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最新专利技术
  • 半导体结构及其制备方法
    半导体结构及其制备方法_长鑫科技集团股份有限公司_202410050323.5
    本公开实施例涉及一种半导体结构及其制备方法，半导体结构包括：阵列排布的多个有源组，有源组包括沿第一方向间隔排布的两个半导体柱；对应于一有源组且沿第一方向间隔排布的一条体区控制线以及两条字线，体区控制线位于两个半导体柱的彼此靠近的第一侧壁上，...
    2025-08-12
  • 一种降低图像传感器噪声的方法及图像传感器
    一种降低图像传感器噪声的方法及图像传感器_格科微电子(上海)有限公司_202410052120.X
    本发明提供一种降低图像传感器噪声的方法及图像传感器，包括：将所述图像传感器的像素阵列划分为若干像素子列，于各所述像素子列两侧形成像素列隔离结构，使各所述像素子列的半导体衬底之间完全电学隔离，以减少各所述像素子列之间的衬底噪声干扰。本发明的方...
    2025-08-12
  • 一种叠层结构及检测设备
    一种叠层结构及检测设备_华为技术有限公司_202410055093.1
    本申请提供一种叠层结构及检测设备，用以提高光电探测器的频率响应带宽。叠层结构包括：依次层叠设置的阴极接触层、收集层、电荷控制层、吸收层和阳极接触层。其中，吸收层用于吸收光子，并在光子的激发下产生电子和空穴。收集层用于收集电子，阴极接触层和阳...
    2025-08-12
  • 发光组件和发光装置
    发光组件和发光装置_京东方科技集团股份有限公司_202410050963.6
    本公开涉及一种发光组件和发光装置。其中，发光组件，包括：基板；发光器件，设置于所述基板上，所述发光器件与所述基板电连接；透镜器件，包括：透镜本体和密封环结构，所述透镜本体安装在所述基板上，并且至少部分所述发光器件位于所述透镜本体内；所述密封...
    2025-08-12
  • 自适应敏化人工神经元及其制备方法和应用
    自适应敏化人工神经元及其制备方法和应用_北京航空航天大学_202410051341.5
    本发明涉及人工神经元技术领域，具体涉及一种自适应敏化人工神经元及其制备方法和应用。一种自适应敏化人工神经元，包括钙钛矿镍酸盐薄膜器件。在本发明的自适应敏化人工神经元，基于钙钛矿镍酸盐薄膜器件的自适应敏化性能，将其作为自适应敏化人工神经元应用...
    2025-08-12
  • 碳纳米管分散组合物及其利用
    碳纳米管分散组合物及其利用_爱天思株式会社_202480005286.4
    本发明能够提供一种导电性高且流动性及贮藏稳定性良好的碳纳米管分散组合物、以及使用所述碳纳米管分散组合物的电极用复合材浆料及电极膜，由此能够提供一种具有优异的速率特性及循环特性的非水电解质二次电池。一种碳纳米管分散组合物，为包含平均外径3nm...
    2025-08-12
  • 摩托车
    摩托车_浙江春风动力股份有限公司_202410045732.6
    本发明公开了一种摩托车，该摩托车包括车架、行走组件、动力组件、车身覆盖件和风翼组件。行走组件包括前轮和后轮。动力组件传动连接至前轮和后轮中至少之一。车身覆盖件至少部分覆盖车架且包括整流罩。车身覆盖件包括，风翼组件包括风翼、驱动件、连杆、固定...
    2025-08-12
  • 一种具有面内微区异质的超薄金属钒酸盐纳米带的制备方法和应用
    一种具有面内微区异质的超薄金属钒酸盐纳米带的制备方法和应用_北京理工大学_202410042951.9
    本发明提供了一种具有面内微区异质的超薄钒酸盐纳米带的制备方法和应用，利用水热合成法以Na3VO4或NH4VO3和不同摩尔比的金属氯化物为前驱体，得到了不...
    2025-08-12
  • 一种新型的楼房搭建系统
    一种新型的楼房搭建系统_武汉悉道建筑科技有限公司_202410050062.7
    本发明涉及建筑结构技术领域，尤其涉及一种新型的楼房搭建系统。包括：梁、立柱、墙、内部连接件、角部连接件和底部封闭件；所述梁、所述立柱和所述墙的主体结构由压型钢板拼接而成，所述内部连接件在所述梁、立柱、墙的内部连接所述压型钢板，所述角部连接件...
    2025-08-12
  • 一种用于房屋梁柱墙连接件结构
    一种用于房屋梁柱墙连接件结构_武汉悉道建筑科技有限公司_202410045016.8
    本发明涉及建筑配件技术领域，特别是涉及一种用于房屋梁柱墙连接件结构。包括：拐角连接件和内部连接件，所述拐角连接件与所述内部连接件共同配合连接房屋的梁、立柱、墙结构；所述拐角连接件由钢板通过模具压制而成，所述拐角连接件的拐角呈90°弯折，所述...
    2025-08-12
  • 一种新型的房屋墙体结构
    一种新型的房屋墙体结构_武汉悉道建筑科技有限公司_202410045005.X
    本发明涉及建筑结构技术领域，尤其涉及一种新型的房屋墙体结构。包括：钢板、内部连接件、底部封闭件和几型连接件；所述钢板为压型钢板，构成剪力墙的主体结构，所述内部连接件在所述钢板的内部连接固定所述钢板，所述底部封闭件位于所述钢板的底部，封闭钢板...
    2025-08-12
  • 一种新型的立柱结构
    一种新型的立柱结构_武汉悉道建筑科技有限公司_202410047131.9
    本发明涉及建筑结构技术领域，尤其涉及一种新型的立柱结构。包括：钢板、T型连接件、几型连接件和底部封闭件；所述钢板为压型钢板，构成所述立柱的主体结构，所述T型连接件位于所述立柱的内部，连接所述钢板，所述几型连接件用于连接两块所述钢板的拼接处，...
    2025-08-12
  • 一种防止漏浆的房屋连接件结构
    一种防止漏浆的房屋连接件结构_武汉悉道建筑科技有限公司_202410044998.9
    本发明涉及建筑配件技术领域，尤其涉及一种防止漏浆的房屋连接件结构。包括：底部封闭件、几型连接件和钢板；所述钢板为压型钢板，作为拼接房屋梁、立柱、墙的主体结构，所述底部封闭件与所述几型连接件，封闭所述钢板之间，以及钢板与地面之间的缝隙；所述底...
    2025-08-12
  • 单元的校验方法、装置及电子设备
    单元的校验方法、装置及电子设备_北京罗克维尔斯科技有限公司_202410046357.7
    本申请公开一种单元的校验方法、装置及电子设备，涉及软件测试技术领域，包括：获取第一配置信息和第二配置信息，第一配置信息为新部署单元的第一配置服务在配置中心获取的全量信息，第二配置信息为基准单元的第二配置服务在配置中心获取的全量信息；若第一配...
    2025-08-12
  • 一种数据处理方法、装置、电子设备及存储介质
    一种数据处理方法、装置、电子设备及存储介质_北京字跳网络技术有限公司_202410045695.9
    本公开实施例提供了一种数据处理方法、装置、电子设备及存储介质。所述方法，包括：获取待处理数据，所述待处理数据包括堆栈数据和对应的插桩数据；根据所述堆栈数据和所述插桩数据，确定所述插桩数据中待补全数据；确定所述待补全数据的耗时信息；将所述待补...
    2025-08-12
  • 测试信息传递方法、电子设备、装置及存储介质
    测试信息传递方法、电子设备、装置及存储介质_大唐联仪科技有限公司_202410047458.6
    本申请提供一种测试信息传递方法、电子设备、装置及存储介质，该方法包括：测试控制端根据测试信息生成接口消息，所述接口消息的消息结构包括基本消息结构部分以及新增字段所对应的拓展信息结构部分；将所述接口消息发送给适配层，以供所述适配层解析所述接口...
    2025-08-12
  • 转移载板、显示背板及其制备方法和显示装置
    转移载板、显示背板及其制备方法和显示装置_京东方科技集团股份有限公司_202410045219.7
    本申请实施例提供一种转移载板、显示背板及其制备方法和显示装置，转移载板包括凹槽，凹槽包括滑面侧壁与位于凹槽底部的平台区域，其中，滑面侧壁的上缘的尺寸大于发光元件的尺寸，滑面侧壁的下缘的尺寸小于或等于发光元件的尺寸；贯穿转移载板的通孔，通孔中...
    2025-08-12
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410046396.7
    一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括衬底，衬底包括存储单元区；选择栅结构，位于存储单元区的衬底上；浮栅结构，位于选择栅结构侧部的存储单元区的衬底上，且与选择栅结构间隔设置；控制栅结构，位于浮栅结构上，且与浮栅结构相绝缘；漏区，位于选择...
    2025-08-12
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410045400.8
    一种半导体结构及其形成方法，半导体结构中，栅极结构包括栅电极层和栅介质层，所述栅介质层包裹栅电极层的底部和侧壁；源漏掺杂层位于所述栅极结构两侧的鳍部中；源漏互连层从所述衬底的底面一侧嵌于所述基底中并连接所述源漏掺杂层；由于所述栅介质层包裹所...
    2025-08-12
  • 半导体装置及其形成方法
    半导体装置及其形成方法_世界先进积体电路股份有限公司_202410042945.3
    一种半导体装置及其形成方法，其中，半导体装置具有第一导电类型的基底、形成于基底上且具有第一导电类型的外延层、第一元件以及与第一元件电连接的第二元件。第一元件包含第一栅极沟槽结构和第一遮蔽部，基底作为第一元件的漏极。第二元件包含第二栅极沟槽结...
    2025-08-12
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