒30，其向RF电极22供给高频电力，且前端30a接...
    2026-04-10
  • 半导体制造装置和膜切断机构
    半导体制造装置和膜切断机构_帝国贴膜系统株式会社_202480055418.4
    提供一种膜粘贴装置(1)，其具备：载置半导体芯片W的台(2)，将台(2)上所载置的半导体芯片(W)所粘贴的光致抗蚀剂膜(6)利用激光(LS)进行切断的切断单元(19)。切断单元(19)包含激光源(61)和将激光源(61)发出的激光(LS)的...
    2026-04-10
  • 半导体制造胶带用基材膜
    半导体制造胶带用基材膜_日本他喜龙希爱株式会社_202480055326.6
    半导体制造胶带用基材膜(1)具有功能层(2)和设置在功能层(2)的至少一侧上的表面层(3)，功能层(2)含有1‑丁烯的均聚物、戊烯的共聚物以及烯烃类弹性体，烯烃类弹性体相对于功能层(2)整体的含量为10质量%以上且40质量%以下，功能层(2...
    2026-04-10
  • 电子元件的转移设备及转移设备的控制方法
    电子元件的转移设备及转移设备的控制方法_京东方科技集团股份有限公司_202480002721.8
    一种电子元件的转移设备，包括：基台(100)、第一载台(300)和第二载台(400)，在更换新的第二载台(400)后，电子元件的转移设备可以通过安装在第一载台(300)上的第一检测模块(900)获取第二载台(400)的第二承载面(P2)相对...
    2026-04-10
  • 基片处理系统和可移动式维护装置
    基片处理系统和可移动式维护装置_东京毅力科创株式会社_202480057187.0
    本发明的基片处理系统包括基片处理装置、维护装置和控制装置，上述基片处理装置包括基片处理模块和真空输送模块，上述真空输送模块包括：具有第一开口部和第二开口部的真空输送腔室，上述真空输送腔室能够经由上述第一开口部与上述基片处理模块连接；和第一平...
    2026-04-10
  • 基片处理装置和基片处理方法
    基片处理装置和基片处理方法_东京毅力科创株式会社_202480056602.0
    本发明的基片处理装置包括：承载器区块；处理区块，其相对于上述承载器区块设置于左右的一侧，包括彼此层叠的多个处理模块、和由上述多个处理模块共用的输送基片的第一输送机构；涂敷膜形成模块，其构成上述多个处理模块中的一个处理模块；等离子体处理区块，...
    2026-04-10
  • 无升降销的基板装载与暂存
    无升降销的基板装载与暂存_科迪华公司_202380100625.2
    一种用于处理基板的方法和装置。一种处理系统，包括：具有间断式气浮基板支撑件的暂存区；耦合至所述暂存区的处理区，所述处理区具有气浮基板支撑件；用于在所述暂存区和所述处理区之间移送基板的移送部件；以及，用于在基板于所述暂存区和所述处理区之间移动...
    2026-04-10
  • 将气体分配到容器的方法及装置
    将气体分配到容器的方法及装置_恩特格里斯公司_202480056454.2
    提供一种用于将冲洗气体的流供应或分配到衬底容器中的方法及冲洗气体组合件。所述冲洗气体组合件包含：气体分配器，其包括至少一个出口；及冲洗模块，其包括用于接收冲洗气体的流的入口、止回阀及出口。所述气体分配器及冲洗模块的组合形成腔室。所述腔室经配...
    2026-04-10
  • 衬底耦合系统
    衬底耦合系统_ASML荷兰有限公司_202480057385.7
    当前的衬底(例如，半导体晶片)耦合(例如，键合)工艺控制方法使用经测量的衬底平整度和形状来控制耦合工艺。由于当前的耦合工艺高度依赖于衬底材料性质，因此当前的设备配置和耦合工艺引入了高度的衬底(例如，半导体晶片边缘)形变和显著的衬底至衬底形变...
    2026-04-10
  • 用于精确膜测量的信噪比校正方法
    用于精确膜测量的信噪比校正方法_应用材料公司_202480057358.X
    本文提供的本公开内容的实施例包括用于整合原位反射测量的外延腔室中改善的信噪比校正的系统和方法。该系统包括处理腔室和被配置为使基板旋转的基座组件。原位反射测量(ISR)系统耦接至处理腔室并且被配置为接收指示基座组件上的基板性质的ISR信号。控...
    2026-04-10
  • 基板清洗装置及利用其的基板清洗方法
    基板清洗装置及利用其的基板清洗方法_克赛米有限公司_202480056119.2
    本发明的一实施例提供基板清洗装置及利用其的基板清洗方法，所述基板清洗装置包括：基板旋转模块，对用于进行清洗的基板进行支撑固定，并以虚拟的中心轴线为准使所述基板旋转；药液供给模块，具有用于向所述基板的上部面供给药液的上部药液供给部及用于向所述...
    2026-04-10
  • 流体供给系统、基板处理装置以及基板处理方法
    流体供给系统、基板处理装置以及基板处理方法_东京毅力科创株式会社_202480056469.9
    本发明的一个方式所涉及的流体供给系统是向处理形成有液膜的基板的处理容器内供给处理流体的流体供给系统，其具有：循环流路，与流体供给源连接，使所述处理流体进行循环；供给流路，将所述循环流路与所述处理容器相连接，从所述循环流路向所述处理容器内供给...
    2026-04-10
  • 基板处理方法和基板处理系统
    基板处理方法和基板处理系统_东京毅力科创株式会社_202480053902.3
    一种基板处理方法，用于对基板进行处理，所述基板处理方法包括：基于对基板的第一表面和第二表面进行蚀刻之前的基板的第一厚度，使用最优化方法以使蚀刻后的所述第一表面的表面形状成为目标形状的方式来决定第一最优蚀刻条件，并且使用最优化方法以使蚀刻后的...
    2026-04-10
  • 上部组件及基板处理装置
    上部组件及基板处理装置_东京毅力科创株式会社_202480055805.8
    公开的上部组件包括顶板、基座部件以及至少一个致动器。顶板配置在基板处理装置的腔室内的处理空间上。基座部件配置在顶板上。至少一个致动器构成为，将顶板吊起，将该顶板相对于基座部件施力。
    2026-04-10
  • 等离子体处理装置
    等离子体处理装置_东京毅力科创株式会社_202480053438.8
    本发明的等离子体处理装置包含：处理容器，其在内部具有生成等离子体的等离子体处理空间；基片支承部，其在所述处理容器的内部支承基片。所述处理容器和/或所述基片支承部通过将多个构件组装而构成，从而具有将所述多个构件彼此连结的多个边界。所述多个边界...
    2026-04-10
  • 在基板的包含斜面部的外周部形成保护膜的成膜方法
    在基板的包含斜面部的外周部形成保护膜的成膜方法_株式会社荏原制作所_202480049391.8
    在半导体制造工序中，以通过制造工序不会发生制造上的不良情况的方式维持基板的外周部的状态。一种在基板的包含斜面部的外周部形成保护膜的成膜方法，包含：在所述基板的表面和背面中的至少一面中遍及所述外周部的整周实施修边加工的工序；及在所述外周部形成...
    2026-04-10
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