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最新专利技术
  • 移动数据流量传输速率检测方法、装置及电子设备
    移动数据流量传输速率检测方法、装置及电子设备_维沃移动通信有限公司_202510240042.0
    本申请公开了一种移动数据流量传输速率检测方法、装置及电子设备，属于电子设备技术领域，该方法包括：在核心网设备为电子设备配置的聚合最大比特率AMBR值小于比特率阈值，且所述电子设备未接收到数据流量限速提醒短信的情况下，获取电子设备与应用服务器...
    2025-09-24
  • 接入接入点的方法、装置及电子设备
    接入接入点的方法、装置及电子设备_新华三技术有限公司_202510237890.6
    本说明书提供一种接入接入点的方法、装置及电子设备。所述方法包括：接入点广播信标帧；终端设备接收接入点发送的信标帧，根据信标帧，向接入点发送管理报文，管理报文包括探测请求帧、认证请求帧和关联请求帧；接入点根据探测请求帧、认证请求帧以及关联请求...
    2025-09-24
  • 一种无人机集群通信链路信号同步方法
    一种无人机集群通信链路信号同步方法_西安爱生技术集团有限公司_202510229464.8
    本发明提供了一种无人机集群通信链路信号同步方法。利用信道时域相关特性，采用自回归模型对信道进行建模、预测，通过对信道特性进行补偿，提升无人机信号同步精度，本发明适用于通导一体化设计或其他时间同步、空间同步等对信号同步精度要求较高的场景。
    2025-09-24
  • 一种直通集群模式的动态时隙管理系统
    一种直通集群模式的动态时隙管理系统_广州维德科技有限公司_202510232342.4
    本发明涉及专网通信技术领域，并具体公开了一种直通集群模式的动态时隙管理系统，包括：帧结构配置模块，用于定义时分多址帧结构；时隙检测模块，用于在主叫端实时扫描当前帧内所有时隙的占用状态，生成空闲时隙列表，同时，在被叫端持续监听所有时隙的语音数...
    2025-09-24
  • 一种无人机集群混合多址接入方法
    一种无人机集群混合多址接入方法_西安爱生技术集团有限公司_202510229463.3
    本发明提供了一种无人机集群混合多址接入方法。针对不同的业务信息采用混合多址接入的方式，网内固定的遥控遥测信息采用固定时分的方式接入，时敏信息采用竞争的方式接入，引入节点优先级、业务优先级的概念，通过对时敏业务产生概率进行预测，保证高优先级业...
    2025-09-24
  • 灯光的控制方法、装置、电子设备及存储介质
    灯光的控制方法、装置、电子设备及存储介质_广州汽车集团股份有限公司_202510238965.2
    本申请提供了一种灯光的控制方法、装置、电子设备及存储介质，该方法包括：若在灯光响应于第一闪烁请求进行闪烁的过程中检测到第二闪烁请求，则获取第二闪烁请求对应的时间戳；基于第一闪烁请求对应的当前闪烁参数确定当前脉冲相位，并基于第二闪烁请求对应的...
    2025-09-24
  • 抗凝露结构、方法及车辆
    抗凝露结构、方法及车辆_蜂巢传动科技河北有限公司_202510231836.0
    本发明提供了一种抗凝露结构、方法及车辆，属于车载电器防护技术领域，本发明的抗凝露结构包括设于电器件上的透气装置，以及设于电器件内的检测装置。透气装置具有分别设置的第一通道和第二通道，第一通道和第二通道均将电器件内部与外界连通，且第一通道中设...
    2025-09-24
  • 一种表面纳米化金属散热器及其制备方法
    一种表面纳米化金属散热器及其制备方法_电子科技大学_202510230685.7
    本发明涉及散热技术领域，尤其涉及一种表面纳米化金属散热器及其制备方法。主旨在于提升表面发射率和促进自然对流散热的纳米结构，提升现有金属散热器的散热性能。主要方案包括发明以金属为衬底层，在金属表面生长一层三维多孔互连的类蜂窝结构金属纳米层。利...
    2025-09-24
  • 一种散热装置及电子设备
    一种散热装置及电子设备_联想(北京)有限公司_202510232755.2
    本申请提供了一种散热装置及电子设备，散热装置的第一盖体与第二盖体相对布置，并连接形成气密腔，气密腔用于容置冷却工质；工质具有第一状态和第二状态，其中第一状态的工质吸热由第一状态变为第二状态，第二状态的工质冷却由第二状态变为第一状态；第一工质...
    2025-09-24
  • OTP器件及其制备方法
    OTP器件及其制备方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202510238533.1
    本发明提供一种OTP器件及其制备方法，OTP器件包括有源区和X向有源区延伸部，第一接触孔在衬底上的投影落入X向有源区延伸部内。通过有源区和第一接触孔版图优化将第一接触孔设在没有层间介质层厚度叠加位置，该位置正好是覆盖相邻两个浮栅的层间介质层...
    2025-09-24
  • 一种闪存器件及其制备方法
    一种闪存器件及其制备方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202510238131.1
    本发明提供了一种闪存器件及其制备方法，应用于半导体制备技术领域。本发明中，一方面，通过在形成栅极氧化层前，先对形成有沟槽隔离的基底进行热处理，以利用热处理过程中可以改变沟槽隔离中绝缘材质的致密度的特性，避免沟槽隔离在后续湿法清洗中发生侧掏，...
    2025-09-24
  • 一种半导体存储装置的制备方法
    一种半导体存储装置的制备方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202510238202.8
    本发明提供了一种半导体存储装置的制备方法，应用于半导体制备技术领域。在本发明中，通过不设置光阻层和光罩，以对整个基底进行第一次离子注入的方式，以达到缩减形成第一阱区和第二阱区的光罩、光刻等相关工艺的目的，而后再通过后续注入的离子进行的反型离...
    2025-09-24
  • 一种半导体存储装置及其制备方法
    一种半导体存储装置及其制备方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202510238886.1
    本发明提供了一种半导体存储装置及其制备方法，应用于半导体制备技术领域。在本发明中，通过在形成逻辑区中高压器件的栅极结构过程，同步在电阻区中形成多晶硅电阻器的多晶硅材料的方式，实现无需额外增加制程工艺的基础上，便可简化多晶硅电阻器的制造方法以...
    2025-09-24
  • 一种半导体器件及其制作方法
    一种半导体器件及其制作方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202510238108.2
    本发明提供了一种半导体器件及其制作方法，应用于半导体制备技术领域。本发明中，基底可包括多个有源区和位于多个有源区一侧的端头区，阻挡层可位于端头区；因此，可利用阻挡层遮蔽端头区中的部分控制栅层和第一侧墙，进而在后续对控制栅层执行蚀刻形成多个分...
    2025-09-24
  • 半导体器件及其制备方法
    半导体器件及其制备方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202510238154.2
    本发明提供一种半导体器件及其制备方法，包括：提供衬底；在第一区域的衬底表面依次形成耦合氧化层和浮栅；在第二区域的衬底表面形成光阻层；采用各向异性刻蚀窗口暴露出的衬底，形成第一深度的初始浅沟槽；采用各向同性刻蚀初始浅沟槽，形成最终浅沟槽；在最...
    2025-09-24
  • 复合半导体器件及其制备方法
    复合半导体器件及其制备方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202510238175.4
    本发明提供一种复合半导体器件及其制备方法，包括：提供衬底，衬底用于集成闪存、输入输出器件和LDMOS器件；对闪存的高压N阱区和LDMOS器件的第一掺杂区同步执行第一N型离子掺杂；对输入输出器件的N阱区和LDMOS器件的第二掺杂区同步执行第二...
    2025-09-24
  • LDMOS器件及其形成方法
    LDMOS器件及其形成方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202510238234.8
    本发明提供一种LDMOS器件及其形成方法，包括：S1、提供P型衬底，在P型衬底的靠上区域形成N型深阱；在N型深阱的上表面区域形成若干间隔的场氧；S2、通过依次向N型深阱中离子注入，先后形成P阱和N型浅注入区，N型浅注入区作为阈值电压调节注入...
    2025-09-24
  • 半导体器件的形成方法
    半导体器件的形成方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202510238863.0
    本发明提供了一种半导体器件的形成方法，包括提供半导体基底，半导体基底包括衬底、位于衬底表面的第一栅氧化层以及位于第一栅氧化层表面的第一多晶硅层；对第一多晶硅层注入磷离子；对进行磷离子注入后的第一多晶硅层进行氧化处理，以使得第一多晶硅层形成氧...
    2025-09-24
  • 显示面板及其制作方法、显示装置
    显示面板及其制作方法、显示装置_惠科股份有限公司_202510237471.2
    本申请属于显示领域，具体涉及一种显示面板及其制作方法、显示装置，显示面板包括衬底基板以及依次形成在衬底基板上的第一金属层、栅极绝缘层、有源层、第二金属层、绝缘保护层和透明导电层，第一金属层包括第一栅极和第二栅极，栅极绝缘层至少覆盖第一金属层...
    2025-09-24
  • 显示面板及其制作方法、显示装置
    显示面板及其制作方法、显示装置_惠科股份有限公司_202510245450.5
    本申请属于显示领域，具体涉及一种显示面板及其制作方法、显示装置，显示面板包括衬底基板以及依次形成在衬底基板上的第一金属层、栅极绝缘层、有源层、第二金属层、绝缘保护层和透明导电层，第一金属层包括第一栅极和遮光单元，栅极绝缘层至少覆盖第一金属层...
    2025-09-24
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