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自行车,非机动车装置制造技术
  • 本发明提供一种高收率、低成本的球形石墨的制备方法及制备装置,采用本发明的制备方法可以同时制备出D50为17‑20μm、D50为10‑12μm、D50为5‑8μm三种粒径分布的球形石墨,满足锂电行业对不同粒径球形石墨的需求;其中制备得到的小颗...
  • 该发明涉及分析技术领域,具体涉及一种Fe3O4/MoS2复合纳米材料的简易制备方法及其在MALDI‑MS中的应用。该纳米材料通过两步水热法制备,将MoS2生长在Fe3O4上,形成纳米材料。本发明基于钼基纳米材料建立MALDI‑MS正离子模式...
  • 本发明涉及能源管理技术领域,具体地说,涉及一种可智能充电的集装箱机器人能源管理系统及方法,其包括动态充电分配决策单元,用于基于集装箱机器人的运行状态信息,预测集装箱机器人的充电需求,根据预测的充电需求,结合充电桩的工作状态信息以及预定义的优...
  • 本发明公开了一种充电桩多充电模式切换控制方法及装置,属于充电控制技术领域,该方法为:在预设数据库中获取充电桩的若干辆电动汽车的充电行为数据;基于充电行为数据对各电动汽车进行无序充电模拟,生成各电动汽车的日负荷曲线;聚合各电动汽车的日负荷曲线...
  • 本实用新型涉及耐高温滤料技术领域,且公开了色素碳黑专用耐高温滤料,包括顶部清洁层,所述顶部清洁层的底部设有底部清洁层,所述顶部清洁层的底部设有耐高温过滤层,所述耐高温过滤层的底部设有降温层一,所述降温层一的底部设有降温层二,所述降温层二的底...
  • 本发明公开了一种重掺硅单晶衬底制备硅外延片的方法及形成的外延片,所述方法为:以碳氧共掺的重掺硼或磷的直拉单晶硅片为衬底,经外延高温氢气预处理后,再升温至外延温度进一步生长外延层制得高质量硅外延片。所述高温氢气预处理步骤为以40℃~60℃/s...
  • 电池(10)和用电装置。电池(10)包括:箱体;至少一组电池单体(11),每组电池单体(11)包括沿第一方向布置的多个电池单体(11);压条(12),压条(12)内设有用于容纳液体的通道,压条(12)沿第一方向延伸,且与多个电池单体(11)...
  • 本发明公开了一种高功率球状磷酸铁锂复合材料及其制备方法,采用由内核、第一外壳、第二外壳组成的核壳结构,其中,所述内核、第一外壳、第二外壳呈依次由内向外的包覆状;所述内核为稀土掺杂磷酸铁锂,所述第一外壳为快离子体导体复合层,所述第二外壳为磺酸...
  • 本发明公开了用于骨骼动作隐私保护的不可学习样本生成方法、隐私保护方法,涉及计算机视觉和隐私计算领域。获取骨骼数据;根据骨骼数据进行噪声初始化;对骨骼数据进行拓扑关系提取;将生成的噪声数据和提取的拓扑关系进行对齐,得到对齐后的噪声数据;对对齐...
  • 本发明公开了一种高速数据总线透明加密方法与器件,涉及电数字数据处理领域,加密方法包括以下步骤:通过PCIe接口1向PCIe接口2发送数据;通过PCIe接口1向PCIe接口2读取数据;通过PCIe接口2向PCIe接口1发送数据;通过PCIe接...
  • 本实用新型涉及气淬炉技术领域,尤其涉及一种单室气淬炉的加热组件,包括工作台,所述工作台的上端固定连接有两组相对称的底座架,两组所述底座架的上端通过滚轮共同转动连接有加热桶,所述加热桶的外侧为对称锥形设计,所述加热桶的一端安装有旋转机构,所述...
  • 本实用新型公开了一种氮化镓器件。该氮化镓器件包括:衬底、沟道层和复合势垒层,包括第一势垒层、第二势垒层、第三势垒层和第四势垒层;第一势垒层位于沟道层远离衬底的一侧;第二势垒层位于第一势垒层远离沟道层的一侧,第二势垒层用作刻蚀阻挡层,用于保护...
  • 本申请涉及一种离心泵的安装底板结构,包括底脚和底板,所述底脚设置在离心泵的底部,所述底板设置在所述底脚的下方,所述底脚与底板之间通过若干连接杆连接固定,所述底板上设置有可开孔区域。本申请中底板上的可开孔区域可根据场地或设备上的固定孔位置与尺...
  • 本实用新型公开了一种氮化镓器件。该氮化镓器件包括:衬底、沟道层和复合势垒层,所述复合势垒层包括第一势垒层、第二势垒层和第三势垒层;所述第一势垒层位于所述沟道层远离所述衬底的一侧;所述第二势垒层位于所述第一势垒层远离所述沟道层的一侧,所述第二...
  • 本发明提供了一种雷芬那辛游离碱晶型VII及其制备方法。所述雷芬那辛游离碱晶型VII稳定性良好,且制备工艺简单,适用于工业化生产,其X‑射线粉末衍射图谱以2θ±0.20°表示,具有4.898°、10.742°、13.448°、14.065°、...
  • 本发明公开了一种面向热态钢管直径测量的在线实时标定方法,属于机器视觉检测技术领域,所述方法包括:利用已知直径的钢管标定位于上下左右四个方位的3D相机,钢管由辊道运送至相机的采集位置,由3D相机采集获取钢管形状数据;利用获取的钢管形状数据,结...
  • 本发明属于晶体管领域,具体涉及一种JFET器件及其制造方法。主要解决现有JFET器件存在面积大和导通电阻大的问题。该器件包括衬底、外延层、第一N型区、P型区、填充层、第二N型区和正面结构;衬底设置在漏电极的上表面;外延层设置在衬底的上表面,...
  • 本发明公开了一种超薄超结IGBT器件及制备方法,包括:金属化集电极;位于所述金属化集电极上的P型集电区;位于所述P型集电区上方的N型FS层;位于所述N型FS层上方的N型FS隔离层;位于所述N型FS隔离层上方的第一N型外延层及位于所述第一N型...
  • 本发明公开了三维加工的闭式氟塑料叶轮及其加工工艺,涉及氟塑料叶轮技术领域,包括叶轮组件,所述叶轮组件的外侧设置有缓冲组件,所述叶轮组件的内侧连接有闭合组件,所述缓冲组件的一端设置有弹簧,所述弹簧的一端连接有第二连接环,所述第二连接环的侧面连...
  • 本实用新型公开了一种防变形的硅胶管,包括硅胶管本体的外部贴合有套管;其特征在于:硅胶管本体的外壁呈三角形设置,且硅胶管本体的外壁与套管的内壁相嵌合,并且套管的内壁呈三角形设置,所述硅胶管本体与套管的长度一致设置;所述套管的外端固定有第二加强...
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