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最新专利技术
  • OTP器件及其制备方法
    OTP器件及其制备方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202510238533.1
    本发明提供一种OTP器件及其制备方法，OTP器件包括有源区和X向有源区延伸部，第一接触孔在衬底上的投影落入X向有源区延伸部内。通过有源区和第一接触孔版图优化将第一接触孔设在没有层间介质层厚度叠加位置，该位置正好是覆盖相邻两个浮栅的层间介质层...
    2025-09-24
  • 一种闪存器件及其制备方法
    一种闪存器件及其制备方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202510238131.1
    本发明提供了一种闪存器件及其制备方法，应用于半导体制备技术领域。本发明中，一方面，通过在形成栅极氧化层前，先对形成有沟槽隔离的基底进行热处理，以利用热处理过程中可以改变沟槽隔离中绝缘材质的致密度的特性，避免沟槽隔离在后续湿法清洗中发生侧掏，...
    2025-09-24
  • 一种半导体存储装置的制备方法
    一种半导体存储装置的制备方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202510238202.8
    本发明提供了一种半导体存储装置的制备方法，应用于半导体制备技术领域。在本发明中，通过不设置光阻层和光罩，以对整个基底进行第一次离子注入的方式，以达到缩减形成第一阱区和第二阱区的光罩、光刻等相关工艺的目的，而后再通过后续注入的离子进行的反型离...
    2025-09-24
  • 一种半导体存储装置及其制备方法
    一种半导体存储装置及其制备方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202510238886.1
    本发明提供了一种半导体存储装置及其制备方法，应用于半导体制备技术领域。在本发明中，通过在形成逻辑区中高压器件的栅极结构过程，同步在电阻区中形成多晶硅电阻器的多晶硅材料的方式，实现无需额外增加制程工艺的基础上，便可简化多晶硅电阻器的制造方法以...
    2025-09-24
  • 一种半导体器件及其制作方法
    一种半导体器件及其制作方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202510238108.2
    本发明提供了一种半导体器件及其制作方法，应用于半导体制备技术领域。本发明中，基底可包括多个有源区和位于多个有源区一侧的端头区，阻挡层可位于端头区；因此，可利用阻挡层遮蔽端头区中的部分控制栅层和第一侧墙，进而在后续对控制栅层执行蚀刻形成多个分...
    2025-09-24
  • 半导体器件及其制备方法
    半导体器件及其制备方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202510238154.2
    本发明提供一种半导体器件及其制备方法，包括：提供衬底；在第一区域的衬底表面依次形成耦合氧化层和浮栅；在第二区域的衬底表面形成光阻层；采用各向异性刻蚀窗口暴露出的衬底，形成第一深度的初始浅沟槽；采用各向同性刻蚀初始浅沟槽，形成最终浅沟槽；在最...
    2025-09-24
  • 复合半导体器件及其制备方法
    复合半导体器件及其制备方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202510238175.4
    本发明提供一种复合半导体器件及其制备方法，包括：提供衬底，衬底用于集成闪存、输入输出器件和LDMOS器件；对闪存的高压N阱区和LDMOS器件的第一掺杂区同步执行第一N型离子掺杂；对输入输出器件的N阱区和LDMOS器件的第二掺杂区同步执行第二...
    2025-09-24
  • LDMOS器件及其形成方法
    LDMOS器件及其形成方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202510238234.8
    本发明提供一种LDMOS器件及其形成方法，包括：S1、提供P型衬底，在P型衬底的靠上区域形成N型深阱；在N型深阱的上表面区域形成若干间隔的场氧；S2、通过依次向N型深阱中离子注入，先后形成P阱和N型浅注入区，N型浅注入区作为阈值电压调节注入...
    2025-09-24
  • 半导体器件的形成方法
    半导体器件的形成方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202510238863.0
    本发明提供了一种半导体器件的形成方法，包括提供半导体基底，半导体基底包括衬底、位于衬底表面的第一栅氧化层以及位于第一栅氧化层表面的第一多晶硅层；对第一多晶硅层注入磷离子；对进行磷离子注入后的第一多晶硅层进行氧化处理，以使得第一多晶硅层形成氧...
    2025-09-24
  • 显示面板及其制作方法、显示装置
    显示面板及其制作方法、显示装置_惠科股份有限公司_202510237471.2
    本申请属于显示领域，具体涉及一种显示面板及其制作方法、显示装置，显示面板包括衬底基板以及依次形成在衬底基板上的第一金属层、栅极绝缘层、有源层、第二金属层、绝缘保护层和透明导电层，第一金属层包括第一栅极和第二栅极，栅极绝缘层至少覆盖第一金属层...
    2025-09-24
  • 显示面板及其制作方法、显示装置
    显示面板及其制作方法、显示装置_惠科股份有限公司_202510245450.5
    本申请属于显示领域，具体涉及一种显示面板及其制作方法、显示装置，显示面板包括衬底基板以及依次形成在衬底基板上的第一金属层、栅极绝缘层、有源层、第二金属层、绝缘保护层和透明导电层，第一金属层包括第一栅极和遮光单元，栅极绝缘层至少覆盖第一金属层...
    2025-09-24
  • 阵列基板及其制作方法、显示面板
    阵列基板及其制作方法、显示面板_惠科股份有限公司_202510245823.9
    本申请属于显示领域，具体涉及一种阵列基板及其制作方法、显示面板，阵列基板的制作方法包括：在衬底基板一侧形成像素电极、栅极、栅极绝缘层、有源层、源漏电极和钝化层，源漏电极包括间隔设置的源极和漏极，图案化钝化层和栅极绝缘层，形成连通漏极和像素电...
    2025-09-24
  • 一种阵列基板及显示面板
    一种阵列基板及显示面板_合肥维信诺科技有限公司_202510238819.X
    本公开提供一种阵列基板及显示面板，该显示面板包括衬底、驱动器件层、辅助电极层及第一电极层，驱动器件层位于衬底的一侧，驱动器件层包括第一金属层；辅助电极层位于驱动层背离衬底的一侧包括多个间隔设置的辅助电极；第一电极层包括多个间隔设置的第一电极...
    2025-09-24
  • 垂直堆叠全彩Micro-LED、制备方法和显示面板
    垂直堆叠全彩Micro-LED、制备方法和显示面板_武汉市精微科技有限公司_202510234841.7
    本发明公开了一种垂直堆叠全彩Micro‑LED、制备方法和显示面板，所述垂直堆叠全彩Micro‑LED包括外延结构和电极结构；外延结构由下至上包括蓝光LED外延层、绿光LED外延层和红光LED外延层；绿光LED外延层和红光LED外延层内设置...
    2025-09-24
  • 发光器件、显示面板的制作方法及显示面板
    发光器件、显示面板的制作方法及显示面板_惠科股份有限公司_202510237467.6
    本申请属于显示领域，具体涉及一种发光器件、显示面板的制作方法及显示面板，发光器件包括发光二极管、柱体部和支撑部，发光二极管设置在柱体部的第一端的端面上，发光二极管在柱体部的第一端的端面上的正投影位于柱体部的第一端的端面之内或与柱体部的第一端...
    2025-09-24
  • 显示面板、显示装置和拼接显示装置
    显示面板、显示装置和拼接显示装置_京东方科技集团股份有限公司_202510238977.5
    本公开实施例提供一种显示面板、显示装置和拼接显示装置。显示面板包括：基板；控制线路板，位于基板的第二表面一侧；缓冲结构，包括与第二选定侧表面接触的第一缓冲部，第一缓冲部位于第二选定侧表面朝向第一选定侧表面的一侧；连接引线，从第一表面，经过第...
    2025-09-24
  • 光电转换膜及其应用与制备方法、光电器件、光电探测器、视觉传感器
    光电转换膜及其应用与制备方法、光电器件、光电探测器、视觉传感器_华东理工大学_202510239662.2
    本发明公开了一种光电转换膜及其应用与制备方法、光电器件、光电探测器、视觉传感器。所述光电转换膜通过优化纳米材料与光活性分子之间的纳米限域结构，实现了光响应性能的显著提升。可广泛应用于弱光环境监测、高精度光学成像、光通信、光伏电池等领域。
    2025-09-24
  • 阵列基板、显示面板
    阵列基板、显示面板_合肥维信诺科技有限公司_202510239401.0
    本申请提供一种阵列基板及显示面板，该阵列基板的非显示区至少部分包围显示区，包括弧边区和直边区；栅极驱动单元包括第一栅极驱动单元和第二栅极驱动单元，第一栅极驱动单元设置于弧边区，第二栅极驱动单元设置在直边区；像素单元位于显示区，包括由第一栅极...
    2025-09-24
  • 显示模组及电子设备
    显示模组及电子设备_合肥维信诺科技有限公司_202510242727.9
    本发明提供了一种显示模组及电子设备，显示模组包括：显示面板，具有第一连接部；柔性电路板，包括基板和导电层，导电层位于基板朝向显示面板的一侧，具有第二连接部，第一连接部和第二连接部电连接；支撑板，位于显示面板远离柔性电路板的一侧，在柔性电路板...
    2025-09-24
  • 显示面板及电子设备
    显示面板及电子设备_合肥维信诺科技有限公司_202510244338.X
    本申请实施例提供一种显示面板及电子设备，涉及显示技术领域。在显示面板中，将数据信号走线和复位信号走线设置在对应像素的的电源信号走线之间，因两者走线的相对两侧具有相似的走线布局，在图案化形成数据信号走线和第一复位信号走线的过程中，可以保证数据...
    2025-09-24
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