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航空航天装置制造技术
  • 用于定位和感测的小区DRX影响参考信号
    用于定位和感测的小区DRX影响参考信号_高通股份有限公司_202480040247.8
    描述了用于定位和感测的小区DRX影响参考信号的装置和方法。一种装置被配置为从网络实体接收UL参考信号配置指示。UL参考信号配置将UL参考信号发送时机集合与和UE相关联的小区的活动/不活动DRX模式相关联。该装置被配置为基于UL参考信号配置来...
    2026-01-16
  • 基于三维地质雷达数据智能分析的多维展示方法和系统
    基于三维地质雷达数据智能分析的多维展示方法和系统_安徽省七星工程测试有限公司_202511415215.4
    本发明属于地学信息技术领域，涉及基于三维地质雷达数据智能分析的多维展示方法和系统，其首先将三维地质雷达数据转化为图像，建立图像像素与实际物理尺寸的精确映射关系，实现智能识别从图像异常区域解译到定量分析的跨越，其次基于多维协同可视化界面，其在...
    2026-01-16
  • 一种功能化纸芯片的乳酸含量荧光可见光双模可视化检测方法
    一种功能化纸芯片的乳酸含量荧光可见光双模可视化检测方法_江苏科技大学_202511870234.6
    本发明属于食品品质快速检测技术领域，具体涉及一种功能化纸芯片的乳酸含量荧光可见光双模可视化检测方法。主要步骤包括包括功能化纸芯片制备、荧光可见光乳酸纸芯片半定量比色卡制备、乳酸含量荧光可见光双模半定量分析三个步骤。本发明首次提出乳酸检测纸芯...
    2026-01-16
  • 一种检测低浓度硫化物气相色谱系统及方法
    一种检测低浓度硫化物气相色谱系统及方法_中国电力科学研究院有限公司_202511389663.1
    本发明提供了一种检测低浓度硫化物气相色谱系统及方法, 该发明通过设置高低温传动系统，利用解析管在低温条件下对低浓度硫化物进行吸附作用，在高温条件下对硫化物脱附的特性，结合气相色谱仪中脉冲氦离子化检测器(PDD)，实现了硫化物ppb级别的检测...
    2026-01-16
  • 内存完整性保护方法、装置、处理器及计算机系统
    内存完整性保护方法、装置、处理器及计算机系统_海光云芯集成电路设计(上海)有限公司_202511649911.1
    本发明实施例提供一种内存完整性保护方法、装置、处理器及计算机系统，所述方法应用于支持虚拟机运行的处理器，包括：接收虚拟机启动指令；响应于虚拟机启动指令，读取处理器中，系统控制寄存器存储的实际宿主机内存缓存属性信息；实际宿主机内存缓存属性信息...
    2026-01-16
  • 基于POSSIBS的DRX
    基于POSSIBS的DRX_高通股份有限公司_202480039926.3
    在一方面，用户装备(UE)执行基于针对一个或多个定位系统信息块(posSiB)的发送调度的非连续接收(DRX)配置。UE可在由UE执行的DRX配置的开启历时期间接收一个或多个posSiB。
    2026-01-16
  • 一种高斯场景悬浮点剔除方法、系统、设备及存储介质
    一种高斯场景悬浮点剔除方法、系统、设备及存储介质_深圳积木易搭科技技术有限公司_202511894053.7
    本发明实施例提出一种高斯场景悬浮点剔除方法、系统、设备及存储介质，涉及点云图像技术领域。方法包括：获取目标场景的三维点云数据和图像数据；对点云数据进行压缩并保留关键几何特征，得到处理后的三维点云数据；对图像数据进行语义分割，得到语义分割图像...
    2026-01-16
  • 一种线对板连接器
    一种线对板连接器_浙江正理生能科技有限公司_202520013621.7
    本实用新型涉及电子连接器领域，公开了一种线对板连接器，包括基座本体，所述基座本体的上端面中心处固定连接有四个端子互配槽，四个所述端子互配槽的上端分别连接有本体，四个所述本体的侧壁中心处分别贯穿设置有定位孔，四个所述本体的四个侧壁靠上端处分别...
    2026-01-16
  • 一种混凝土加工用污水处理装置
    一种混凝土加工用污水处理装置_任丘市弘坤门业有限公司_202511591071.8
    本发明公开了一种混凝土加工用污水处理装置，涉及污水处理技术领域。该混凝土加工用污水处理装置，包括：处理箱主体，所述处理箱主体的内部装配有污水处理仓，所述污水处理仓的内部装配有滤板，所述处理箱主体的内部装配有由线性电机驱动的动力板。该混凝土加...
    2026-01-16
  • 一种清洗剂包装盖智能精准定位安装设备
    一种清洗剂包装盖智能精准定位安装设备_广州市利迪汽车用品有限公司_202511828689.1
    本发明涉及包装自动化设备技术领域，具体为一种清洗剂包装盖智能精准定位安装设备，包括底板，所述底板的底端固定连接有底部支架，靠一侧的所述侧边支架的顶端设置有输入装置；所述底板的顶端设置有安装机构，所述安装机构包括固定于底板顶端的两个底端固定座...
    2026-01-16
  • 一种Lowe钢化镀膜玻璃
    一种Lowe钢化镀膜玻璃_华辉玻璃(中国)有限公司_202520125816.0
    本实用新型公开了一种Lowe钢化镀膜玻璃，涉及Lowe钢化镀膜玻璃领域，包括钢化镀膜玻璃本体，还包括固定机构，所述固定机构包括固定框，所述固定框活动套设于钢化镀膜玻璃本体的外侧，所述固定框内壁一侧固定安装有阻隔板，所述固定框内壁另一侧的两端...
    2026-01-16
  • 基于旋转多边透射棱镜的单激光分多振镜打印装置及方法
    基于旋转多边透射棱镜的单激光分多振镜打印装置及方法_爱司凯科技股份有限公司_202511809943.3
    本发明公开了一种基于旋转多边透射棱镜的单激光分多振镜打印装置及方法，属于3D打印技术领域，该装置包括激光机构、分束机构和k个振镜模块，所述的分束机构包括多边透射棱镜和旋转机构，多边透射棱镜包括若干透射镜片组，若干透射镜片组首尾相连组成环形结...
    2026-01-16
  • 一种大尺寸月球砖的阶梯式微波加热制备方法
    一种大尺寸月球砖的阶梯式微波加热制备方法_哈尔滨工业大学_202511653513.7
    本发明提供了一种大尺寸月球砖的阶梯式微波加热制备方法，属于月球原位资源利用与材料制备技术领域。本发明包括：步骤一：将月壤模拟物与一定比例的水混合，然后压制成预定形状的生坯；步骤二：将生坯经自然干燥后，转移至真空微波马弗炉进行烧结；整个烧结过...
    2026-01-16
  • 双向升降输送机
    双向升降输送机_上海国纪电子材料有限公司_202210457970.9
    本发明公开了一种双向升降输送机，其包括：机架、多个滚轮、三组传送带组件和升降组件。滚轮的两端可转动地连接于机架，多个滚轮沿水平方向相互平行设置。三组传送带组件相互平行设置，传送带组件的传送方向与滚轮的传送方向平行，三组传送带组件分别位于机架...
    2026-01-16
  • 高压LDMOS器件及制备工艺
    高压LDMOS器件及制备工艺_广州增芯科技有限公司_202511539383.4
    本申请提供的一种高压LDMOS器件及制备工艺。该高压LDMOS器件的制备工艺包括提供覆盖有介质层的衬底，衬底内设有第一阱区和第二阱区，第一阱区包括体区和源区，第二阱区包括漏区，第二阱区上方具有场氧；第一阱区上方靠近第二阱区的一侧设有栅氧化层...
    2026-01-16
  • 具有第一类型单位晶胞和第二类型单位晶胞的半导体器件
    具有第一类型单位晶胞和第二类型单位晶胞的半导体器件_华为数字能源技术有限公司_202380098966.0
    本发明涉及一种半导体器件(100)，包括：横跨所述半导体器件(100)的顶表面并排布置的多个单位晶胞(120a、120b)，其中，所述多个单位晶胞(120a、120b)具有第一类型(120a)或第二类型(120b)，每个所述第一类型单位晶胞...
    2026-01-16
  • 一种欧姆肖特基电极的金刚石基氮化镓器件及其制备方法
    一种欧姆肖特基电极的金刚石基氮化镓器件及其制备方法_中国电子科技集团公司第十三研究所_202511512641.X
    本发明提供一种欧姆肖特基电极的金刚石基氮化镓器件及其制备方法，涉及氮化镓HEMT器件技术领域。本发明能够通过在源电极下方设置至少一个面积小于源电极的第一欧姆接触区；各第一欧姆接触区沿垂直于源漏连线的方向分布；各第一欧姆接触区与漏极欧姆接触区...
    2026-01-16
  • 一种图形化源漏电极的金刚石基氮化镓器件及其制备方法
    一种图形化源漏电极的金刚石基氮化镓器件及其制备方法_中国电子科技集团公司第十三研究所_202511512598.7
    本发明提供一种图形化源漏电极的金刚石基氮化镓器件及其制备方法，涉及氮化镓HEMT器件技术领域。本发明能够通过在漏电极下方设置至少一个面积小于漏电极的第一欧姆接触区；各第一欧姆接触区沿垂直于源漏连线的方向分布；在有源区中，面积较小的第一欧姆接...
    2026-01-16
  • 屏蔽栅沟槽型MOSFET器件的终端结构及制造方法
    屏蔽栅沟槽型MOSFET器件的终端结构及制造方法_华羿微电子股份有限公司_202511488743.2
    本申请公开了一种屏蔽栅沟槽型MOSFET器件的终端结构及制造方法，本方案通过在终端区采用一组特殊的外围沟槽阵列，在这个特殊的外围沟槽阵列的底部通过一次性P‑型离子注入，并在随后的器件制造热工艺的条件下对该P‑型注入的离子进行驱动，以达到预期...
    2026-01-16
  • 自对准双槽屏蔽栅IGBT结构及其制造方法
    自对准双槽屏蔽栅IGBT结构及其制造方法_苏州聚谦半导体有限公司_202211228361.2
    本发明公开了一种自对准双槽屏蔽栅IGBT结构及其制造方法，在衬底正面上形成第二种导电类型的体区层和第一种导电类型的源区层后，利用第一硬掩模至第四硬掩模之间的不同刻蚀选择比，与侧墙工艺相结合，在衬底中以交替方式形成自对准的多个栅沟槽和源沟槽的...
    2026-01-16
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