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最新专利技术
  • 一种改善砷化镓器件氧化铝钝化层蚀刻窗口的制造方法
    一种改善砷化镓器件氧化铝钝化层蚀刻窗口的制造方法_福建省福联集成电路有限公司_202610175000.8
    本发明涉及砷化镓半导体器件制造技术领域，本发明涉及一种改善砷化镓器件氧化铝钝化层蚀刻窗口的制造方法，方法为：通过优化工艺流程，在第一钝化层开口时保留切割道区域的氮化硅；沉积第二金属电极和Al2O3钝化层后，采用“两步蚀刻”策略，先以SF6+...
    2026-05-10
  • 一种化合物薄膜异质结及其制备方法与应用
    一种化合物薄膜异质结及其制备方法与应用_河南省科学院量子材料与物理研究所_202610176218.5
    本发明公开了一种化合物薄膜异质结及其制备方法与应用，属于半导体制造与纳米材料技术领域。所述制备方法包括：提供具有AxBy薄膜的衬底，其中A为金属元素，B为硫族元素，利用离子束对AxBy薄膜进行离子辐照，利用离子束对薄膜中不同元素的本征溅射产...
    2026-05-10
  • 选通管、制造选通管的方法、芯片、电子组件和电子设备
    选通管、制造选通管的方法、芯片、电子组件和电子设备_华为技术有限公司_202610181124.7
    本申请的实施例提供了一种选通管、用于制造选通管的方法、芯片、电子组件和电子设备。该选通管包括第一电极、第二电极、多个介质层、以及第一隔离层。多个介质层位于第一电极和第二电极之间，并且包括第一介质层和第二介质层。第二介质层包围第一介质层。第一...
    2026-05-10
  • 一种高稳定大窗口的全光相变类脑计算材料与器件
    一种高稳定大窗口的全光相变类脑计算材料与器件_西安交通大学_202610104539.4
    本发明公开了一种高稳定大窗口的全光相变类脑计算材料与器件，所述器件结构自下而上依次为衬底、光波导层、介质层、相变层和顶部防氧化层；所述器件相变层为锗富集的锗锑碲相变材料，化学式为GexSbyTez，其中25≤x≤50, 15≤y≤25, 3...
    2026-05-10
  • 亚稳态二维材料器件及其制备方法
    亚稳态二维材料器件及其制备方法_清华大学_202511889188.4
    本申请涉及器件技术领域，尤其涉及亚稳态二维材料器件及其制备方法。所述方法包括以下步骤：对聚对苯二甲酸乙二醇酯膜进行图案化激光切割处理，得到掩膜板；在所述掩膜板的一侧表面设置基底，所述基底朝向所述掩膜板的一侧的部分表面具有亚稳态二维材料层，所...
    2026-05-10
  • 一种机械式忆阻器及其制备方法
    一种机械式忆阻器及其制备方法_深圳清华大学研究院_202610133784.8
    本发明公开了一种机械式忆阻器及其制备方法，所述机械式忆阻器包括：由上至下依次层叠的金膜层、单晶石墨层以及衬底层；两个相同的所述单晶石墨层对称设置在所述衬底层的上端，两个所述单晶石墨层的中间区域形成下沟道；所述金膜层分别跨设两侧的单晶石墨层上...
    2026-05-10
  • 磁传感器及其制造方法
    磁传感器及其制造方法_TDK株式会社_202511556484.2
    本发明涉及一种磁传感器及其制造方法。磁传感器(1)具有至少一个磁场检测元件(2)和至少一个第一软磁性层(3)。至少一个磁场检测元件(2)具有第一磁化固定层(63)、磁化方向相对于外部磁场变化的磁化自由层(61)、以及第一非磁性层(62)。第...
    2026-05-10
  • 自旋电子器件、制备方法及其应用
    自旋电子器件、制备方法及其应用_湖北大学_202512055481.7
    本发明公开了一种自旋电子器件、制备方法及其应用，其中制备方法包括以下步骤：步骤1、在真空条件下在衬底表面沉积Pt薄膜层，再对Pt薄膜层进行原位氩等离子体处理；步骤2、在步骤1处理后的Pt薄膜表面依次沉积Py铁磁层和SiN2层。本发明工艺简单...
    2026-05-10
  • 磁阻式随机存取存储器及其制作方法
    磁阻式随机存取存储器及其制作方法_联华电子股份有限公司_202411632039.5
    本发明公开一种磁阻式随机存取存储器及其制作方法，其中该制作磁阻式随机存取存储器(Magnetoresistive Random Access Memory, MRAM)元件的方法主要先提供一基底包含一MRAM区域以及一逻辑区域，然后形成第一...
    2026-05-10
  • 半导体结构的形成方法
    半导体结构的形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202411580183.9
    本发明提供一种半导体结构的形成方法，包括提供第一基底；在所述第一基底上进行一次或多次金属堆叠操作，所述金属堆叠操作包括：提供第二基底；在所述第二基底上形成金属层；对所述第二基底和所述金属层执行分离操作，并将所述金属层转移至所述第一基底上。采...
    2026-05-10
  • 一种具有增强电极的压电复合材料及制备方法
    一种具有增强电极的压电复合材料及制备方法_中国船舶集团有限公司第七一五研究所_202610141630.3
    本发明涉及一种具有增强电极的压电复合材料及制备方法，包括：压电陶瓷阵列、分别位于所述压电陶瓷阵列上、下表面的上层增强电极和下层增强电极以及填充于上层增强电极、压电陶瓷阵列、下层增强电极之间的缝隙中的聚合物。本发明从根本上提升了电极的机械强度...
    2026-05-10
  • 振动装置
    振动装置_荣成歌尔微电子有限公司_202512031899.4
    本发明属于力反馈技术领域，具体涉及一种振动装置。本发明中的压电陶瓷设于主体部的一侧，主体部朝向压电陶瓷的一侧设有第一焊盘，压电陶瓷朝向主体部的一侧设有第二焊盘，第一焊盘和第二焊盘电连接，主体部和压电陶瓷之间连接有第一连接胶体，第一连接胶体分...
    2026-05-10
  • 压电器件以及超声波器件
    压电器件以及超声波器件_精工爱普生株式会社_202511598282.4
    本发明提供压电器件以及超声波器件，振动板的变形量大。压电器件具备：基板，其具有振动区域和围绕所述振动区域的非振动区域；第一电极，其跨越所述振动区域和所述非振动区域而设置；第二电极，其配置于所述振动区域的内部，与所述第一电极分离配置；压电体，...
    2026-05-10
  • 双铝层掺杂的铪锆氧化物铁电薄膜材料及制备方法和应用
    双铝层掺杂的铪锆氧化物铁电薄膜材料及制备方法和应用_南方电网科学研究院有限责任公司_202610199480.1
    本申请属于铁电材料技术领域，尤其涉及双铝层掺杂的铪锆氧化物铁电薄膜材料及制备方法和应用；本申请提供的双铝层掺杂的铪锆氧化物铁电薄膜材料的制备方法，通过原子层沉积工艺制备HZO薄膜和双铝层氧化物薄膜，双铝层氧化物薄膜掺杂在HZO薄膜材料中，在...
    2026-05-10
  • 一种基于压电薄膜的驱动感应装置的制备方法
    一种基于压电薄膜的驱动感应装置的制备方法_安徽华鑫微纳集成电路有限公司_202610153639.6
    本发明公开了一种基于压电薄膜的驱动感应装置的制备方法，涉及半导体技术领域，本发明通过对第一电极层、感应/驱动层、第二电极层和振动功能层进行同时刻蚀，区别于现有技术中对多层薄膜进行分别刻蚀，在整个刻蚀过程中无需考虑套刻误差。另外，由于同时刻蚀...
    2026-05-10
  • 一种高灵敏度PMUT及其制备方法
    一种高灵敏度PMUT及其制备方法_中国电子科技集团公司第二十六研究所_202610165039.1
    本发明属于传感器领域，具体涉及一种高灵敏度PMUT及其制备方法，制备方法包括制备压电微机械超声换能器的振膜结构，其包括从下至上的硅基底、埋氧层、被动层、下电极层、压电层及上电极层；在压电微机械超声换能器的振膜结构的非锚固区域和/或中心振动区...
    2026-05-10
  • 一种低温P型热电材料及其制备方法与应用
    一种低温P型热电材料及其制备方法与应用_浙江先导热电科技股份有限公司_202511949853.4
    本发明涉及热电半导体材料领域，为了解决P型热电材料在低温环境下存在显著问题，本发明提供了一种低温P型热电材料及其制备方法与应用，所述的P型热电材料的化学式为BixSb2‑xTe3My，其中，x=0.5‑0.7，y=0.001‑0.003，M...
    2026-05-10
  • 一种复合P型碲化铋基材料及其制备方法
    一种复合P型碲化铋基材料及其制备方法_浙江先导热电科技股份有限公司_202511974601.7
    本发明属于热电材料技术领域，为了提高热电材料的热电性能，本发明提供一种复合P型碲化铋基材料及其制备方法，复合P型碲化铋基材料包括P型碲化铋基体的化学式为Bi0.5Sb1.5Te3.2，及用于复合的化合物，所述复合化合物的化学式选自Cu2Ge...
    2026-05-10
  • 一种半导体制冷器加工工艺
    一种半导体制冷器加工工艺_浙江先导热电科技股份有限公司_202511940568.6
    本发明公开了一种半导体制冷器加工工艺，旨在解决半导体制冷器加工效率低，容易出现混料现象的不足。该发明包括以下步骤：S1，将定位治具装入振动框中，定位治具包括底板和格栅板，通过振动使半导体粒子落入到格栅板上的定位孔中；S2，在两印刷治具上装载...
    2026-05-10
  • 一种热电发电器件制作方法
    一种热电发电器件制作方法_浙江先导热电科技股份有限公司_202511625661.8
    本发明公开了一种热电发电器件制作方法，旨在解决现有的热电发电器件耐受温度低，影响发电效率的不足。该发明包括以下步骤：S1，在热电材料表面附着保护层，并切割热电材料形成热电粒子；S2，将热电粒子排列摆放到定位模具中；S3，向定位模具中倒入耐热...
    2026-05-10
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