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自行车,非机动车装置制造技术
  • 本发明公开了一种钠离子电池正极浆料、其制备方法及应用。所述钠离子电池正极浆料包括正极活性物质以及溶剂,正极活性物质包括正极活性材料、正极导电剂以及正极粘结剂,还包括第一添加剂和第二添加剂;第一添加剂包括有机酸,第二添加剂包含钠离子,且第二添...
  • 本申请公开了一种无人机意图的确定方法、装置及电子设备。其中,该方法包括:从获取的视频帧数据中确定无人机的位置信息;依据位置信息和视频帧数据,确定无人机的运动行为特征;响应于目标对象的查询指令,采用意图识别模型对查询指令和运动行为特征进行分析...
  • 本发明涉及MOS半导体技术领域,且公开了集成渐变应变条阵列的SiC VDMOSFET结构及其制备工艺,包括若干个相互并列的MOS元胞,单个所述MOS元胞包括漏极、半导体外延层、栅极、栅氧化层以及源极,其中栅氧化层覆盖在栅极的外表面,所述半导...
  • 本实用新型涉及轴承加工技术领域,且公开了一种盐浴热处理炉,包括炉体,炉体内部设置有加工结构,加工结构包括:中空轴、螺杆、套筒、第一转杆、放置框、第二转杆、滑槽、固定板、齿槽、转动齿轮、框盖,然后这些液体会通过横管下端的多组喷头进行喷出对其下...
  • 本实用新型涉及液位计技术领域,提供了一种闪蒸罐用液位计,包括磁力感应杆、磁力球与浮球,所述磁力感应杆内部设置有磁致伸缩线;所述磁力感应杆、磁力球均设置于闪蒸罐外部,且所述磁致伸缩线处于所述磁力球的磁场感应范围内;还包括浮球,所述浮球设置于所...
  • 本发明属于涂料技术领域,本发明提供一种阴极电泳涂料及其制备方法,该制备方法:S1、按重量份计,烧瓶中加入50份环氧树脂、13‑15份聚乙二醇和27‑32份溶剂,升温反应,加入7.5‑8.5份双酚A,反应,得到扩链树脂;S2、烧瓶中加入扩链树...
  • 本申请属于人工智能技术领域,具体涉及一种资源转移方法、资源转移装置、计算机可读介质、电子设备以及计算机程序产品。该方法包括:解析在区块链网络上广播的资源转移交易,得到所述资源转移交易中携带的第一参数集合和第二参数集合,所述第二参数集合的盲化...
  • 本申请涉及一种三维建筑模型区域分割方法、系统及介质,其中,该方法包括:响应于接收用户交互信息,通过空间位置关系确定分割对象。基于分割对象的空间包围范围,确定分割对象的关联对象。基于关联对象和分割对象,通过预设的构件优先级规则,进行布尔运算,...
  • 本发明公开了一种具有阶梯浮空金属环的高压GaN基二极管,所述高压GaN基二极管包括N+GaN层、N‑GaN层、阶梯浮空金属环、阴极和阳极;所述N‑GaN层设置于N+GaN层上方,所述阶梯浮空金属环设置于N‑GaN层里面,所述阴极设置于N+G...
  • 本发明涉及数据处理技术领域,尤其涉及一种结合多方安全计算的企业债务人跨域画像特征抽取方法及系统,所述方法包括获取参与方本地存储的企业债务人原始数据,通过安全通信通道将各参与方接入多方安全计算系统,基于阈值密码学生成加密密钥对,公钥分发给各参...
  • 本发明提供一种用于制备电容器的半导体结构,该用于制备电容器的半导体结构包衬底及沟槽阵列,其中,衬底包括多个间隔设置的电容区,电容区中包括多个间隔设置且呈阵列排布的子电容区,沟槽阵列位于子电容区中并包括多个沟槽,位于同一子电容区中的多个沟槽间...
  • 本申请涉及变压器的技术领域,公开一种油浸式变压器,包括壳盖和壳体,所述壳盖可拆卸连接于壳体上,所述壳体上开设有供电气元件放置的放置槽,所述壳盖上设有灭火板,所述灭火板上开设有容纳槽,所述容纳槽内设有第一灭火剂,所述灭火板上设有驱动结构,所述...
  • 本实用新型涉及槽内立式泵技术领域,尤其涉及一种具有缓冲功能的槽内立式泵,包括泵座,泵座的顶端安装有泵体,泵座的内壁开设有空腔,空腔的内壁滑动连接有与泵体的底端固定安装的移动板,空腔的内壁固定连接有隔板,空腔的内壁滑动连接有两个呈镜像分布的矩...
  • 本实用新型涉及可调整尺寸的布尿裤,包括布尿裤本体,布尿裤本体由前布片、后布片和衔接布片组成,前布片外表面的两侧设置有第一魔术贴毛面,后布片的两端均设置有与第一魔术贴毛面粘贴配合的第一魔术贴刺面,第一魔术贴刺面的外表面设置有第二魔术贴毛面;前...
  • 本文公开了用于以促进用户隐私的方式管理活动日志的技术。一种技术可由集中式管理集控器实现,并且包括以下步骤:(1)从外围设备接收关于由外围设备检测到的活动的信息,其中该信息包括至少一个活动标签;(2)标识散列函数;(3)将至少一个活动标签提供...
  • 本发明提供了一种环保型驱虫抗菌内墙涂料及其制备方法。所述内墙涂料包含以下重量份的组分:润湿剂1‑3份、分散剂5‑8份、消泡剂1‑3份、防水剂4‑8份、钛白粉50‑100份、高岭土20‑80份、重钙粉20‑80份、贝壳粉100‑250份、丙二...
  • 晶体管器件及其制造方法,包括重掺杂第一导电类型的衬底和在衬底顶部轻掺杂第一导电类型的外延层。在外延层中形成掺杂有第二导电类型的本体区域,其中第二导电类型与第一导电类型相对,并且在外延层的本体区域中形成掺杂有第一导电类型的源区域。具有平面栅极...
  • 本申请实施例提供的绝缘栅双极型晶体管及其制作方法,涉及半导体功率器件及制造领域。为有效降低导通压降,N型电荷存储层中空穴浓度会显著上升,这会导致绝缘栅双极型晶体管在反向阻断时N型电荷存储层内的场强会指数级上升,集电极‑发射极反向阻断电压下降...
  • 本发明涉及锂离子电池正极分散剂技术领域,具体为聚醚改性磷酸酯分散剂及其应用,其中聚醚改性磷酸酯分散剂与传统的磷酸酯分散剂相比,其用途更广泛,在锂离子电池正极浆料中的分散效果更佳、加工得到的正极片柔韧性更强;同时涉及该聚醚改性磷酸酯分散剂在锂...
  • 本发明公开了一种MOSFET结构及其制备方法,属于半导体技术领域;包括由若干个相互并列的MOS元胞构成,单个MOS元胞包括漏极、半导体外延层、源极和栅极;本发明通过在N漂移层中间设置轻掺杂N层,并配合两侧弧形侧对称P‑层的设计,有效优化了器...
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