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自行车,非机动车装置制造技术
  • 一种无人机灭火用的无后座力装置
    一种无人机灭火用的无后座力装置_夏伟君_202520534600.X
    本实用新型公开了一种无人机灭火用的无后座力装置，包括设置在无人机上的支架、控制箱、动力装置以及灭火使用的喷射伸缩管，所述支架的下端中部设置有万向轴，所述万向轴的下端设置有与喷射伸缩管连接的中心连接器，所述中心连接器的下端设置有灭火剂接入端，...
    2026-01-17
  • 一种前后腿结构不对称的四足机器人
    一种前后腿结构不对称的四足机器人_成都智速引擎科技有限公司_202511830514.4
    本发明公开了一种前后腿结构不对称的四足机器人，涉及仿生机器人技术领域，包括机身，机身由上盖和下壳体连接构成；上连接片和下连接片，分别横向安装在机身的顶部与底部；头部，安装于上连接片和下连接片之间且位于机身的前部；两条后腿，对称布置于机身的后...
    2026-01-17
  • 一种基于快速定位功能的工程审计用比对分析装置
    一种基于快速定位功能的工程审计用比对分析装置_南京审计大学_202511689042.5
    本发明公开了一种基于快速定位功能的工程审计用比对分析装置，涉及检测分析设备技术领域，包括分析车，所述分析车由驱动底盘、驾驶室和中控单元组成，比对分析装置还包括红外测量仪、支撑装配板、反馈组件和四个支撑组件，所述红外测量仪设置在驾驶室上，所述...
    2026-01-17
  • 安全稳定型跨越式封网作业设备
    安全稳定型跨越式封网作业设备_国家电网有限公司_202511208313.0
    本发明提供一种安全稳定型跨越式封网作业设备，包括车体，车体上铰接设有升降架，车体上设有用于调节升降架倾斜角度的液压缸一；升降架的顶端设有顶板，顶板上设有跨越组件，升降架、跨越组件之间设有液压缸二；跨越组件包括多个承托板架，承托板架通过连接架...
    2026-01-17
  • 一种蓝宝石基氮化镓PHEMT设计方法、系统及介质
    一种蓝宝石基氮化镓PHEMT设计方法、系统及介质_中科(深圳)无线半导体有限公司_202511870885.5
    本发明公开了一种蓝宝石基氮化镓PHEMT设计方法、系统及介质，涉及半导体器件技术领域。方法包括：获取蓝宝石基氮化镓PHEMT的相关参数；根据相关参数确定漂移电流密度；确定蓝宝石基氮化镓PHEMT的温度依赖性；融合漂移电流密度与温度依赖性以确...
    2026-01-17
  • 一种芯片、制备方法及电子设备
    一种芯片、制备方法及电子设备_华为技术有限公司_202410940398.0
    本申请实施例提供了一种芯片、制备方法及电子设备，该芯片包括：衬底和长沟道晶体管，长沟道晶体管设置在衬底上，长沟道晶体管包括鳍结构Fin、源极、漏极、第一间隔层、环栅、第二间隔层；其中，源极和漏极分别设置在鳍结构的同侧或不同侧，且，源极在衬底...
    2026-01-17
  • 一种适用于潮湿基面的高固体环氧封闭底漆及其制备方法
    一种适用于潮湿基面的高固体环氧封闭底漆及其制备方法_安徽江锐新材料股份有限公司_202511669403.X
    本发明涉及涂料技术领域，且公开了一种适用于潮湿基面的高固体环氧封闭底漆及其制备方法，旨在解决现有技术中存在潮湿基面应用性能差的缺点，以主体树脂为基础，构建水分响应型固化体系、动态界面改性组分与精准交联调控的协同机制，采用具有抗质子化特性的专...
    2026-01-17
  • 半导体装置及半导体装置的制造方法
    半导体装置及半导体装置的制造方法_罗姆股份有限公司_202480038144.8
    一种半导体装置，包含：芯片，其由宽带隙半导体形成，并具有形成了第一导电型的半导体区的主面；第二导电型的基底杂质区，其形成于所述半导体区的表层部；第一杂质区，其形成于所述基底杂质区的表层部；以及第二杂质区，其形成于所述基底杂质区的表层部，且导...
    2026-01-17
  • 单阱一晶体管和一电容器非易失性存储器器件以及集成方案
    单阱一晶体管和一电容器非易失性存储器器件以及集成方案_格芯新加坡私人有限公司_202110849572.7
    本公开涉及单阱一晶体管和一电容器非易失性存储器器件以及集成方案。提供了一种非易失性存储器器件。该非易失性存储器器件包括被隔离结构围绕的有源区。可以在有源区之上布置浮置栅极，浮置栅极具有位于隔离结构之上的第一端和第二端。可以在有源区中邻近浮置...
    2026-01-17
  • 逆变器-电机组件的功能障碍识别方法
    逆变器-电机组件的功能障碍识别方法_大陆汽车科技有限公司_202080095500.1
    逆变器‑多相电机组件的功能障碍识别方法，包括多个顺序诊断过程，每个顺序诊断过程包括以下步骤：‑逆变器(2)的初始配置步骤；‑相开关(7)的初始配置步骤；‑相(u、v、w)偏置步骤；‑电压测量步骤，其中测量每个相(u、v、w)的电压；‑比较步...
    2026-01-17
  • 一种开关和车把手开关
    一种开关和车把手开关_浙江浙南机车业有限公司_202520146174.2
    本实用新型公开了一种开关和车把手开关，其中开关包括壳体、固定于壳体内的微动开关以及用于触发微动开关的按钮组件；壳体上设有安装按钮组件的安装孔；按钮组件包括按钮、触压块和复位弹簧；按钮下端穿入壳体内并与触压块固定连接，按钮上端凸出于壳体，按钮...
    2026-01-17
  • 电机控制装置及具有电机控制装置的转向系统
    电机控制装置及具有电机控制装置的转向系统_株式会社电装_202210338874.2
    公开了电机控制装置及具有电机控制装置的转向系统。具有大容量的主电源(10)和具有小容量的备用电源(20)可通过系统中的电源切换确定单元(25)切换。电机控制装置(300)通过主电源(10)或备用电源(20)驱动电机(80)。驱动控制单元(4...
    2026-01-17
  • 一种晶圆堆叠重构的工艺方法和装置
    一种晶圆堆叠重构的工艺方法和装置_上海芯物科技有限公司_202511458892.4
    本发明公开了一种晶圆堆叠重构的工艺方法和装置。晶圆堆叠重构的工艺方法包括：在第一尺寸的圆形的第一晶圆的居中位置切割出一个的矩形晶圆；所述矩形晶圆的四个顶点均位于所述第一晶圆的圆周；在一个第二尺寸的第二晶圆上刻蚀至少两个对准标记，所述第二尺寸...
    2026-01-17
  • 一种配电柜进线的封堵结构
    一种配电柜进线的封堵结构_天津雷诺尔电气有限公司_202423223618.2
    本实用新型涉及配电柜技术领域，特别涉及一种配电柜进线的封堵结构。所述一种配电柜进线的封堵结构，包括：配电柜和封堵单元；所述配电柜的壁面上设置有孔洞；所述封堵单元，包括：固定套、连接杆、环形圈、螺纹套、卡块；所述固定套的一端设置有外螺纹段，另...
    2026-01-17
  • 一种基于微波溶剂热法的生物质基硬碳负极材料的制备方法和应用
    一种基于微波溶剂热法的生物质基硬碳负极材料的制备方法和应用_西安交通大学_202511708040.6
    本发明公开了一种基于微波溶剂热法的生物质基硬碳负极材料的制备方法和应用，包括：将预处理后的生物质碳源与硫酸溶液充分混合，转移至微波水热反应釜中进行微波水热处理，得到水热反应产物；将水热反应产物进行固液分离，收集滤渣并清洗至滤液呈中性，干燥后...
    2026-01-17
  • 无感支付泊车费用管理方法及平台
    无感支付泊车费用管理方法及平台_宁波市政公用投资有限公司_202511844529.6
    本发明公开了无感支付泊车费用管理方法及平台，涉及智能泊车技术领域。方法包括：获取场内外摄像机拍摄的车辆视频，抽帧后形成视觉序列；利用视觉语义分析器解析序列，生成语义长描述文本；依据收费规则与历史异常记录，构建异常行为查询问题集；调用多模态问...
    2026-01-17
  • 高压LDMOS器件及制备工艺
    高压LDMOS器件及制备工艺_广州增芯科技有限公司_202511539383.4
    本申请提供的一种高压LDMOS器件及制备工艺。该高压LDMOS器件的制备工艺包括提供覆盖有介质层的衬底，衬底内设有第一阱区和第二阱区，第一阱区包括体区和源区，第二阱区包括漏区，第二阱区上方具有场氧；第一阱区上方靠近第二阱区的一侧设有栅氧化层...
    2026-01-17
  • 一种防治煤自燃的膨胀温敏水凝胶及其制备方法
    一种防治煤自燃的膨胀温敏水凝胶及其制备方法_安徽理工大学_202511431534.4
    本发明涉及防治煤自燃技术领域，具体的公开了一种防治煤自燃的膨胀温敏水凝胶及其制备方法，包括由碳酸氢钠和膨胀微球构成的膨胀剂，碳酸氢钠和膨胀微球的质量比为1：1，还包括羟丙基甲基纤维素，壳聚糖，甘油，pH调节剂，按质量百分比计，羟丙基甲基纤维...
    2026-01-17
  • 一种湿法炼锌阴极板防护涂料及其制备方法
    一种湿法炼锌阴极板防护涂料及其制备方法_电信科学技术第五研究所有限公司_202511839465.0
    本发明提供了一种湿法炼锌阴极板防护涂料及其制备方法，涉及工业涂料技术领域；本发明A组分由环氧树脂、羟基硅油、硅烷偶联剂、耐磨填料、润滑填料、溶剂和催化剂通过原位聚合反应制得，B组分为酚醛胺固化剂；其制备方法：将各原料混合，在加热搅拌下进行原...
    2026-01-17
  • 屏蔽栅沟槽型MOSFET器件的终端结构及制造方法
    屏蔽栅沟槽型MOSFET器件的终端结构及制造方法_华羿微电子股份有限公司_202511488743.2
    本申请公开了一种屏蔽栅沟槽型MOSFET器件的终端结构及制造方法，本方案通过在终端区采用一组特殊的外围沟槽阵列，在这个特殊的外围沟槽阵列的底部通过一次性P‑型离子注入，并在随后的器件制造热工艺的条件下对该P‑型注入的离子进行驱动，以达到预期...
    2026-01-17
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