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最新专利技术
  • 一种提高无机钙钛矿CsPbI3相稳定性的缺陷调控方法
    一种提高无机钙钛矿CsPbI3相稳定性的缺陷调控方法_南京理工大学_202410411071.4
    本发明公开了一种提高无机钙钛矿CsPbI3相稳定性的缺陷调控方法， 首先对CsPbI3构建不同缺陷模型， 并对缺陷模型以及初始CsPbI3结构进行结构优化， 基于优化后的结构进行相变势垒的计算， 确定原子空位缺陷浓度对稳定性的影响， 之后对...
    2025-11-17
  • 电池片串联设备以及电池片串联方法
    电池片串联设备以及电池片串联方法_通威太阳能(成都)有限公司_202410406784.1
    本发明公开了一种电池片串联设备及其方法， 其包括机台、固化平台、搬丝机构、放片机构、光源以及压合机构， 固化平台设置在机台上并能够移动， 固化平台上设置有多个用于容置金属互联条的长条形定位槽， 定位槽沿着第一方向延伸， 固化平台上还设置有若...
    2025-11-17
  • 异常硅片的处理方法及TOPCon电池的制备方法
    异常硅片的处理方法及TOPCon电池的制备方法_宿迁阿特斯阳光电力科技有限公司_202410402905.5
    本发明公开了一种异常硅片的处理方法及TOPCon电池的制备方法， 所述处理方法包括以下步骤：在硅片背面沉积隧穿层及轻掺杂晶硅层的过程中， 收集沉积工艺异常的第一异常硅片；采用抛光液对第一异常硅片进行背面抛光， 去除硅片背面的隧穿层和轻掺杂晶...
    2025-11-17
  • 光电探测器及光电探测器的制造方法
    光电探测器及光电探测器的制造方法_北京光智元科技有限公司_202410397349.7
    本发明的实施例公开了一种光电探测器及光电探测器的制造方法， 其中， 上述光电探测器的制造方法包括：提供衬底， 所述衬底包括第一硅层， 利用所述第一硅层形成第一导电类型区；在所述第一硅层上生长第一锗层， 利用所述第一锗层形成本征区；在所述第一...
    2025-11-17
  • 硅片制绒方法、太阳能电池的制备方法及太阳能电池
    硅片制绒方法、太阳能电池的制备方法及太阳能电池_江苏启威星装备科技有限公司_202410387625.1
    本申请公开了一种硅片制绒方法、太阳能电池的制备方法及太阳能电池， 属于太阳能电池制备领域。本申请提供的硅片制绒方法， 包括：对硅片进行预处理；对预处理后的硅片的第一表面和第二表面进行制绒；对制绒后的硅片进行臭氧氧化处理或者氧化性溶液氧化处理...
    2025-11-17
  • 阵列基板及其制作方法、平板探测器
    阵列基板及其制作方法、平板探测器_重庆惠科金渝光电科技有限公司_202510897225.X
    本申请属于显示领域， 具体涉及一种阵列基板及其制作方法、平板探测器， 阵列基板包括衬底基板、第一金属层、栅极绝缘层、有源层、第二金属层、源极、第一电极和光电转换层， 第一金属层形成在衬底基板一侧， 第一金属层包括栅极， 栅极绝缘层形成在第一...
    2025-11-17
  • 阵列基板及其制作方法、平板探测器
    阵列基板及其制作方法、平板探测器_重庆惠科金渝光电科技有限公司_202510876219.6
    本申请属于显示领域， 具体涉及一种阵列基板及其制作方法、平板探测器， 阵列基板包括衬底基板以及依次形成在衬底基板上的第一金属层、第一半导体层、第二金属层、栅极绝缘层和第三金属层， 第一金属层包括漏极和光电二极管的下电极， 下电极与漏极导电连...
    2025-11-17
  • 图像传感器以及其制造方法
    图像传感器以及其制造方法_意法半导体国际公司_202510440107.6
    本公开的各实施例涉及图像传感器及其制造方法。本说明书涉及一种图像传感器， 包括半导体衬底， 包括：第一表面；多孔层， 由电绝缘和多孔材料制成， 在所述第一表面上被开口穿过；每个开口中的有色滤光片；第一防潮保护层， 覆盖所述开口外的所述多孔层...
    2025-11-17
  • 图像传感器
    图像传感器_三星电子株式会社_202510132793.0
    一种图像传感器包括：光电转换器件， 所述光电转换器件位于衬底中；分隔结构， 所述分隔结构位于所述衬底中并且位于所述光电转换器件之间；绝缘结构， 所述绝缘结构位于所述衬底和所述分隔结构上；滤色器， 所述滤色器位于所述绝缘结构上；以及栅格结构，...
    2025-11-17
  • 芯片结构及形成方法
    芯片结构及形成方法_中芯国际集成电路制造(北京)有限公司_202410437418.2
    本发明提供一种芯片结构及形成方法， 其中芯片结构包括：衬底， 衬底包括若干相互邻接的芯片区， 各芯片区包括中心区以及包围中心区的切割道区；位于中心区上的功能电路结构， 功能电路结构的引脚延伸至切割道区上， 相邻芯片区的切割道区上的功能电路结...
    2025-11-17
  • 一种图像传感器、电子设备
    一种图像传感器、电子设备_华为技术有限公司_202410390835.6
    本申请实施例提供一种图像传感器、电子设备， 涉及光电转换技术领域， 用于缓解对焦像素对周边像素的影响。该图像传感器中的第一像素结构设置于衬底内。第一像素结构包括第一光电转换部、第二光电转换部以及第三N型掺杂层。第一光电转换部包括用于形成PN...
    2025-11-17
  • 光电转换装置、光电转换系统和移动物体
    光电转换装置、光电转换系统和移动物体_佳能株式会社_202510443246.4
    公开了光电转换装置、光电转换系统和移动物体。一种光电转换装置包括堆叠的第一芯片、第二芯片和第三芯片。第一芯片包括具有光电转换单元和第一读出电路的第一半导体层、以及第一布线结构。第二芯片包括具有存储器和输出电路的第二半导体层、以及第二布线结构...
    2025-11-17
  • 图像感测装置
    图像感测装置_爱思开海力士有限公司_202510144630.4
    本申请涉及图像感测装置。在实施方式中， 一种图像感测装置包括：光电转换元件， 其被配置为通过转换入射光来生成光电荷；传输晶体管， 其被配置为基于传输信号将由光电转换元件生成的光电荷传输到浮置扩散节点；复位晶体管， 其被配置为基于复位信号复位...
    2025-11-17
  • 图像感测器
    图像感测器_采钰科技股份有限公司_202411331715.5
    一种图像感测器， 包含超颖表面层。超颖表面层包含多个超颖柱体。图像感测器还包含光学功能层， 其位于超颖表面层上且覆盖超颖表面层。在像素区中， 超颖表面层的每个超颖柱体对应至光学功能层中的至少一开口或对应至该光学功能层中的多个光学功能柱体。
    2025-11-17
  • 影像传感器结构
    影像传感器结构_力晶积成电子制造股份有限公司_202410496652.2
    本发明公开一种影像传感器结构， 包括基底与像素结构。基底包括彼此相对的正面与背面。像素结构包括栅极、介电层、光侦测器与浮置扩散区。栅极位于基底中。栅极包括彼此相对的第一面与第二面。第一面比第二面更靠近正面。第一面的宽度不同于第二面的宽度。介...
    2025-11-17
  • 一种单面最小相干性全贯穿三维缠绕式沟槽电极探测器
    一种单面最小相干性全贯穿三维缠绕式沟槽电极探测器_鲁东大学_202511022428.0
    本发明公开了一种单面最小相干性全贯穿三维缠绕式沟槽电极探测器， 包括硅基体， 硅基体为长方体结构；硅基体中心设置中央阳极， 且硅基体外围设有沟槽阴极；沟槽阴极上部外侧表面覆盖阴极铝电极接触层；中央阳极上部外侧表面覆盖阳极铝电极接触层；硅基体...
    2025-11-17
  • 一种二硫化钼/三硒化二铟异质结光电晶体管
    一种二硫化钼/三硒化二铟异质结光电晶体管_四川大学_202410418291.X
    本发明属于电子元器件技术领域， 涉及一种光电晶体管， 特别是一种以MoS2/In2Se3异质结为导电层的偏振敏感光电晶体管。该MoS2/In2Se3异质结光电晶体管包括Si/SiO2基底、半导体MoS2纳米片、半导体In2Se3纳米片、源电...
    2025-11-17
  • 光电探测器结构及其形成方法
    光电探测器结构及其形成方法_中芯国际集成电路制造(北京)有限公司_202410431396.9
    一种光电探测器结构及其形成方法， 结构包括：光电二极管结构， 包括本征层、第一掺杂层和第二掺杂层， 本征层位于第一掺杂层和第二掺杂层之间， 第一掺杂层的掺杂类型与第二掺杂层的掺杂类型不同；应力调节层， 应力调节层位于第一掺杂层背向本征层的表...
    2025-11-17
  • 一种功能可切换的氧化物异质结光电二极管及制备方法
    一种功能可切换的氧化物异质结光电二极管及制备方法_西安电子科技大学杭州研究院_202511328947.X
    本发明涉及半导体器件领域， 公开了一种功能可切换的氧化物异质结光电二极管及制备方法， 其包括依次设置的绝缘衬底、N型氧化物半导体和P型半导体；P型半导体和N型氧化物半导体的界面形成Ⅱ型能带接触异质PN结；绝缘衬底和N型氧化物半导体层叠设置；...
    2025-11-17
  • 一种单行载流子光电器件、光载毫米波产生装置与方法
    一种单行载流子光电器件、光载毫米波产生装置与方法_中国科学院计算技术研究所_202410389856.6
    本发明为一种单行载流子光电器件器件、光载毫米波产生装置与方法， 包括衬底和位于所述衬底上的外延层和电极， 其中所述外延层包括依序叠加的蚀刻停止层、收集层、悬崖层、缓冲层、吸收层和阻挡层；所述缓冲层采用双极性掺杂结构， 用于平滑能带， 便于载...
    2025-11-17
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