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  • 本发明提供一种外延结构及其制备方法, 采用MOCVD方法沉积生长外延结构, 外延结构包括由下至上依次层叠设置的衬底、N型半导体层、QW‑QB‑QDs耦合层和P型半导体层;其中, 所述QW‑QB‑QDs耦合层包括由下至上生长至少一周期的QW层...
  • 本申请提供了一种深紫外发光二极管, 包括依次层叠的衬底、电子注入层、量子阱有源层、电子阻挡层以及空穴注入层;所述量子阱有源层包括交替层叠设置的M层势垒层和N层势阱层, M为大于或等于2的整数, N为大于或等于1的整数, 任意相邻两个所述势垒...
  • 本发明涉及太阳能电池技术领域, 公开一种太阳能电池组件及光伏系统, 太阳能电池组件包括电池串、汇流条和焊带。电池串包括串联的多个电池片, 多个电池片包括以基准线为起点依次布置的第一电池片和第二电池片;汇流条设于第二电池片的背光面, 并位于靠...
  • 本申请公开了一种背接触式光伏组件, 属于光伏组件技术领域。电池片包括依次叠置的基底、掺杂层和钝化减反层, 第一掺杂层和第二掺杂层均沿第一方向延伸且沿第二方向交替间隔排布, 相邻的两个第一掺杂层和第二掺杂层之间具有沿第一方向延伸的隔离区;集电...
  • 本发明提供了一种太阳能电池、电池串和光伏组件, 涉及光伏技术领域。太阳能电池包括:电池本体;电极结构, 包括:若干互联部, 电极结构与电池本体电连接;至少一个互联部覆盖的表面区域包括:绒面区域和抛光面区域;至少一个互联部与其下覆盖的至少部分...
  • 本发明实施例公开了基于硼梯度掺杂金刚石同质结的自驱动紫外探测器及其制备方法;该探测器包括:硼梯度掺杂金刚石衬底;硼梯度掺杂金刚石衬底包括硼掺杂浓度较低的区域和硼掺杂浓度较高的区域;电极;电极包括两个, 分别设置在硼掺杂浓度较低的区域和硼掺杂...
  • 本发明公开了半导体生产制造技术领域的一种太阳能电池硅片矫正装置, 包括限位输送机构、两组扭转输送机构和驱动件, 限位输送机构安装于设备支架的顶部中心处, 限位输送机构的顶部形成有用于限制硅片侧边偏移的输送凹槽, 两组扭转输送机构设置于限位输...
  • 本公开提供太阳能电池及其制备方法, 太阳能电池的制备方法包括:使用第一浆料在硅片上形成副栅接触短线;使用第二浆料在硅片上形成主栅连接线和副栅, 其中, 副栅与相应的副栅接触短线垂直且电连接, 主栅连接线和副栅垂直且电连接, 第一浆料中的银的...
  • 本发明提供了一种隧穿氧化层及其制备方法和在制备TOPCon电池中的应用, 涉及太阳能电池的技术领域, 所述隧穿氧化层的制备方法包括以下步骤:通入TEOS和O2, 在硅基体上沉积隧穿氧化层;其中, 所述隧穿氧化层的沉积时间为3‑10s。本发明...
  • 本发明提供了一种TBC电池制备方法及TBC电池, 涉及太阳能电池的技术领域, TBC电池制备方法包括以下步骤:在硅基体背面依次制备第一隧穿氧化层和第一多晶硅层, 在第一多晶硅层的预设正电极区域制备掩膜层, 之后去除硅基体背面预设负电极区域中...
  • 本发明提供了一种TOPCon电池的制备工艺和TOPCon电池, 具体涉及太阳能电池制备技术领域。该制备工艺是将TOPCon蓝膜片依次进行激光开槽、激光退火、酸洗、电镀栅线和光注入得到所述TOPCon电池。本发明提供的TOPCon电池的制备工...
  • 本发明提供了一种Topcon电池隧穿氧化层的制备方法、Topcon电池, 涉及太阳能电池技术领域, 包括以下步骤:电池片生长隧穿氧化层后, 通过H2和N2对该隧穿氧化层进行修补处理, 得到修补后的隧穿氧化层;其中, 修补处理的温度为600℃...
  • 一种图像传感器包括:包括像素的像素阵列、以及连接到像素的外围电路。每个像素包括第一光电二极管、具有比第一光电二极管的光接收面积小的光接收面积的第二光电二极管、以及将第一光电二极管和第二光电二极管连接到外围电路的像素电路。外围电路通过在第一曝...
  • 一种图像传感器包括:衬底, 包括多个像素, 所述多个像素分别包括光电转换区域;电容器结构, 位于衬底上;电容器绝缘层, 位于电容器结构之间的间隔中;以及外部通路结构, 位于电容器结构之间的间隔中并且穿透电容器绝缘层。电容器结构包括:导电板层...
  • 本公开涉及电子设备。一种电子设备包括像素。该像素包括:光电二极管;包括第一半导体区域和第二半导体区域的电荷转移通道, 其中第二区域通过第一区域与光电二极管分开;以及围绕通道的沟槽, 其中沟槽包括第一导电芯和第二导电芯以及绝缘护套。第一芯横向...
  • 本申请涉及一种具有光吸收材料阵列的光检测器。装置(200)包含具有表面(102a)的半导体衬底(102)。所述装置(200)包含:在所述衬底(102)中的第一区(121), 其具有第一掺杂剂;在所述衬底(102)中的第二区(122), 其具...
  • 本申请提供一种图像传感器及其制备方法, 包括:提供器件衬底, 在器件衬底上形成第一牺牲层、第一外延层、第二牺牲层和第二外延层;形成贯穿第二外延层、第二牺牲层、第一外延层、第一牺牲层并延伸至器件衬底中的多个支撑柱;形成释放沟槽;去除第一牺牲层...
  • 本发明提供了一种电子探测器及其制备方法, 属于半导体技术领域。该电子探测器包括阵列布置的多个像元单元, 所述像元单元包括依次层叠布置的衬底层、吸收层和导电功能层, 所述吸收层远离所述衬底层的一侧设有探测结构和保护环结构, 所述保护环结构围绕...
  • 本发明公开嵌套式多孔多层结构的半绝缘砷化镓光电导开关, 包括有由下至上依次设置的底层单元及GaAs层;GaAs层上表面开设有组合孔单元;GaAs层上表面铺设有复合镀膜层, 复合镀膜层用于填充组合孔单元;复合镀膜层内嵌有正极及负极, 正极及负...
  • 本申请涉及光伏发电技术领域, 提供了一种高强度不锈钢边框与背板的光伏组件产品结构, 包括玻璃组件、设置于所述玻璃组件下方的电池片层、设置于电池片层下方的不锈钢瓦楞背板, 以及分别设置于所述玻璃组件两侧长边外侧的不锈钢边框;不锈钢瓦楞背板的两...
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