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  • 本发明公开了一种八香粉及其制备方法,属于食品调味品技术领域,能够在香气浓郁度和成本之间取得更好的平衡,在实现香气效果的整体提升的同时,又降低了生产成本,以满足消费者日益提高的味觉需求和餐饮企业对成本控制的要求;八香粉由下述重量份的组分制成:...
  • 本发明提供了一种多端口多频段互调测试设备,该互调测试设备包括:工作于不同频段的多个信号源,每个信号源用于产生同频段内两路不同频点的载波信号;信号交叉网络,用于将同频段的各个信号源产生的两路载波信号合路成混波信号,再分配为多路测试信号,每路测...
  • 本发明提供了一种多端口多频段互调测试方法及设备,所述多端口多频段互调测试方法,包括如下步骤:控制一个或多个信号源分别产生各自目标频段内两个不同频点的载波信号;通过信号交叉网络将所述载波信号合路成混波信号,并分配为多路测试信号,使每路测试信号...
  • 本发明提供了一种互调测试网络,所述互调测试网络包括:控制设备、至少一个交换机以及多个互调测试设备;所述交换机用于连接多个互调测试设备,实现多个互调测试设备之间的组网。所述的互调测试网络通过控制设备、交换机以及多个互调测试设备的配合,实现了多...
  • 本发明提供了一种互调测试网络及其控制方法,所述方法包括如下步骤:通过交换机向多个互调测试设备发送测试指令;基于所述交换机接收所述多个互调测试设备上传的测试数据,基于多个测试数据生成互调测试报告。所述方法通过交换机向多个互调测试设备发送测试指...
  • 本发明属于电缆连接技术领域,具体涉及一种适用极端事件下电缆中间接头保护装置,包括上壳体、下壳体、二次防爆组件和灭弧组件;上壳体和下壳体组合构成主体壳体结构,二次防爆组件和灭弧组件位于主体壳体结构的内部,二次防爆组件设置于主体壳体结构中轴线区...
  • 本发明属于化学电源领域,具体涉及一种锂硫电池PDOL基原位聚合凝胶电解质制备方法。该方法利用缺陷化金属有机框架(MOFs)促进1,3‑二氧戊环(DOL)在常温常压下原位聚合,形成具有功能性基团的聚合物电解质层。该聚合物电解质层不仅有效抑制了...
  • 本发明公开一种采用高密度碳球配碳的电炉炼钢方法。该方法通过特定配碳理论计算模型,依据冶炼钢种所需增碳含量算出高密度碳球质量,先在料篮底部铺入碳球再加入直接还原铁,利用料篮特殊放料口设计,使碳球先于直接还原铁入炉以提高配碳效率。高密度碳球体积...
  • 本发明公开一种电弧炉冶炼直接还原铁在熔池内钢液中的脱氮方法。该方法先利用原料预热装置将DRI预热并通入CO预处理,再与废钢分层铺入电弧炉,依冶炼钢种调整二者比例。熔炼期向熔池加入碳粉,促使氮进入渣中,同时调控单元控制氧气流量,碳氧反应产热并...
  • 本申请属于光伏材料技术领域,具体涉及一种钙钛矿薄膜及其制备方法和应用。所述钙钛矿薄膜,包括钙钛矿前驱体和二维钙钛矿,所述钙钛矿前驱体和所述二维钙钛矿的摩尔比为1:(0.01‑0.1)。本申请的有益效果包括:本申请所述钙钛矿薄膜中引入了二维钙...
  • 本申请提供一种显示面板和显示装置,显示面板包括第一区域和第二区域,第一区域位于第二区域靠近显示面板边缘的一侧,显示面板包括衬底基板、引出导线和导电垫,引出导线位于衬底基板一侧且位于第一区域,引出导线包括第一引出线、第二引出线以及位于第一引出...
  • 本发明公开了一种具有碲化锌界面层的顶入射硒化铅量子点探测器,具体为一种ZnTe材料作为界面层在顶入射PbSe量子点探测器中的应用。该顶入射硒化铅量子点探测器,包括由下至上依次层叠设置的玻璃基底、透明底电极、ZnO电子传输层、PbSe‑hal...
  • 本发明公开了一种显示面板和显示装置,显示面板包括:衬底;位于衬底上的多个发光元件;位于衬底上且与发光元件同侧的多个反射柱,反射柱设置在相邻两个发光元件之间,反射柱包括反光堤部,反光堤部包括侧面以及面向衬底的底面,反光堤部的侧面和底面之间形成...
  • 本公开提供了一种改善光电性能的发光二极管及其制备方法,属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括:外延层、透明导电层、电流阻挡层和手指条,透明导电层和电流阻挡层均位于外延层的表面上,透明导电层还覆盖电流阻挡层,手指条位于透明导电层的远离外延层...
  • 本发明提出了一种碲镉汞芯片钝化层的开孔方法,包括步骤:提供待开孔的碲镉汞芯片,所述碲镉汞芯片依次包含衬底、碲镉汞材料层及钝化层;在所述钝化层表面设置图案化的光刻胶;采用干法刻蚀工艺刻蚀所述钝化层及碲镉汞材料层,在所述钝化层形成开孔,在碲镉汞...
  • 本发明提出了一种碲镉汞芯片钝化层的开孔方法,包括步骤:提供待开孔的碲镉汞芯片,所述碲镉汞芯片依次包含衬底、碲镉汞材料层及钝化层;在所述钝化层表面设置图案化的光刻胶;采用干法刻蚀工艺刻蚀所述钝化层,形成沟槽,所述沟槽深度小于所述钝化层厚度;采...
  • 本公开提供一种半导体器件的制备方法以及半导体器件,其中,方法包括:提供一基底;其中,所述基底包括衬底、第一阱区、第二阱区以及栅极结构,所述第一阱区位于所述衬底的一侧,所述第一阱区具有第一型导电性,所述第二阱区与所述第一阱区位于所述衬底的同侧...
  • 本发明涉及一种高浪涌MOS结构及其制备方法,其包括栅极结构,至少设置有两个,栅极横条,设置在相邻的两个栅极结构之间且至少设置有两个,第二导电类型体区设置在相邻两个栅极结构之间,且所述栅极横条两侧的所述第二导电类型体区相连,第一导电类型第一源...
  • 本发明涉及半导体技术领域,公开了一种高精度硅基半导体多晶硅膜电阻的制备方法,包括以下具体步骤:步骤一:选高质量的硅衬底,对其进行严格的清洗,去除表面的杂质和污染物,通过热氧化工艺在衬底上生长一层薄的二氧化硅绝缘层,以提高电阻与衬底之间的绝缘...
  • 本发明提供一种PCB板打孔装置,包括:工作台,工作台表面的左右两侧均设置有移动组件,工作台表面的一侧安装有支架,支架的表面安装有打孔机主体,放置台设置于两个移动组件的上方,放置台的上方设置有定位组件,推动装置设置于定位板的一侧,多个调节组件...
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