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最新专利技术
  • 一种二维半导体材料集成微型LED的传感器芯片及其制备方法与应用
    一种二维半导体材料集成微型LED的传感器芯片及其制备方法与应用_清芯未来(北京)科技有限公司_202510909540.X
    本发明公开了一种二维半导体材料集成微型LED的传感器芯片及其制备方法与应用， 该传感器芯片为以微型LED为光源， 以二维半导体材料为沟道， 直接集成在微型LED的封装层表面；其中， 二维半导体材料与微型LED间距＜1μm。具体制备方法包括以...
    2025-11-16
  • Micro LED显示器件及其制备方法
    Micro LED显示器件及其制备方法_晶能光电股份有限公司_202410439844.X
    本发明提供了一种Micro LED显示器件及其制备方法， 器件包括：驱动基板；至少两个像素单元， 各像素单元包括从下到上依次堆叠有第二半导体层、发光层及第一半导体层的半导体多层结构， 且像素单元之间形成有贯穿半导体多层结构的沟槽；第一反射结...
    2025-11-16
  • 光源封装结构及矩阵车灯
    光源封装结构及矩阵车灯_普瑞光电(厦门)股份有限公司_202410389722.4
    本发明实施例公开一种光源封装结构， 包括：基板；芯片， 设置有多个， 多个所述芯片间隔设置在所述基板的一侧， 相邻两个所述芯片之间存在第一间距；荧光膜片， 设置有多个， 多个所述荧光膜片与多个所述芯片一一对应的设置在多个所述芯片远离所述基板...
    2025-11-16
  • 发光元件与应用其的显示装置
    发光元件与应用其的显示装置_隆达电子股份有限公司_202510964644.0
    一种发光元件与应用其的显示装置， 发光元件包括发光二极管晶片， 发光二极管晶片具有相对的第一表面和第二表面， 以及多个侧壁连接第一表面和第二表面；一绝缘结构， 覆盖第一表面、第二表面和多个侧壁；以及电性连接垫， 位于第一表面；其中绝缘结构包...
    2025-11-16
  • 一种具有InGaN隧穿辅助层隧道结的GaN基LED
    一种具有InGaN隧穿辅助层隧道结的GaN基LED_合肥工业大学_202511059438.1
    本发明公开了一种具有InGaN隧穿辅助层隧道结的GaN基LED， 是在蓝宝石衬底上从下至上依次沉积有：u‑GaN层， n‑GaN层， 超晶格层， 量子阱层， p‑GaN层， InGaN隧穿辅助层隧道结以及n‑GaN接触层：其中， InGaN...
    2025-11-16
  • 一种通过V型凹坑引入多孔氮化硅插入层制备高质量GaN模板的方法
    一种通过V型凹坑引入多孔氮化硅插入层制备高质量GaN模板的方法_合肥工业大学_202511059404.2
    本发明提供了一种通过V型凹坑引入多孔氮化硅插入层制备高质量GaN模板的方法， 具体为：首先， 在图案化蓝宝石衬底上沉积受到压缩应力的u‑GaN层；随后， 在u‑GaN层上沉积高In组分InGaN\GaN超晶格层， 并通过调控生长条件使超晶格...
    2025-11-16
  • 粘合部件的制造方法、粘合部件以及显示装置
    粘合部件的制造方法、粘合部件以及显示装置_三星显示有限公司_202510266385.4
    本发明公开了一种粘合部件的制造方法、粘合部件以及显示装置。粘合部件的制造方法包括：在基材上涂布第一树脂组合物来形成第一预备层的步骤；光固化第一预备层来形成第一固化层的步骤；在第一固化层上涂布第二树脂组合物来形成第二预备层的步骤；光固化第二预...
    2025-11-16
  • 光子计数CT探测器的芯片封装系统
    光子计数CT探测器的芯片封装系统_北京富通康影科技有限公司_202511023655.5
    本发明涉及探测器芯片封装技术领域， 具体公开了一种光子计数CT探测器的芯片封装系统， 包括基板， 基板设为光子计数CT探测器的中间层， 基板的顶部通过连接结构设有顶层传感器， 顶层传感器设为光子计数CT探测器的顶层(传感器层)， 基板的底部...
    2025-11-16
  • 太阳能电池及其制备方法、光伏组件
    太阳能电池及其制备方法、光伏组件_浙江晶科能源有限公司_202511321140.3
    本申请涉及太阳能电池及其制备方法、光伏组件， 太阳能电池包括半导体衬底， 所述半导体衬底具有相对设置的第一表面和第二表面；钝化层， 所述钝化层位于所述半导体衬底的第一表面之上和/或第二表面之上， 所述钝化层包括第一钝化层和第二钝化层， 所述...
    2025-11-16
  • 光伏电池钝化膜层结构及其制备方法和在制备光伏电池中的应用
    光伏电池钝化膜层结构及其制备方法和在制备光伏电池中的应用_TCL中环新能源科技股份有限公司_202510962906.X
    本发明提供了一种光伏电池钝化膜层结构及其制备方法和在制备光伏电池中的应用， 涉及太阳能电池的技术领域， 包括：硅片以及设置在电池硅片背面的隧穿氧化层、氢化非晶硅层、本征非晶硅层和多晶硅层。本发明优化了背面钝化结构， 能够保证隧穿氧化层膜层完...
    2025-11-16
  • 一种抗紫外衰减的TOPCon电池及其制备方法
    一种抗紫外衰减的TOPCon电池及其制备方法_长三角太阳能光伏技术创新中心_202510792323.7
    本发明公开了一种抗紫外衰减的TOPCon电池及其制备方法， 在靠近所述TOPCon电池入光侧设置钝化层， 所述钝化层至少包括SiNX/AlOX两层结构， AlOX在内层， 所述钝化层上设置Al、F共掺杂的CeOX层。本发明通过Al和F共掺杂...
    2025-11-16
  • TOPCon电池正面钝化方法及TOPCon电池制备方法
    TOPCon电池正面钝化方法及TOPCon电池制备方法_环晟光伏(江苏)有限公司_202411487231.X
    本发明提供了一种TOPCon电池正面钝化方法及TOPCon电池制备方法， 涉及太阳能电池的技术领域， 所述TOPCon电池正面钝化方法包括以下步骤：在电池片正面制备钝化膜之后， 在氢气氛围下进行电离， 然后沉积正面减反射膜。本发明在正面减反...
    2025-11-16
  • TOPCon电池及其背面复合结构和制备方法
    TOPCon电池及其背面复合结构和制备方法_环晟光伏(江苏)有限公司_202410939135.8
    本发明涉及太阳能电池技术领域， 具体而言， 涉及TOPCon电池及其背面复合结构和制备方法。TOPCon电池的背面复合结构包括隧穿层、第一掺杂非晶硅薄膜层和第二掺杂非晶硅薄膜层， 第一掺杂非晶硅薄膜层和第二掺杂非晶硅薄膜层均与隧穿层连接， ...
    2025-11-16
  • 提高Topcon电池隧穿氧化层致密性的方法
    提高Topcon电池隧穿氧化层致密性的方法_环晟光伏(江苏)有限公司_202410911662.8
    本发明提供了一种提高Topcon电池隧穿氧化层致密性的方法， 具体涉及太阳能电池制备技术领域。该提高Topcon电池隧穿氧化层致密性的方法， 将预处理后的硅基底在氮气氛围下进舟， 然后在真空条件下升温并在氧气氛围下氧化， 完成后在氮气氛围下...
    2025-11-16
  • 背接触电池及光伏组件
    背接触电池及光伏组件_晶科能源(海宁)有限公司_202511337773.3
    本申请实施例涉及光伏领域， 提供一种背接触电池及光伏组件， 以提高背接触电池的良率。背接触电池包括：基底以及位于基底上的中心环绕式排布的第一栅线与第二栅线， 第一栅线与第二栅线为回字形栅线；第一主栅线与第一栅线的第一连接段电连接以及N1个第...
    2025-11-16
  • 太阳能电池及其制备方法、光伏组件
    太阳能电池及其制备方法、光伏组件_隆基绿能科技股份有限公司_202510798175.X
    本申请提供了一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件， 属于半导体技术领域。该太阳能电池包括：半导体基底；第一掺杂导电层和第二掺杂导电层， 均设置在半导体基底上；钝化层， 设置在第一掺杂导电层和第二掺杂导电层远离半导体基底的一侧；第一集电电极，...
    2025-11-16
  • 一种边缘漏电少的太阳能电池片及其制备方法与应用
    一种边缘漏电少的太阳能电池片及其制备方法与应用_环晟光伏(江苏)有限公司_202411025285.4
    本发明公开了一种边缘漏电少的太阳能电池片及其制备方法与应用， 属于太阳能电池技术领域。该太阳能电池片的制备包括以下步骤：对预处理后的太阳能电池基底的背面依次进行镀镍处理和镀铜处理， 再对太阳能电池基底的正面依次进行镀镍处理和镀铜处理， 至少...
    2025-11-16
  • TBC电池制备方法及TBC电池
    TBC电池制备方法及TBC电池_环晟光伏(江苏)有限公司_202410884614.4
    本发明提供了一种TBC电池制备方法及TBC电池， 涉及太阳能电池的技术领域， 包括以下步骤：在硅基体背面依次沉积第一隧穿氧化层、B‑Poly‑Si层和BSG层， 去除预设负电极区域的BSG层、B‑Poly‑Si层和第一隧穿氧化层；在预设负电...
    2025-11-16
  • 焊点结构、太阳电池、光伏组件及制造方法
    焊点结构、太阳电池、光伏组件及制造方法_通威太阳能(成都)有限公司_202410411195.2
    本发明涉及一种焊点结构、太阳电池、光伏组件及制造方法。上述焊点结构包括导电底层以及层叠设置在导电底层上的导电面层， 导电面层为分布有微孔的多孔结构。上述焊点结构包括导电底层和导电面层的叠层结构， 导电底层连接于电池主体上， 导电面层设置在导...
    2025-11-16
  • 一种钙钛矿晶硅叠层底电池结构和叠层电池及制备方法
    一种钙钛矿晶硅叠层底电池结构和叠层电池及制备方法_滁州捷泰新能源科技有限公司_202510983811.6
    本发明提供了一种钙钛矿晶硅叠层底电池结构和叠层电池及制备方法， 底电池结构包括半导体衬底层， 半导体衬底层的第一表面从内至外依次设有硼掺杂层、绒面、钝化膜层和第一金属电极， 半导体衬底层的第二表面从内至外依次为小绒面、隧穿氧化层和N型多晶硅...
    2025-11-16
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