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最新专利技术
  • 半导体结构及其制备方法、三维存储器、存储系统
    半导体结构及其制备方法、三维存储器、存储系统_长江存储科技有限责任公司_202410469842.5
    本公开提供了一种半导体结构及其制备方法、三维存储器、存储系统， 涉及半导体芯片技术领域， 旨在解决栅极层发生弯曲的问题。所述半导体结构包括堆叠结构、第一阻挡层和导电结构。堆叠结构包括层叠设置的多层栅极层， 多层栅极层间隔分布；堆叠结构具有核...
    2025-11-16
  • 半导体器件、制备方法及存储器系统
    半导体器件、制备方法及存储器系统_长江存储科技有限责任公司_202410488443.3
    本申请提供一种半导体器件、制备方法及存储器系统， 半导体器件包括叠层结构、栅线隔离结构、第一间隔结构和第二间隔结构。叠层结构包括沿第一方向交替堆叠的栅极层和第一介质层。栅线隔离结构沿与第一方向相交的第二方向在叠层结构中延伸， 并包括在第二方...
    2025-11-16
  • 闪存器件及其制备方法
    闪存器件及其制备方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511331588.3
    本发明提供了一种闪存器件及其制备方法， 属于半导体领域， 闪存器件的制备方法包括：提供衬底， 所述衬底包括有源区；在所述有源区上形成隧穿氧化层；在所述隧穿氧化层上形成多条字线方向间隔排列且沿位线方向延伸的伪栅条；在相邻所述伪栅条之间填充隔离...
    2025-11-16
  • 嵌入式闪存及其制作方法
    嵌入式闪存及其制作方法_存踵科技(上海)有限公司_202510996330.9
    本发明提供一种嵌入式闪存及其制作方法， 将遂穿氧化层和浮栅层嵌入式闪存的宽度设置为大于所述栅介质层以及控制栅层的宽度， 以使所述遂穿氧化层和浮栅层凸出于所述栅介质层以及控制栅层的两侧， 字线栅沿所述遂穿氧化层和浮栅层凸出而朝所述字线栅内部内...
    2025-11-16
  • 存储器装置及其制造方法
    存储器装置及其制造方法_华邦电子股份有限公司_202410615648.3
    本申请提供一种存储器装置及其制造方法， 包含提供基板， 形成选择栅结构及字线结构于基板上， 以及形成填充材料以覆盖选择栅结构及字线结构。方法更包含回刻蚀填充材料以露出选择栅结构的顶部及字线结构的顶部， 依序形成盖层及第一介电层于基板上方， ...
    2025-11-16
  • 半导体存储器设备及其制造方法
    半导体存储器设备及其制造方法_爱思开海力士有限公司_202510067767.4
    提供了一种半导体存储器设备及其制造方法。半导体存储器设备包括第一绝缘层、沟道结构、存储器层、导电层、有源图案和栅极电极， 第一绝缘层包括单元区和延伸区， 沟道结构在单元区中穿透第一绝缘层， 存储器层沿着沟道结构的侧壁延伸， 导电层被设置为在...
    2025-11-16
  • 一种存储器件的制造方法及存储器件
    一种存储器件的制造方法及存储器件_武汉新芯集成电路股份有限公司_202410451138.7
    本发明公开了一种存储器件的制造方法及存储器件， 包括：提供半导体基体， 半导体基体包括衬底以及设置在衬底上的掩膜层；在半导体基体开设多个第一凹槽， 多个第一凹槽的一部分位于存储区域中的阵列区域；在所述阵列区域的多个第一凹槽中形成栅极堆叠结构...
    2025-11-16
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_英特尔NDTM美国有限公司_202410501560.9
    本发明涉及一种半导体器件的制造方法， 包括：在衬底上形成堆叠体， 堆叠体包括交替层叠的导电层和绝缘层；以及以贯通堆叠体的方式对堆叠体进行刻蚀， 形成一行或多行第一接触孔以及一行或多行第二接触孔， 其中， 每行第一接触孔中的相邻的第一接触孔之...
    2025-11-16
  • 具有位元线结构的半导体元件及其制备方法
    具有位元线结构的半导体元件及其制备方法_南亚科技股份有限公司_202510662033.0
    本公开提供一种半导体元件及其制造方法。该半导体元件包括一基板和设置于该基板之上的一位元线结构。该位元线结构包括定义一空气边衬的一绝缘间隔物结构。该半导体元件也包括一密封层， 设置于该绝缘间隔物结构之上以覆盖该空气边衬。该密封层包括一含碳材料...
    2025-11-16
  • 具有位元线结构的半导体元件及其制造方法
    具有位元线结构的半导体元件及其制造方法_南亚科技股份有限公司_202510437578.1
    提供一种半导体元件及半导体元件的制造方法。此半导体元件包括：一基板， 具有一第一凹陷区；以及一第一位元线结构， 位于该第一凹陷区中。该第一位元线结构具有一第一间隔物、一第二间隔物以及一第三间隔物。该第一间隔物、该第二间隔物及该第三间隔物具有...
    2025-11-16
  • 包括外围电路区的半导体器件
    包括外围电路区的半导体器件_三星电子株式会社_202510425938.6
    一种半导体器件包括：存储单元区；以及外围电路区， 在第一水平方向上与存储单元区相邻。存储单元区包括：单元沟道结构， 在第一水平方向上延伸， 并且在竖直方向上彼此间隔开；单元位线， 在竖直方向上延伸；以及单元栅电极， 在竖直方向上与单元沟道结...
    2025-11-16
  • 具有绝缘结构的半导体装置
    具有绝缘结构的半导体装置_三星电子株式会社_202510418915.2
    一种半导体装置包括：位线结构；位线结构上的背栅电极和字线；有源图案， 其在位线结构上位于背栅电极与字线之间， 有源图案在竖直方向上延伸；背栅电介质层， 其位于背栅电极与有源图案之间， 背栅电介质层位于背栅电极的侧表面和下表面上；以及第一绝缘...
    2025-11-16
  • 半导体器件和包括其的数据存储系统
    半导体器件和包括其的数据存储系统_三星电子株式会社_202510132912.2
    提供了半导体器件和包括其的数据存储系统。所述半导体器件包括：第一半导体结构， 包括基板、位于基板上的电路器件和位于电路器件上的电路互连件；以及第二半导体结构， 位于第一半导体结构上并且具有第一区域和第二区域。第二半导体结构包括：板层；栅电极...
    2025-11-16
  • 半导体存储器件
    半导体存储器件_三星电子株式会社_202510015709.7
    一种半导体存储器件， 包括：衬底；多个下电极， 在衬底上；以及支撑件， 将多个下电极彼此连接， 其中， 支撑件包括与多个下电极中的一些下电极相邻的多个支撑件孔， 多个下电极包括与多个支撑件孔相邻的多个第一下电极和与多个支撑件孔间隔开的多个第...
    2025-11-16
  • 半导体器件
    半导体器件_三星电子株式会社_202411790229.X
    提供了一种半导体器件。所述半导体器件包括：衬底， 所述衬底包括有源图案；位线， 所述位线位于所述衬底上与所述有源图案交叉；位线接触， 所述位线接触设置在所述位线与所述有源图案之间；第一硅化物层， 所述第一硅化物层设置在所述位线接触与所述位线...
    2025-11-16
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_南亚科技股份有限公司_202411498108.8
    半导体结构包含在基板上横向隔开的位元线结构， 位于位元线结构之间的埋入式接触件， 及在埋入式接触件上的着陆垫。埋入式接触件包含第一导电层和在第一导电层上的第二导电层。第二导电层包含主要部分和突出部分， 突出部分从主要部分延伸进入至第一导电层...
    2025-11-16
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_南亚科技股份有限公司_202411340193.5
    本发明提供一种半导体结构与其形成方法。半导体结构包括在基板上横向间隔开来的多个位元线结构、在位元线结构之间的着陆垫、覆盖在着陆垫的顶表面上的金属氮氧化物层以及在着陆垫上方垂直延伸的电容结构。形成半导体结构的方法包括以下操作。接收多个位元线结...
    2025-11-16
  • 具有位元线结构的半导体元件及其制造方法
    具有位元线结构的半导体元件及其制造方法_南亚科技股份有限公司_202411233785.7
    提供一种半导体元件及半导体元件的制造方法。此半导体元件包括：一基板， 具有一第一凹陷区；以及一第一位元线结构， 位于该第一凹陷区中。该第一位元线结构具有一第一间隔物、一第二间隔物以及一第三间隔物。该第一间隔物、该第二间隔物及该第三间隔物具有...
    2025-11-16
  • 具有位元线结构的半导体元件及其制备方法
    具有位元线结构的半导体元件及其制备方法_南亚科技股份有限公司_202411068871.7
    本公开提供一种半导体元件及其制造方法。该半导体元件包括一基板和设置于该基板之上的一位元线结构。该位元线结构包括定义一空气边衬的一绝缘间隔物结构。该半导体元件也包括一密封层， 设置于该绝缘间隔物结构之上以覆盖该空气边衬。该密封层包括一含碳材料...
    2025-11-16
  • 半导体元件及其形成方法
    半导体元件及其形成方法_南亚科技股份有限公司_202410856474.X
    半导体元件包含下电极层、阻障层、电介质层以及上电极层。阻障层设置于下电极层上。电介质层设置于阻障层上。上电极层设置于电介质层上。阻障层位于下电极层与电介质层之间。本揭露的半导体元件的形成方法提升了整个半导体元件的电性能。
    2025-11-16
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