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自行车,非机动车装置制造技术
  • 本发明公开了一种铁基磷酸盐类材料及其制备方法和钠离子正极材料。所述铁基磷酸盐类材料的制备方法包括以下步骤:S1:将含钠源、铁源、磷源和碳源的原料混合,得到前驱体混合物;S2:将前驱体混合物进行造粒,得到前驱体颗粒;S3:将前驱体颗粒在循环流...
  • 本发明提供一种脱氢制3‑甲基吡啶催化剂、制备方法及其应用。所述催化剂,活性组分和助金属负载在载体上,以金属钯为活性组分,以铜、镍、钴、铂、铅中的至少一种为助金属;其中,以催化剂总质量的质量百分比计,活性组分的负载量为0.5%~1.2%,助金...
  • 本发明公开了一种含有钛合金的降温面料及其制备方法,属于服装面料技术领域。所述含有钛合金的降温面料,包括柔性基底层以及设置在基底层上的功能涂层;所述功能涂层由经表面偶联改性的钛合金粉末、热塑性丙烯酸树脂、分散剂和异氰酸酯类交联剂构成;该面料在...
  • 本发明属于绿色能源材料技术领域,提供了一种次级配位结构Fe‑N4/C‑I及其制备方法与应用。本发明所述次级配位结构Fe‑N4/C‑I的制备方法包括如下步骤:将Fe(acac)3、2‑甲基咪唑、六水合硝酸锌和有机溶剂混合,得到Fe(acac)...
  • 本发明属于锂电池技术领域,提供了一种磷酸锰铁锂材料的制备方法、锂电池,该制备方法包括以下步骤:步骤1、将氧化石墨烯加入去离子水中,超声分散至均匀,加入氰胺溶液,继续搅拌至均匀,转入有聚四氟乙烯衬套水热反应釜中升温反应,洗涤,冷冻干燥后得到碳...
  • 本发明提供一种割草压扁机的驱动系统、控制方法及割草压扁机,本发明整机采用柴电混合新型动力技术,实现柴电混合动力能量合理分配,降低作业过程中的废气排放。整机采用分布式混合动力驱动系统;动力分配系统采用双动力流动力分配模式(整机的行走采用纯电驱...
  • 本发明提供诊断系统性红斑狼疮的生物标志物及其应用,属于生物医药领域。该生物标志物为下述5条蛋白N‑糖肽中的至少一条,具体为:IgG1_N299‑HexNAc(3)Hex(4);F2_N121‑HexNAc(2)Hex(12);C3_N85‑...
  • 本申请实施例提供的二极管、二极管的制作方法、芯片和电子设备,该二极管包括:衬底,衬底包括相对设置的阳极与阴极;至少一个阱区,设置在衬底的阳极侧;至少一个欧姆接触区,设置在衬底的阳极侧,且一个欧姆接触区与一个阱区接触,形成与阱区并联的等效电阻...
  • 本发明涉及信息检索技术领域,揭露了一种涉密文档流转全链路语义溯源方法及系统,所述方法包括:对涉密文档中的文档内容进行语义结构解析,得到关键语义节点;将关键语义节点中特征内容进行结构编码,得到语义特征向量;生成语义指纹,并将语义指纹与关键语义...
  • 本发明涉及功能材料制备技术领域,具体涉及一种超疏水二硫化钼及其制备方法和应用。制备方法包括:将阳离子表面活性剂溶解于有机溶剂中,得到修饰液;将二硫化钼浸渍于修饰液中,施加外电场,进行钝化处理,得到超疏水二硫化钼。本发明通过引入外电场诱导策略...
  • 本发明提供了一种酶催化制备(R)‑4‑氯‑3‑羟基丁酸乙酯((R)‑CHBE)的方法,包括:以异丙醇为氢供体,使用酮还原酶突变体进行COBE的催化还原反应,来制备(R)‑CHBE,其中所述酮还原酶突变体在如SEQ ID NO.1所示氨基酸序...
  • 本发明公开了一种钢管桩注浆系统及钢管桩施工方法,属于地下工程注浆领域。该注浆系统包括浆液搅拌机、放浆池、注浆泵、球阀、注浆管、固定支架,以及钢管桩桩侧后注浆装置;球阀设置于注浆管顶部,注浆管通过固定支架设置于钢管桩内壁上;钢管桩桩侧后注浆装...
  • 本实用新型涉及消防管路技术领域,尤其涉及一种管路泄漏报警装置,包括设置在消防水泵上的输水管路,所述输水管路上设置有连接延长管路的泄漏报警装置本体,所述泄漏报警装置本体的两端设置有套环,所述套环内部设有内套管;长度调节单元,包括设置在所述套环...
  • 本实用新型公开了一种新能源变速箱用深沟球触轴承,其特征在于,包括:一轴承内圈结构,所述轴承内圈结构的内圈沟道为沿轴心的非对称性设计,所述内圈沟道的轴心一侧设置有圆弧形的第一内圈沟道,所述内圈沟道的轴心另一侧设置有朝向边界下降的安装坡道,所述...
  • 本发明提供一种糖尿病患者智慧管理系统、方法、介质及电子设备,其中系统包括:数据处理子系统,配置为:通过机器智能模型对患者情境数据进行分析,并融合预设的糖尿病管理专家知识规则,生成混合智能决策信号;机器人实体,集成数据处理子系统,并具备自主移...
  • 本发明涉及一种结合肖特基接触的沟槽超势垒整流器元胞结构及制备方法,元胞结构包括:衬底层、外延层、P型体区、至少一个第一沟槽、第二沟槽、栅氧化层、多晶硅栅极、第三沟槽、若干N型区、肖特基接触金属、欧姆接触金属、正面金属和背面金属;P型体区位于...
  • 本发明公开了一种具有低关态漏电的增强型PSJ‑HEMT器件,其结构依次包括:衬底、GaN缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层、p+GaN/p‑GaN/U‑GaN复合帽层;所述复合帽层的一侧被刻蚀到p‑GaN层,形成p‑GaN/U‑GaN台...
  • 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法,半导体器件中,多个氧化隔离结构均位于相对设置的隔离阱之间;源区位于外延层中,且位于第一区域中;第一掺杂区位于外延层中,且位于第二区域中,第一掺杂区与位于其两侧的两个氧化隔离结构以及栅极氧化层均接触;漏...
  • 本发明涉及一种单片集成GaN基高压功率器件及其制备方法,制备方法包括:S1.获取SiC衬底,在SiC衬底的一侧依次生长缓冲层和外延层,得到SiC外延片;S2.在SiC外延片上外延层的一侧外延导电缓冲层,并在导电缓冲层上外延GaN异质结层,得...
  • 本发明公开了一种低阻力高效凝结水泵出口扩散器结构,涉及凝结水泵设备技术领域,包括泵体和泵壳,所述泵体的一侧设有吸入口,所述泵壳的一侧设有排出口,所述排出口的一侧连接有扩散器组件;所述扩散器组件包括扩散器本体,所述扩散器本体由直管和扩散管构成...
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