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航空航天装置制造技术
一种新型WLED用荧光粉及其制备方法
本发明公开了一种新型WLED用荧光粉及其制备方法,属于荧光材料技术领域。本发明提供的荧光粉的化学通式为:Na0.98‑xAlSiO4 : 0.01Pb2+, 0.01Tb3+, xEu3+,属于六方霞石结构,其中,x为摩尔分数,其取值范围为...
一种基于云服务器的云数据处理系统
本发明涉及云数据处理技术领域,尤其涉及一种基于云服务器的云数据处理系统,包括,云服务器平台,其能够存储云数据并控制系统各模块运行,实现对云数据的分析和处理;数据处理模块,其能够整合用户操作数据,形成统一的数据视图,并对集成后的数据进行深入挖...
一种基于扫描方式的单像素均匀成像校正方法、系统及介质
本发明公开了一种基于扫描方式的单像素均匀成像校正方法、系统及介质,包括生成一维哈达玛基底图案,并进行多行复制,然后通过柱面镜在垂直方向上进行汇聚,得到一维哈达玛基底图案;投影一维哈达玛基底图案作为一维照明图案;通过步进电机带动目标图像与一维...
空调负荷调控方法、装置和电子设备
本发明提供一种空调负荷调控方法、装置和电子设备,属于负荷调控技术领域。方法包括:获取环境参数调控指令;将需求环境参数、空调当前负荷参数以及空调历史负荷参数输入至空调温度调节值预测模型,得到空调温度调节值预测模型输出的空调温度调节值预测结果;...
基于高度条件、速度条件或位置条件的LTM测量参数确定
无线发射/接收单元(WTRU)可以被配置成从网络接收配置信息,该配置信息指示在执行与波束相关联的测量时要应用的第一层1/层2触发移动性(LTM)测量参数集合和第二LTM测量参数集合。所述WTRU可以被配置成接收与所述WTRU的高度、所述WT...
集流体及卷绕式电芯
本实用新型公开了一种集流体,并公开了卷绕式电芯,其中集流体包括集流体本体,沿集流体本体的厚度方向,集流体本体具有相对设置的第一表面和第二表面,第一表面设有多个第一凹槽和多个第二凹槽,多个第一凹槽沿集流体本体的长度方向间隔设置,多个第二凹槽沿...
一种带喷淋结构的菌菇养殖生长架
本实用新型公开了一种带喷淋结构的菌菇养殖生长架,包括底板,所述底板的表面固定连接有矩形块,所述矩形块的表面开设有多组种植框,所述矩形块的两侧固定连接有支撑块,所述支撑块的侧面设置有阻尼转轴,所述阻尼转轴的表面设置有连接架,所述连接架的内侧壁...
一种基于频率扫描的准费米能级分裂分层表征方法
本发明属于激光成像技术领域,具体涉及一种基于频率扫描的准费米能级分裂分层表征方法。本发明提出非接触式光载流子辐射检测方案,通过强度调制的激光(而非机械探针或电子束)激励半导体材料,利用光载流子辐射复合产生的荧光信号作为检测对象,从根源上避免...
一种粘结强度高的复合集流体
本实用新型提供的一种粘结强度高的复合集流体,包括支撑层和金属层,所述金属层设置于所述支撑层的表面上,所述金属层的颗粒平均粒径为X,所述金属层的面密度为K,其中0.1≥K/X≥0.05。本实用新型主要通过改变复合集流体的参数性质来改变复合集流...
一种用于评价昼夜节律性的模型的培养方法及验证方法
本申请提供了一种用于评价昼夜节律性的模型的培养方法及验证方法,属于紊乱模型建立和活性物质功能评价领域。通过培养昼夜节律性正常的线虫和昼夜节律性紊乱的线虫,建立一种用于评价昼夜节律性的模型,方法简单易控制,能够更精准地模拟环境因素对昼夜节律性...
一种荧光光谱仪
本实用新型涉及荧光光谱仪技术领域,尤其涉及一种荧光光谱仪。包括荧光光谱仪本体,所述荧光光谱仪本体的一侧安装有触控屏,所述荧光光谱仪本体的一端设有调节装置,所述调节装置包括两个组装框,两个所述组装框分别与荧光光谱仪本体的两侧固定连接,所述组装...
一种制浆造纸的废水过滤箱
本实用新型涉及制浆造纸技术领域,具体涉及一种制浆造纸的废水过滤箱,包括过滤箱外壳,所述过滤仓的内壁固定连接有过滤板,所述过滤箱外壳的内部设置有清扫结构,所述过滤箱外壳的内部开设有清洗仓,所述清洗仓的内壁顶部固定连接有喷头,所述清洗仓的内壁表...
一种仿生鲨鱼盾鳞的减阻结构及制备方法
一种仿生鲨鱼盾鳞的减阻结构及制备方法,该方法搭建飞秒激光加工光路,利用空间光调制器对飞秒激光光束进行整形,可以实现金属材料表面倾斜弯曲微结构大面积加工,获得带有一定曲率和深度的微结构。在金属材料表面加工带有一定曲率和深度的减阻微结构,从外形...
基于机器狗与无人机协同的野外微动探测方法及系统
本发明涉及地球物理勘探技术领域,具体涉及基于机器狗与无人机协同的野外微动探测方法及系统,该系统由主机器狗、测量机器狗、无人机和地面控制终端组成:主机器狗在预定中心点自动安放加速度检波器;测量机器狗依据无人机实时航拍与激光雷达环境信息,按半径...
一种氧气钝化加栅极自对准的p-GaN HEMT器件及其制备方法
本发明涉及氧气钝化加栅极自对准的p‑GaN HEMT器件及其制备方法,属于半导体器件技术领域。通过氧气等离子钝化和高温氧化的方法,通过栅极自对准的工艺实现增强型空穴注入型晶体管。用高温热氧化的方法替代ICP刻蚀法,避免离子轰击形成损伤,减少...
一种薄膜晶体管及其制备方法、显示面板、显示装置
本申请提供了一种薄膜晶体管及其制备方法、显示面板、显示装置,薄膜晶体管包括有源层、源极、漏极和栅极,栅极包括层叠设置的铝合金层和辅助层,辅助层的材料选自TiN或Ti,辅助层的厚度为10nm‑60nm。本申请提供薄膜晶体管,具有低电阻且无hi...
微平面交线投影的非规则蒙皮点云轮廓提取方法
本发明属于三维数字化测量与航空制造技术领域,公开了一种微平面交线投影的非规则蒙皮点云轮廓提取方法。首先,通过体素降采样法对蒙皮点云进行精简,同时剔除离群的噪声点。其次,基于全局点云的局部梯度阈值分割,分离出蒙皮点云中的端面部分,并通过区域生...
一种SGT-MOSFET元胞及其制造方法和一种电子装置
一种SGT‑MOSFET元胞,包括依次生成的N型衬底(1)、N‑外延层(2)、沟槽场氧化层(3)、第一隔离氧化层(4A)、第二隔离氧化层(4B)、栅氧化层(5)、第一屏蔽栅(6A)、第二屏蔽栅(6B)、P阱(7)、N+源区(8)、介质层(9...
包括台面区的沟槽结型场效应晶体管
提出了一种沟槽结型场效应晶体管,沟槽JFET(100)。沟槽JFET(100)包括:台面区(103),其由在半导体主体(102)的第一横向方向(x1)上彼此间隔开的第一沟槽和第二沟槽(1061, 1062)限定,第一沟槽和第二沟槽(1061...
电流孔径垂直电子晶体管及其制备方法
本发明属于半导体器件领域,提供了一种电流孔径垂直电子晶体管及其制备方法。该电流孔径垂直电子晶体管包括:衬底;位于衬底的下表面上的漏极;位于衬底的上表面上的N型漂移区和位于N型漂移区两侧并与N型漂移区邻接的第一层、第二层电流阻挡层;位于N型漂...
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