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航空航天装置制造技术
  • 气体燃烧器和家用器具
    气体燃烧器和家用器具_英特尔资产公司_202080090817.6
    一种家用气体燃烧器，特别是用于烹饪装置，包括具有燃烧器室的燃烧器壳体，该燃烧器室可以联接到可选受控的气体燃料供给装置并通过一系列火焰端口与环境开放连通，以用于点燃气体火焰的目的，其中，入口装置联接到燃烧器壳体，该入口装置包括用于接收气体燃料...
    2026-03-11
  • 一种声表面波器件
    一种声表面波器件_天通瑞宏科技有限公司_202311607372.6
    本发明公开了一种声表面波器件，包括第一区域和第二区域；声表面波器件还包括：至少一个第一跨接走线；位于第一区域的至少一个第一滤波器；与第一滤波器一一对应设置的第一接地网络，且各第一接地网络均位于第一区域；位于第二区域且与第一滤波器一一对应设置...
    2026-03-11
  • 用于刺激毛发生长的组合物和方法
    用于刺激毛发生长的组合物和方法_安普力菲卡控股集团公司_202480041261.X
    本文公开了包含含有CD44结合位点和/或钙结合位点的肽的组合物以及通过使用该组合物刺激毛发生长的方法。
    2026-03-11
  • 一种三维荧光共价有机框架及其制备方法与应用
    一种三维荧光共价有机框架及其制备方法与应用_浙江工业大学_202310336694.5
    本发明公开了一种三维荧光共价有机框架及其制备方法与应用，通过将四位点的芘氨基单体与三位点的醛基单体通过溶剂热的方法合成了一种具有fjh拓扑网络结构的三维共价有机框架，该共价有机框架在溶液中具有优异的荧光性能，并且对呋喃妥因具有灵敏的响应和特...
    2026-03-11
  • 一种可调电容校准方法及校准装置
    一种可调电容校准方法及校准装置_江苏神州半导体科技股份有限公司_202511721287.1
    本发明属于电容控制技术领域，具体涉及一种可调电容校准方法及校准装置。校准方法包括将电容总行程划分为若干区间点位，上电并控制电容旋转至第0点；测量当前点位的电容值；将输入的电容值与目标电容表格对照计算得出偏差值；判断偏差值是否小于目标误差值；...
    2026-03-11
  • 一种蜂花粉总酚胺、制备方法及其在缓解玉米赤霉烯酮毒性中的应用
    一种蜂花粉总酚胺、制备方法及其在缓解玉米赤霉烯酮毒性中的应用_吉林农业科技学院_202511250610.1
    本发明公开了一种蜂花粉总酚胺、制备方法及其在缓解玉米赤霉烯酮毒性中的应用，属于农业技术领域。本发明提取得到的蜂花粉总酚胺可减少ZEA的生物蓄积，减轻脏器病理损伤；通过激活Nrf2/GPX4信号通路抑制脂质过氧化反应，上调BTB核心蛋白，恢复...
    2026-03-11
  • 弹性波谐振器、滤波器及电子设备
    弹性波谐振器、滤波器及电子设备_江苏卓胜微电子股份有限公司_202520168116.X
    本申请公开了一种弹性波谐振器、滤波器及电子设备，属于声表面波技术领域。弹性波谐振器包括依次层叠的支撑层、压电层和叉指换能器，叉指换能器包括多个第一电极指、第二电极指以及沿第一方向相对布置汇流条，第一电极指和第二电极指沿第一方向延伸，沿第二方...
    2026-03-11
  • 弹性波谐振器、滤波器及通信设备
    弹性波谐振器、滤波器及通信设备_江苏卓胜微电子股份有限公司_202520175600.5
    本申请公开了一种弹性波谐振器、滤波器及通信设备，属于声表面波技术领域。弹性波谐振器包括：依次层叠的支撑层、压电层和叉指换能器，叉指换能器包括多个第一电极指和多个第二电极指，第一电极指和第二电极指沿第一方向延伸，沿第二方向交替排布，第一电极指...
    2026-03-11
  • 功率半导体芯片顶部金属层的制备方法与应用
    功率半导体芯片顶部金属层的制备方法与应用_深圳市先进连接科技有限公司_202511687776.X
    本发明公开了一种功率半导体芯片顶部金属层的制备方法与应用，涉及功率半导体连接技术领域，其中方法包括：将金属烧结材料涂覆在功率半导体芯片或晶圆的顶部，接着进行烧结处理；当烧结处理为有压烧结处理时，将涂覆金属烧结材料的功率半导体芯片或晶圆以第一...
    2026-03-11
  • 基于压电陶瓷驱动的高精度腔光力微陀螺仪
    基于压电陶瓷驱动的高精度腔光力微陀螺仪_电子科技大学_202511795931.X
    本发明公开了基于压电陶瓷驱动的高精度腔光力微陀螺仪，包括固定柱、机械结构、光学结构、压电陶瓷和基座，固定柱位于机械结构的四角位置，光学结构位于机械结构的两端，压电陶瓷和基座位于机械结构的下部位置。所述光学结构包括腔光力系统和波导结构，腔光力...
    2026-03-11
  • 一种掩膜版及打印装置
    一种掩膜版及打印装置_通威太阳能(成都)有限公司_202520519732.5
    本实用新型涉及太阳电池制造装置技术领域，公开一种掩膜版及打印装置，用于制作图形化的太阳电池，所述掩膜版包括：掩膜框；丝网，所述丝网设置在所述掩膜框内，所述丝网包括丝网骨架以及被所述丝网骨架分隔的若干镂空网格，所述丝网骨架与所述掩膜框相连接；...
    2026-03-11
  • 一种用于无缝钢管热轧加工的驱动传动组件及方法
    一种用于无缝钢管热轧加工的驱动传动组件及方法_山东新申昊智能装备有限公司_202511699886.8
    本发明公开了一种用于无缝钢管热轧加工的驱动传动组件及方法，本发明涉及节能设备技术领域。该用于无缝钢管热轧加工的驱动传动组件及方法，通过节能型驱动机构、热传导架机构、功能筒机构、传动架机构、润滑油收集机构以及传动轧辊的配合，当高温无缝钢管经过...
    2026-03-11
  • 一种利用雨水对光伏板表面清理的装置
    一种利用雨水对光伏板表面清理的装置_国网江苏省电力有限公司盐城供电分公司_202411488412.4
    本发明公开了一种利用雨水对光伏板表面清理的装置，涉及光伏板技术领域，包括底座、安装板和光伏板主体，所述底座上端活动安装有安装板，所述安装板内壁安装有光伏板主体，所述底座内部开设有集水仓，所述底座上端安装有集水板，所述底座内部安装有抽水箱，所...
    2026-03-11
  • 制袋机的袋底供气装置
    制袋机的袋底供气装置_安徽欣隆包装科技有限公司_202520637424.2
    本申请涉及制袋机的袋底供气装置的技术领域，制袋机的袋底供气装置，包括固定框，所述固定框的一侧固定安装有连接板，所述连接板的上端固定安装有气泵，所述气泵的上端连接有出气管，所述气泵的一侧连接有进气管，所述进气管的一侧固定安装有螺纹套管，所述螺...
    2026-03-11
  • 一种双马泡沫吸波材料板及其制备方法
    一种双马泡沫吸波材料板及其制备方法_中国科学院金属研究所_202610141491.4
    本发明涉及卫星隐身技术领域，具体地说是一种双马泡沫吸波材料板及其制备方法。本发明以双马来酰亚胺树脂及其固化剂、碳纤维和发泡剂为原料，制备出多种不同宽频复介电常数的双马泡沫吸波材料成品片，将成品片按宽频复介电常数由小到大的顺序粘接得到三层匹配...
    2026-03-11
  • 一种金属丝外周加工设备及高强度金属加工工艺
    一种金属丝外周加工设备及高强度金属加工工艺_合肥亿昌兴精密机械有限公司_202610052392.9
    本发明涉及金属丝加工技术领域，公开了一种金属丝外周加工设备及高强度金属加工工艺，包括拔丝机，所述拔丝机上设置有收集箱，所述收集箱的内侧设置有若干水平阵列分布的刮板，所述收集箱的外侧设置有电机，所述收集箱的底部设置有回收滤网，所述收集箱两侧对...
    2026-03-11
  • 一体化污水处理设备用悬浮填料拦截装置
    一体化污水处理设备用悬浮填料拦截装置_山东公用北湖污水处理有限公司_202520595292.1
    本实用新型涉及一种一体化污水处理设备用悬浮填料拦截装置，属于污水处理技术领域。包括用于拦截悬浮球填料悬浮填料拦截网，沿旋转轴的长度方向设置有刮刀机构，旋转轴上间隔设置有两组牵引连杆，上层轨道梁上滑动设置有上层轨道车，所述旋转轴的上端与安装在...
    2026-03-11
  • 一种具有皮肤屏障修复和抗炎功效的环九肽及其应用
    一种具有皮肤屏障修复和抗炎功效的环九肽及其应用_珀莱雅化妆品股份有限公司_202610141741.4
    本发明公开了一种具有皮肤屏障修复和抗炎功效的环九肽，所述环九肽的氨基酸序列为：环(精氨酸‑甘氨酸‑天冬氨酸‑丝氨酸‑精氨酸‑赖氨酸‑缬氨酸‑赖氨酸‑色氨酸)。本发明的环九肽能够提升兜甲蛋白(LOR)、丝聚蛋白的(FLG)和水通道蛋白(AQP...
    2026-03-11
  • 半导体装置
    半导体装置_碇基半导体股份有限公司_202510303921.3
    一种半导体装置，包含主动层、源极电极与漏极电极、源极金属层、漏极金属层以及源极垫。主动层包含主动区。源极电极与漏极电极设置于主动层的主动区上且延伸于第一方向。源极金属层设置于主动区且电性连接至源极电极，其中源极金属层延伸于第二方向并在俯视图...
    2026-03-11
  • 半导体器件的制造方法
    半导体器件的制造方法_青岛澳柯玛云联信息技术有限公司_202411149575.X
    本发明提供一种半导体器件的制造方法，在有源区的顶角处形成多级阶梯式结构，增加了有源区顶角处的表面面积，同时增加了器件隔离结构和有源区侧壁之间的距离，在后续原位生长栅氧化层时，避免器件隔离结构对栅氧化层的挤压，并改善栅氧化层的生长速率统一化及...
    2026-03-11
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