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最新专利技术
  • 光电探测器结构及其形成方法
    光电探测器结构及其形成方法_中芯国际集成电路制造(北京)有限公司_202410431396.9
    一种光电探测器结构及其形成方法， 结构包括：光电二极管结构， 包括本征层、第一掺杂层和第二掺杂层， 本征层位于第一掺杂层和第二掺杂层之间， 第一掺杂层的掺杂类型与第二掺杂层的掺杂类型不同；应力调节层， 应力调节层位于第一掺杂层背向本征层的表...
    2025-11-17
  • 一种功能可切换的氧化物异质结光电二极管及制备方法
    一种功能可切换的氧化物异质结光电二极管及制备方法_西安电子科技大学杭州研究院_202511328947.X
    本发明涉及半导体器件领域， 公开了一种功能可切换的氧化物异质结光电二极管及制备方法， 其包括依次设置的绝缘衬底、N型氧化物半导体和P型半导体；P型半导体和N型氧化物半导体的界面形成Ⅱ型能带接触异质PN结；绝缘衬底和N型氧化物半导体层叠设置；...
    2025-11-17
  • 一种单行载流子光电器件、光载毫米波产生装置与方法
    一种单行载流子光电器件、光载毫米波产生装置与方法_中国科学院计算技术研究所_202410389856.6
    本发明为一种单行载流子光电器件器件、光载毫米波产生装置与方法， 包括衬底和位于所述衬底上的外延层和电极， 其中所述外延层包括依序叠加的蚀刻停止层、收集层、悬崖层、缓冲层、吸收层和阻挡层；所述缓冲层采用双极性掺杂结构， 用于平滑能带， 便于载...
    2025-11-17
  • 一种光伏组件
    一种光伏组件_晶科能源股份有限公司_202511067530.2
    本申请涉及太阳能电池技术领域， 尤其涉及一种光伏组件。光伏组件包括层压件、绝缘件和边框， 沿层压件的周向， 绝缘件设置于层压件的边缘并与层压件接触， 在垂直于层压件的厚度方向的方向上， 层压件内的电池层位于绝缘件的投影轮廓内， 层压件的边缘...
    2025-11-17
  • 一种太阳电池组件用汇流带与旁路二极管一体化模组
    一种太阳电池组件用汇流带与旁路二极管一体化模组_陕西众森电能科技有限公司_202511040442.3
    一种太阳电池组件用汇流带与旁路二极管一体化模组， 包括汇流带和二极管芯片， 属于太阳电池组件领域；其特征在于：所述汇流带与二极管芯片相接触；所述二极管芯片的正负极均与汇流带焊接固定， 制成带有旁路二极管的汇流带模组。通过将汇流带直接与二极管...
    2025-11-17
  • 一种抗辐照III-V/Si太阳电池及其制备方法
    一种抗辐照III-V/Si太阳电池及其制备方法_华南理工大学_202510982752.0
    本申请提出一种抗辐照III‑V/Si太阳电池及其制备方法， 结合III‑V族材料和硅基材料的优势， 将Si底电池和III‑V顶电池连接形成III‑V/Si太阳电池；利用顶电池结构具有宽禁带多层量子阱结构， 有效地减少空间高能粒子的穿透导致的...
    2025-11-17
  • 背接触电池及其制备方法
    背接触电池及其制备方法_天合光能股份有限公司_202511326028.9
    本发明提供了一种背接触电池及其制备方法， 其中背接触电池包括基底， 该基底具有第一表面， 第一表面包括第一区域；位于第一区域， 沿远离基底方向依次具有隧穿层、掺杂多晶硅层、第一本征非晶硅层和第一掺杂非晶硅层， 其中掺杂多晶硅层包括掺杂多晶硅...
    2025-11-17
  • 一种基于晶硅P型基底的三五族叠层电池及其制备方法
    一种基于晶硅P型基底的三五族叠层电池及其制备方法_环晟光伏(江苏)有限公司_202411497911.X
    本发明提供了一种基于晶硅P型基底的三五族叠层电池及其制备方法， 涉及光伏电池技术领域。所述基于晶硅P型基底的三五族叠层电池包括由下至上包括依次层叠的基底电池和顶层电池；其中， 所述基底电池为P型双面钝化TOPCon电池；其中， 所述顶层电池...
    2025-11-17
  • 一种基于晶硅P型基底的叠层电池及其制备方法
    一种基于晶硅P型基底的叠层电池及其制备方法_环晟光伏(江苏)有限公司_202411490586.4
    本发明提供了一种基于晶硅P型基底的叠层电池及其制备方法， 涉及光伏电池技术领域。所述叠层电池包括由下至上包括依次层叠的晶硅P型基底电池、GaAs中间子电池和GaInP顶层电池。本发明选择晶硅P型基底电池结构作为底电池， GaAs电池结构作为...
    2025-11-17
  • 太阳能电池及其制备方法
    太阳能电池及其制备方法_横店集团东磁股份有限公司_202410424750.5
    本发明涉及一种太阳能电池及其制备方法， 太阳能电池包括N型硅衬底， 其正面具有金属化区域和非金属化区域， 金属化区域的N型硅衬底表面为抛光面， 非金属化区域的N型硅衬底表面为绒面；金属化区包括层叠设置于抛光面表面的p++发射极、第一隧穿氧化...
    2025-11-17
  • 半导体器件
    半导体器件_三星电子株式会社_202510227463.X
    一种半导体器件包括生成多个偏置电压的偏置电压生成电路。偏置电压生成电路包括：多个晶体管， 多个晶体管串联连接在供应第一电源电压的第一电源节点与供应低于第一电源电压的参考电压的参考节点之间；多个电容器， 多个电容器连接到多个晶体管当中的一些晶...
    2025-11-17
  • IC器件和确定IC器件的平面布置图的方法
    IC器件和确定IC器件的平面布置图的方法_IMEC非营利协会_202510460572.6
    在一方面， 提供IC器件， 包括：晶粒；晶粒的电路区域， 该电路区域沿着晶粒在第一和第二横向方向上延伸并且包括多个电路单元， 这些电路单元被布置成在第一方向上平行延伸的多行；其中电路区域包括包含多行电路单元的第一子集的第一子区域、包含多行电...
    2025-11-17
  • 显示设备
    显示设备_三星显示有限公司_202510383276.0
    本申请涉及显示设备， 该显示设备包括衬底、第一有源层和第二有源层以及第一电极层和第二电极层。衬底包括显示区域和非显示区域。第一有源层设置在衬底上。第一有源层的一部分形成子像素电路的驱动晶体管的沟道区域。第一电极层设置在第一有源层上。第一电极...
    2025-11-17
  • 用于光照的半导体结构与显示器结构
    用于光照的半导体结构与显示器结构_川奇光电科技(扬州)有限公司_202410439370.9
    本申请公开了一种用于光照的半导体结构与显示器结构， 包括衬底、第一栅极、第一半导体层、第一绝缘层、第一源极、第一漏极、第二栅极、第二半导体层、第二绝缘层、第二源极与第二漏极， 所述第一栅极具有第一导电层与第二导电层， 所述第一导电层与所述第...
    2025-11-17
  • 半导体结构的制造方法
    半导体结构的制造方法_力晶积成电子制造股份有限公司_202410496786.4
    本发明公开一种半导体结构的制造方法， 包括以下步骤。提供基底。在基底中形成半导体层。移除部分半导体层与部分基底， 而在基底中形成沟槽。在沟槽中形成隔离结构。在形成隔离结构之后， 移除半导体层， 而在基底中形成第一凹陷。在第一凹陷暴露出的基底...
    2025-11-17
  • 一种半导体器件及其制造方法、存储器系统
    一种半导体器件及其制造方法、存储器系统_长江存储科技有限责任公司_202410431504.2
    本公开实施例提供一种半导体器件及其制造方法、存储器系统。半导体器件的制造方法包括：提供基底结构， 所述基底结构包括半导体衬底、位于所述半导体衬底中的多个隔离结构和位于有源区的晶体管， 所述有源区位于相邻所述隔离结构之间；形成与所述晶体管电接...
    2025-11-17
  • 半导体结构的形成方法
    半导体结构的形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410391756.7
    一种半导体结构的形成方法， 包括：在第一器件区和第二器件区的栅介质层的表面形成第一功函数层；形成保护层结构后， 去除第一器件区的第一功函数层。因此， 在去除第一器件区的第一功函数层的过程中， 由于保护层结构位于第一器件区与第二器件区的交界处...
    2025-11-17
  • 一种抗电磁干扰的CMOS器件工艺优化制备方法及其结构
    一种抗电磁干扰的CMOS器件工艺优化制备方法及其结构_陕西工业职业技术大学_202510962266.2
    本发明公开了一种抗电磁干扰的CMOS器件工艺优化制备方法及其结构， 包括获取器件衬底；在所述衬底上制备NMOS区、PMOS区以及隔离区；在所述NMOS区、所述PMOS区以及所述隔离区上生长介质层；在所述介质层上生长金属互联层；在所述金属互联...
    2025-11-17
  • 一种半导体工艺方法及半导体器件
    一种半导体工艺方法及半导体器件_芯恩(青岛)集成电路有限公司_202510961966.X
    本发明提供一种半导体工艺方法及半导体器件， 方法包括：氮化硅层表面设置第一填充层填充于栅极结构之间；研磨第一填充层显露出栅极结构上的氮化硅层；回刻第一填充层进一步显露氮化硅层；设置图形化铝膜， 显露出非保护区域， 保护区域内栅极结构上形成氮...
    2025-11-17
  • 半导体器件的制造方法及半导体器件
    半导体器件的制造方法及半导体器件_中国科学院微电子研究所_202510801994.5
    本申请提供了一种半导体器件的制造方法及半导体器件， 包括：在衬底上外延出层叠设置的沟道层和牺牲层；刻蚀所述沟道层和所述牺牲层形成Fin状沟道， 并形成横跨所述沟道层和所述牺牲层的假栅结构， 在所述假栅结构外侧沉淀和刻蚀形成侧墙；去除部分所述...
    2025-11-17
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