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最新专利技术
  • 双RIS辅助的反向散射通信系统中最大化能量效率的方法
    双RIS辅助的反向散射通信系统中最大化能量效率的方法_焦作智造机电设备有限公司_202510241045.6
    本发明公开了一种双RIS辅助的反向散射通信系统中最大化能量效率的方法，适用于两个RIS辅助的反向散射通信系统。首先建立该系统中最大化能量效率的优化问题，优化参数为RIS相移、总功率、功率分配和反向散射设备的反射系数，约束条件为功率限制和用户...
    2025-09-29
  • 双RIS辅助的反向散射通信系统中最大化和速率的方法
    双RIS辅助的反向散射通信系统中最大化和速率的方法_焦作智造机电设备有限公司_202510241041.8
    本发明公开了一种双RIS辅助的反向散射通信系统中最大化和速率的方法，适用于两个RIS辅助的反向散射通信系统。首先建立双RIS辅助的反向散射通信系统中最大化和速率的优化问题，优化参数为RIS相移、功率分配和反向散射设备的反射系数，约束条件为功...
    2025-09-29
  • 一种基于5G NR V2I网络的速度自适应实现公平接入方法
    一种基于5G NR V2I网络的速度自适应实现公平接入方法_信控(宿迁)科技有限公司_202510237507.7
    本发明属于车联网技术领域，公开了一种基于5G NR V2I网络的速度自适应实现公平接入方法，主要步骤如下：1.对信道进行建模，得出不同车辆的传输速率；2.分析车辆的成功解码率；3.定义车辆公平性指数，得出公平性指数与车辆选择窗口大小和速度之...
    2025-09-29
  • 一种实现0-10V调光以及多档设定的控制电路
    一种实现0-10V调光以及多档设定的控制电路_苏州烁米电子科技有限公司_202510239660.3
    本发明提供一种实现0‑10V调光以及多档设定的控制电路，应用于调光电路技术领域，包括调光信号输入端、供电电压正极端、供电电压负极端、输出电压端和控制端，用于将调光信号转换成所需的电压信号，其中，调整控制端连接的电阻阻值以调整输出电压的最大电...
    2025-09-29
  • 一种PCB板打孔装置
    一种PCB板打孔装置_湖南群展电子有限公司_202510237601.2
    本发明提供一种PCB板打孔装置，包括：工作台，工作台表面的左右两侧均设置有移动组件，工作台表面的一侧安装有支架，支架的表面安装有打孔机主体，放置台设置于两个移动组件的上方，放置台的上方设置有定位组件，推动装置设置于定位板的一侧，多个调节组件...
    2025-09-29
  • 一种高精度硅基半导体多晶硅膜电阻的制备方法
    一种高精度硅基半导体多晶硅膜电阻的制备方法_安徽芯质智能科技有限公司_202510247666.5
    本发明涉及半导体技术领域，公开了一种高精度硅基半导体多晶硅膜电阻的制备方法，包括以下具体步骤：步骤一：选高质量的硅衬底，对其进行严格的清洗，去除表面的杂质和污染物，通过热氧化工艺在衬底上生长一层薄的二氧化硅绝缘层，以提高电阻与衬底之间的绝缘...
    2025-09-29
  • 高浪涌MOS结构及其制备方法
    高浪涌MOS结构及其制备方法_无锡旷通半导体有限公司_202510241732.8
    本发明涉及一种高浪涌MOS结构及其制备方法，其包括栅极结构，至少设置有两个，栅极横条，设置在相邻的两个栅极结构之间且至少设置有两个，第二导电类型体区设置在相邻两个栅极结构之间，且所述栅极横条两侧的所述第二导电类型体区相连，第一导电类型第一源...
    2025-09-29
  • 半导体器件的制备方法以及半导体器件
    半导体器件的制备方法以及半导体器件_上海积塔半导体有限公司_202510245510.3
    本公开提供一种半导体器件的制备方法以及半导体器件，其中，方法包括：提供一基底；其中，所述基底包括衬底、第一阱区、第二阱区以及栅极结构，所述第一阱区位于所述衬底的一侧，所述第一阱区具有第一型导电性，所述第二阱区与所述第一阱区位于所述衬底的同侧...
    2025-09-29
  • 一种碲镉汞芯片钝化层的开孔方法
    一种碲镉汞芯片钝化层的开孔方法_浙江珏芯微电子有限公司_202510243402.2
    本发明提出了一种碲镉汞芯片钝化层的开孔方法，包括步骤：提供待开孔的碲镉汞芯片，所述碲镉汞芯片依次包含衬底、碲镉汞材料层及钝化层；在所述钝化层表面设置图案化的光刻胶；采用干法刻蚀工艺刻蚀所述钝化层，形成沟槽，所述沟槽深度小于所述钝化层厚度；采...
    2025-09-29
  • 一种碲镉汞芯片钝化层的开孔方法
    一种碲镉汞芯片钝化层的开孔方法_浙江珏芯微电子有限公司_202510243401.8
    本发明提出了一种碲镉汞芯片钝化层的开孔方法，包括步骤：提供待开孔的碲镉汞芯片，所述碲镉汞芯片依次包含衬底、碲镉汞材料层及钝化层；在所述钝化层表面设置图案化的光刻胶；采用干法刻蚀工艺刻蚀所述钝化层及碲镉汞材料层，在所述钝化层形成开孔，在碲镉汞...
    2025-09-29
  • 改善光电性能的发光二极管及其制备方法
    改善光电性能的发光二极管及其制备方法_京东方华灿光电(苏州)有限公司_202510241055.X
    本公开提供了一种改善光电性能的发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括：外延层、透明导电层、电流阻挡层和手指条，透明导电层和电流阻挡层均位于外延层的表面上，透明导电层还覆盖电流阻挡层，手指条位于透明导电层的远离外延层...
    2025-09-29
  • 一种显示面板和显示装置
    一种显示面板和显示装置_天马新型显示技术研究院(厦门)有限公司_202510245030.7
    本发明公开了一种显示面板和显示装置，显示面板包括：衬底；位于衬底上的多个发光元件；位于衬底上且与发光元件同侧的多个反射柱，反射柱设置在相邻两个发光元件之间，反射柱包括反光堤部，反光堤部包括侧面以及面向衬底的底面，反光堤部的侧面和底面之间形成...
    2025-09-29
  • 一种具有碲化锌界面层的顶入射硒化铅量子点探测器
    一种具有碲化锌界面层的顶入射硒化铅量子点探测器_北京理工大学长三角研究院(嘉兴)_202510241846.2
    本发明公开了一种具有碲化锌界面层的顶入射硒化铅量子点探测器，具体为一种ZnTe材料作为界面层在顶入射PbSe量子点探测器中的应用。该顶入射硒化铅量子点探测器，包括由下至上依次层叠设置的玻璃基底、透明底电极、ZnO电子传输层、PbSe‑hal...
    2025-09-29
  • 一种显示面板及显示装置
    一种显示面板及显示装置_天马新型显示技术研究院(厦门)有限公司_202510245034.5
    本申请提供一种显示面板和显示装置，显示面板包括第一区域和第二区域，第一区域位于第二区域靠近显示面板边缘的一侧，显示面板包括衬底基板、引出导线和导电垫，引出导线位于衬底基板一侧且位于第一区域，引出导线包括第一引出线、第二引出线以及位于第一引出...
    2025-09-29
  • 一种钙钛矿薄膜及其制备方法和应用
    一种钙钛矿薄膜及其制备方法和应用_华能青海发电有限公司_202510243472.8
    本申请属于光伏材料技术领域，具体涉及一种钙钛矿薄膜及其制备方法和应用。所述钙钛矿薄膜，包括钙钛矿前驱体和二维钙钛矿，所述钙钛矿前驱体和所述二维钙钛矿的摩尔比为1：(0.01‑0.1)。本申请的有益效果包括：本申请所述钙钛矿薄膜中引入了二维钙...
    2025-09-29
  • 一种电弧炉冶炼直接还原铁在熔池内钢液中的脱氮方法
    一种电弧炉冶炼直接还原铁在熔池内钢液中的脱氮方法_上海大学_202510237378.1
    本发明公开一种电弧炉冶炼直接还原铁在熔池内钢液中的脱氮方法。该方法先利用原料预热装置将DRI预热并通入CO预处理，再与废钢分层铺入电弧炉，依冶炼钢种调整二者比例。熔炼期向熔池加入碳粉，促使氮进入渣中，同时调控单元控制氧气流量，碳氧反应产热并...
    2025-09-29
  • 一种采用高密度碳球配碳的电炉炼钢方法
    一种采用高密度碳球配碳的电炉炼钢方法_上海大学_202510237379.6
    本发明公开一种采用高密度碳球配碳的电炉炼钢方法。该方法通过特定配碳理论计算模型，依据冶炼钢种所需增碳含量算出高密度碳球质量，先在料篮底部铺入碳球再加入直接还原铁，利用料篮特殊放料口设计，使碳球先于直接还原铁入炉以提高配碳效率。高密度碳球体积...
    2025-09-29
  • 一种锂硫电池PDOL基原位聚合凝胶电解质制备方法
    一种锂硫电池PDOL基原位聚合凝胶电解质制备方法_中国人民解放军军事科学院防化研究院_202510237290.X
    本发明属于化学电源领域，具体涉及一种锂硫电池PDOL基原位聚合凝胶电解质制备方法。该方法利用缺陷化金属有机框架(MOFs)促进1,3‑二氧戊环(DOL)在常温常压下原位聚合，形成具有功能性基团的聚合物电解质层。该聚合物电解质层不仅有效抑制了...
    2025-09-29
  • 一种适用极端事件下电缆中间接头保护装置
    一种适用极端事件下电缆中间接头保护装置_重庆泰山电缆有限公司_202510237263.2
    本发明属于电缆连接技术领域，具体涉及一种适用极端事件下电缆中间接头保护装置，包括上壳体、下壳体、二次防爆组件和灭弧组件；上壳体和下壳体组合构成主体壳体结构，二次防爆组件和灭弧组件位于主体壳体结构的内部，二次防爆组件设置于主体壳体结构中轴线区...
    2025-09-29
  • 互调测试网络及其控制方法
    互调测试网络及其控制方法_成都蓝大科技有限公司_202510237343.8
    本发明提供了一种互调测试网络及其控制方法，所述方法包括如下步骤：通过交换机向多个互调测试设备发送测试指令；基于所述交换机接收所述多个互调测试设备上传的测试数据，基于多个测试数据生成互调测试报告。所述方法通过交换机向多个互调测试设备发送测试指...
    2025-09-29
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