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自行车,非机动车装置制造技术
  • 一种变电站瓷瓶逐层清洗自动化作业系统、方法、存储介质和电子设备
    一种变电站瓷瓶逐层清洗自动化作业系统、方法、存储介质和电子设备_河南送变电建设有限公司_202511033370.X
    本发明公开了一种变电站瓷瓶逐层清洗自动化作业系统、方法、存储介质和电子设备，包括清洗模块、升降模块、移动模块和控制模块，所述清洗模块安装在升降模块上，所述升降模块安装在移动模块上，所述控制模块控制所述清洗模块、升降模块和移动模块的协同工作，...
    2025-12-22
  • 一种具有灭火结构电池包和新能源汽车
    一种具有灭火结构电池包和新能源汽车_重庆赛力斯新能源汽车设计院有限公司_202311117055.6
    本申请涉及新能源汽车技术领域，提供了一种具有灭火结构电池包和新能源汽车。该电池包包括：电池包下盖和电池包上盖，电池包上盖上设置有多个矩形孔，矩形孔内设置有气溶胶灭火组件，气溶胶灭火组件包括气溶胶灭火器，气溶胶灭火器与矩形孔之间插接配合，气溶...
    2025-12-22
  • 一种高功率低膨胀硅氧金属氧化物复合材料及其制备方法
    一种高功率低膨胀硅氧金属氧化物复合材料及其制备方法_胜华新材料科技(眉山)有限公司_202211502732.1
    本发明涉及锂离子电池材料技术领域，公开了一种高功率低膨胀硅氧金属氧化物复合材料及其制备方法，以多孔金属为内核，通过电化学沉积法在其表面沉积纳米硅和碳纳米管，干燥，最后通过原子气相沉积法在其表面沉积快离子复合导体，得到硅氧复合材料。所述硅氧复...
    2025-12-22
  • 储能装置
    储能装置_北京海博思创工程技术有限公司_202410791538.2
    本申请提供一种储能装置，储能装置包括柜体、逆变器、电池单元以及消防单元，柜体具有容纳腔，逆变器和电池单元均位于容纳腔内；消防单元包括第一消防单元，第一消防单元包括消防主机、温度探测器以及消防箱，消防箱内存放消防药剂，消防箱位于消防主机内，温...
    2025-12-22
  • 一种地下变电站干粉灭火系统状态监测系统及方法
    一种地下变电站干粉灭火系统状态监测系统及方法_国网安徽省电力有限公司电力科学研究院_202511091497.7
    一种地下变电站干粉灭火系统状态监测系统及方法，属于地下变电站灭火技术领域，解决如何提高对干粉灭火系统实时监测和状态预测的准确性的问题，通过传感器数据采集模块、智能数据融合与分析模块、自适应报警与响应机制模块以及远程监控与故障诊断模块的协同工...
    2025-12-22
  • 果径测量方法、果径测量装置、增强现实眼镜及存储介质
    果径测量方法、果径测量装置、增强现实眼镜及存储介质_深圳市丰农数智农业科技有限公司_202511134546.0
    本申请公开了一种果径测量方法、果径测量装置、增强现实眼镜及存储介质，果径测量方法，包括：基于增强现实眼镜对待测量果实进行图像采集，得到当前果实图像；输入当前果实图像至果径测量模型，得到当前果实图像对应的第一果径，果径测量模型基于标注有历史果...
    2025-12-22
  • 储物柜
    储物柜_重庆海尔洗衣机有限公司_202520269408.2
    本实用新型涉及储物柜，具体提供一种储物柜，旨在解决现有矿工储物柜容易起火的问题。为此目的，本实用新型的一种储物柜，该储物柜包括：柜体；门体；门体检测件；通风组件，其连通柜体内部与外部，通风组件能够驱使柜体内部空气与外部空气流通；灭火组件，用...
    2025-12-22
  • 一种氧气钝化加栅极自对准的p-GaN HEMT器件及其制备方法
    一种氧气钝化加栅极自对准的p-GaN HEMT器件及其制备方法_西交利物浦大学_202211135285.0
    本发明涉及氧气钝化加栅极自对准的p‑GaN HEMT器件及其制备方法，属于半导体器件技术领域。通过氧气等离子钝化和高温氧化的方法，通过栅极自对准的工艺实现增强型空穴注入型晶体管。用高温热氧化的方法替代ICP刻蚀法，避免离子轰击形成损伤，减少...
    2025-12-22
  • 基于NiOx/Ga2O3的双异质结增强型平面栅垂直双极晶体管
    基于NiOx/Ga2O3的双异质结增强型平面栅垂直双极晶体管_西安电子科技大学_202411267998.1
    本发明公开了一种基于NiOx/Ga2O3双异质结增强型平面栅垂直双极晶体管，主要解决现有技术不能实现增强型，反向耐压能力差的问题。其自下而上包括漏电极、衬底、漂移区、p型导电层、栅电极，形成平面栅结构；该漂移区上方两侧为电流阻挡层，p型导电...
    2025-12-22
  • 一种新型氢能动力系统及采用该系统的两轮车
    一种新型氢能动力系统及采用该系统的两轮车_永祺(中国)车业股份有限公司_202422914552.5
    本实用新型公开了一种新型氢能动力系统及采用该系统的两轮车，该系统包括储氢组件和燃料电池组件；所述储氢组件包括下管以及设置于下管内的储氢瓶，所述燃料电池组件包括连通于下管底端的电池盒、设置于电池盒内的燃料电池以及安装在燃料电池靠近下管一侧的散...
    2025-12-22
  • 半导体器件、集成电路、电子设备以及半导体器件的制备方法
    半导体器件、集成电路、电子设备以及半导体器件的制备方法_华为技术有限公司_202410765631.6
    本申请实施例提供了一种半导体器件、集成电路、电子设备以及半导体器件的制备方法，涉及电子设备技术领域。半导体器件包括衬底、第一电极、第二电极、沟道层和栅极。其中，衬底中设有第一凹槽。第一电极和第二电极设置在衬底上，且沿第一方向分设于第一凹槽的...
    2025-12-22
  • 一种防覆冰纳米修饰材料及其在防冰导线上的应用
    一种防覆冰纳米修饰材料及其在防冰导线上的应用_国网河南省电力公司电力科学研究院_202511604520.8
    本发明提供了一种防覆冰纳米修饰材料及其在防冰导线上的应用，属于防覆冰导线制备技术领域。一种防覆冰纳米修饰材料的制备方法，包括以下步骤：分别制备超疏水纳米SiO2粉末与超疏水多孔硅藻土粉末，将所述超疏水纳米SiO2粉末与超疏水多孔硅藻土粉末在...
    2025-12-22
  • 一种基于配电网巡检处理检测方法
    一种基于配电网巡检处理检测方法_北京中启博研科技有限公司_202511139787.4
    本发明公开了一种基于配电网巡检处理检测方法，方法包括利用高分辨率摄像头采集悬垂线夹金具表面的原始图像数据；对所述原始图像数据进行预处理及目标识别处理的方式进行分割得到金具凹槽区域图像；利用Zhang‑Suen细化算法对所述金具凹槽区域图像中...
    2025-12-22
  • 电流孔径垂直电子晶体管及其制备方法
    电流孔径垂直电子晶体管及其制备方法_南通大学_202410973524.2
    本发明属于半导体器件领域，提供了一种电流孔径垂直电子晶体管及其制备方法。该电流孔径垂直电子晶体管包括：衬底；位于衬底的下表面上的漏极；位于衬底的上表面上的N型漂移区和位于N型漂移区两侧并与N型漂移区邻接的第一层、第二层电流阻挡层；位于N型漂...
    2025-12-22
  • 高深宽比深硅结构的图形化定义方法及高深宽比深硅结构
    高深宽比深硅结构的图形化定义方法及高深宽比深硅结构_上海邦芯半导体科技有限公司_202511666068.8
    本申请公开了一种高深宽比深硅结构的图形化定义方法及高深宽比深硅结构，包括：在硅衬底的表面上形成多个光刻胶图形；在第一温度下，使用第一气体作为沉积气体，在硅衬底和光刻胶图形上进行聚合物层沉积；在第二温度下，使用第二气体作为刻蚀气体，对聚合物层...
    2025-12-22
  • 用于固定消防无人机的固定装置及消防车
    用于固定消防无人机的固定装置及消防车_北京玮航科技有限公司_202520298653.6
    本申请涉及消防无人机技术领域，提供一种用于固定消防无人机的固定装置及消防车，其中，用于固定消防无人机的固定装置包括：支撑平台，固定于消防车上，用于支撑消防无人机；自锁装置，设置在支撑平台的上表面，自锁装置包括固定件，固定件可相对于支撑平台旋...
    2025-12-22
  • 一种磁吸四足机器人及其步态控制方法
    一种磁吸四足机器人及其步态控制方法_广东工业大学_202511715140.1
    本发明涉及一种磁吸四足机器人及其步态控制方法，该磁吸四足机器人包括：机器人主体，机器人主体上依次连接机器人腿部的横滚髋关节电机，俯仰髋关节电机和膝关节电机；横滚髋关节电机与俯仰髋关节电机之间设置有转向连轴，俯仰髋关节电机与膝关节电机之间设置...
    2025-12-22
  • 一种晶体管、芯片、半导体器件及电子设备
    一种晶体管、芯片、半导体器件及电子设备_华为技术有限公司_202410788776.8
    本申请实施例公开了本申请实施例提供一种晶体管、芯片、半导体器件及电子设备，该晶体管包括源极、漏极、栅极、栅氧介质层、沟道和插入层，栅氧介质层设置于栅极与沟道之间；插入层设置于以下位置中的至少一处：源极和沟道之间、漏极和沟道之间或栅极与栅氧介...
    2025-12-22
  • 包括沟槽结构中的硅层的晶体管
    包括沟槽结构中的硅层的晶体管_英飞凌科技奥地利有限公司_202510789552.3
    本公开涉及包括沟槽结构中的硅层的晶体管。提出垂直结型场效应晶体管VJFET。该VJFET包括沿第一横向方向横向布置在台面区域之间的沟槽结构。沟槽结构从半导体本体的第一表面延伸到半导体本体中。每个台面区域包括第一导电类型的台面沟道区域。VJF...
    2025-12-22
  • 包括台面区的沟槽结型场效应晶体管
    包括台面区的沟槽结型场效应晶体管_英飞凌科技奥地利有限公司_202480034327.2
    提出了一种沟槽结型场效应晶体管，沟槽JFET(100)。沟槽JFET(100)包括：台面区(103)，其由在半导体主体(102)的第一横向方向(x1)上彼此间隔开的第一沟槽和第二沟槽(1061, 1062)限定，第一沟槽和第二沟槽(1061...
    2025-12-22
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