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自行车,非机动车装置制造技术
  • 超结半导体装置及其制造方法
    超结半导体装置及其制造方法_美格纳半导体有限公司_202510937128.9
    本申请涉及超结半导体装置及其制造方法。该超结半导体装置，包括：基板；有源单元，所述有源单元设置在所述基板上；边缘终止区域，所述边缘终止区域被配置成围绕所述有源单元；外围区域，所述外围区域被配置成围绕所述有源单元并且设置在所述有源区域与所述边...
    2026-01-17
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社东芝_202110022665.2
    提供可靠性优异的半导体装置，从下到上具备：第一氮化物半导体层、带隙更大的第二氮化物半导体层、电连接于第一氮化物半导体层的第一电极，还具备：第一氮化物半导体层之上且与其电连接的第二电极；第一电极与第二电极间的栅极电极；栅极电极上且与其电连接的...
    2026-01-17
  • 膜片制备装置、极片制造设备及膜片制备方法
    膜片制备装置、极片制造设备及膜片制备方法_宁德时代新能源科技股份有限公司_202280076681.2
    本申请提供一种膜片制备装置、极片制造设备及膜片制备方法，膜片制备装置包括混合机构、第一加料机构、第二加料机构和挤出模头，第一加料机构用于向混合机构中加入包含粉料和第一粘结剂的粉料混合物，第二加料机构用于向混合机构中加入溶有第二粘结剂的溶液，...
    2026-01-17
  • 一种自立式Na-VS2/CP复合材料及其制备方法和应用
    一种自立式Na-VS2/CP复合材料及其制备方法和应用_陕西科技大学_202511505019.6
    本发明公开了一种自立式Na‑VS22/CP复合材料及其制备方法和应用，属于钠离子电池技术领域。其中，自立式钠掺杂VS22/碳布复合材料，以柔性碳布为基底—可直接作负极集流体省粘结剂，兼具支撑功能，三维多孔结构还能促电解液浸润与离子传输、建稳...
    2026-01-17
  • 补锂添加剂、二次电池及用电装置
    补锂添加剂、二次电池及用电装置_宁德时代新能源科技股份有限公司_202410930872.1
    本申请公开了一种补锂添加剂、二次电池及用电装置。所述补锂添加剂用以添加于电解液中，所述补锂添加剂包括电聚合单体和中和剂；所述中和剂包括氮原子上带有孤对电子的有机胺化合物。本申请有效补偿锂电池的首次不可逆容量损失，提高电池首次库伦效率、电池首...
    2026-01-17
  • 一种负极极片、负极浆料及其制备方法与应用
    一种负极极片、负极浆料及其制备方法与应用_浙江锂威能源科技有限公司_202511421621.1
    本发明公开了一种负极极片、负极浆料及其制备方法与应用。涉及负极制备技术领域。上述负极极片，包括集流体和设置在集流体至少一个表面的负极活性材料层，上述负极活性材料层包括以下组分：硅基材料；碳材料；聚氨酯改性丙烯酸酯，Tg为30‑45℃，弹性模...
    2026-01-17
  • 短路保护电路及电池保护芯片
    短路保护电路及电池保护芯片_上海玥晨芯半导体科技有限公司_202511737679.7
    本发明提供一种短路保护电路及电池保护芯片，属于电池保护领域，包括电池、控制电路、第一NMOS管、驱动电路和短路保护模块；控制电路的电源端连接第一电源端；驱动电路的电源端为控制电路的电源端；短路保护模块的第一输入端与驱动电路的输出端连接，第一...
    2026-01-17
  • 一种透波涂料及其制备方法和应用
    一种透波涂料及其制备方法和应用_上海之合玻璃钢有限公司_202511777250.0
    本发明涉及涂料领域，具体涉及一种透波涂料及其制备方法和应用，所述透波涂料，包含A组分和B组分，其中A组分包含以下重量份的原料：80~100份氟碳树脂、20~30份低介电填料、4~8份添加剂、1.5~3份润湿剂、1~2份流平剂和30~40份溶...
    2026-01-17
  • 一种施工过程保护海上光伏组件的装置及光伏组件
    一种施工过程保护海上光伏组件的装置及光伏组件_中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司_202511513834.7
    本发明公开了一种施工过程保护海上光伏组件的装置及光伏组件，装置包括支撑平台，其顶部设有多个光伏支撑檩条，多个所述光伏支撑檩条均用于安装光伏组件；夹持器，固设于所述支撑平台前端的支撑檩条上，所述夹持器上可拆卸连接有上卷筒和下卷筒，所述上卷筒和...
    2026-01-17
  • 一种水性正极浆料及其制备方法
    一种水性正极浆料及其制备方法_湖州南木纳米科技有限公司_202310422106.X
    本发明公开了一种水性正极浆料，所述正极浆料的原料包括氟代磷酸盐、马来酸酐接枝苯乙烯聚合物、导电剂、粘结剂、辅助溶剂、pH调节剂，以质量计，所述氟代磷酸盐 : 马来酸酐接枝苯乙烯聚合物 : 导电剂 : 粘结剂 : 辅助溶剂 : pH调节剂的比...
    2026-01-17
  • 一种改善磷酸铁锰锂电池正极电导率的方法
    一种改善磷酸铁锰锂电池正极电导率的方法_中国科学技术大学_202510062117.0
    本发明公开了一种改善磷酸铁锰锂电池正极电导率的方法，属于锂离子电池设计及制造工艺领域，该方法包括如下步骤：采用导电有机物与正极材料充分混合均匀制备磷酸铁锰锂正极浆料，将浆料涂覆在铝箔上，经过辊压分切制片后与负极叠片组装成全电池，经过小电流化...
    2026-01-17
  • 一种Eu、Tb共掺杂氧化镓白光荧光粉及制备方法
    一种Eu、Tb共掺杂氧化镓白光荧光粉及制备方法_桂林电子科技大学_202511762502.2
    本发明公开了一种基于Eu、Tb共掺杂氧化镓(Ga22O33)的白光发光荧光粉及其制备方法。所述荧光粉采用水热法制备，以Ga(NO33)33为镓源，Eu(NO33)33和Tb(NO33)33为稀土源，控制Eu和Tb的掺杂摩尔比，经洗涤、干燥及...
    2026-01-17
  • 一种鼓风机
    一种鼓风机_江西首普实业有限公司_202511701063.4
    本发明公开了一种鼓风机，包括电机、外壳和过滤机构。过滤机构中设有固定座、盖板、过滤件和推动组件。该鼓风机上设置过滤机构，通过过滤机构实现对进入鼓风机内部的气体实现过滤，能够将空气中的粉尘以及颗粒物进行过滤，避免了粉尘或者颗粒物对鼓风机造成损...
    2026-01-17
  • 数据处理方法、系统、电子设备及存储介质
    数据处理方法、系统、电子设备及存储介质_阿里云计算有限公司_202410881905.8
    本申请提供了一种数据处理方法、系统、电子设备及存储介质，涉及数据库技术领域，该方法包括：接收数据发送方发送的加密数据，加密数据的密钥信息已由数据发送方在密钥信息管理服务中注册；响应于数据调用方的数据操作请求，在确定数据操作请求对应的目标操作...
    2026-01-17
  • 一种用于染整过程的高效匀染助剂及其制备方法
    一种用于染整过程的高效匀染助剂及其制备方法_广东大森科技有限公司_202511722058.1
    本发明属于纺织染整助剂技术领域，公开了一种用于染整过程的高效匀染助剂及其制备方法，该助剂由双亲嵌段共聚物与动态可逆共价键聚合物组装而成：嵌段共聚物兼具亲水与亲油区段，自组装形成纳米级胶束，可对染料分子进行高效捕获、缓释与稳定分散；动态聚合物...
    2026-01-17
  • 快恢复二极管及其制造方法
    快恢复二极管及其制造方法_华润微电子(重庆)有限公司_202410903046.8
    本发明提供了一种快恢复二极管及其制造方法，通过N型接触结构和沟槽栅结构能够调控P型发射极的空穴注入效率，使N型漂移层的载流子分布得到优化，从而在不需要额外的少数载流子寿命控制的情况下，便能够使器件的反向恢复时间、峰值电流和损耗得到改善，还能...
    2026-01-17
  • 半导体装置及其制造方法
    半导体装置及其制造方法_株式会社东芝_202510068894.6
    一种半导体装置包括第一电极、第一半导体区域、第二半导体区域、第三半导体区域、栅电极和第二电极。该栅电极具有与第二半导体区域相对的第一区域和与第三半导体区域相对的第二区域。该栅电极具有从第二区域的下表面到上表面的第一长度和从第一区域的下表面到...
    2026-01-17
  • 连接架、安装支架和空调器
    连接架、安装支架和空调器_广东美的制冷设备有限公司_202423225369.0
    本实用新型公开了一种连接架、安装支架和空调器，涉及空调技术领域，其中，连接架用于将空调室外机与安装媒介连接，所述连接架包括架本体和与所述架本体折弯连接的连接结构，所述连接架还包括安全绳，所述安全绳的一端与所述连接结构连接，另一端与一固定位置...
    2026-01-17
  • 碳化硅半导体装置和碳化硅半导体装置的制造方法
    碳化硅半导体装置和碳化硅半导体装置的制造方法_富士电机株式会社_202010857182.X
    本发明提供能够抑制势垒金属的剥离、裂纹的碳化硅半导体装置和碳化硅半导体装置的制造方法。在层间绝缘膜(10)上表面设置有反映沟槽(5)内部的栅电极(7)上表面的凹陷(7a)的第一凹部(10a)。在层间绝缘膜(10)的上表面与侧面的边界处设置有...
    2026-01-17
  • 氮化镓器件、其制备方法及功率设备
    氮化镓器件、其制备方法及功率设备_深圳平湖实验室_202511303402.3
    本公开提供的氮化镓器件、其制备方法及功率设备，包括沟道层；势垒层，位于沟道层一侧；p型帽层，位于势垒层远离沟道层的一侧；栅极金属层，位于p型帽层远离势垒层的一侧；导通增强层，位于栅极金属层与p型帽层之间。通过增加导通增强层，可以使得空穴更易...
    2026-01-17
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