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TOPCon电池制备方法及TOPCon电池
本发明提供了一种TOPCon电池制备方法及TOPCon电池, 涉及太阳能电池的技术领域, 所述TOPCon电池制备方法包括以下步骤:在电池基体的背面依次制备第一隧穿层、第一掺磷非晶硅层、第二隧穿层、第二掺磷非晶硅层、第三隧穿层和第三掺磷非晶...
光伏电池片的制备方法、光伏电池片及光伏组件
本申请关于一种光伏电池片的制备方法、光伏电池片及光伏组件, 涉及光伏技术领域。在本申请制备方法中, 设定基片分布有中间区和两个边缘区, 中间区位于两个边缘区之间, 基片包括硅基底, 形成发射极, 利用第一激光扫描发射极的位于边缘区内的部分,...
光伏组件制备方法及光伏组件
本申请涉及光伏技术领域, 公开了一种光伏组件制备方法及光伏组件。光伏组件制备方法包括:采用压扁装置将位于压延位置的焊带压扁形成压延部, 并对具有压延部的焊带进行裁切, 使裁切后的焊带在压延部的两端分别形成第一焊接部与第二焊接部;将第一焊接部...
一种背接触太阳能电池的制备方法及背接触太阳能电池
本发明公开一种背接触太阳能电池的制备方法及背接触太阳能电池。该制备方法可包括:提供晶硅基体;在晶硅基体的第一主表面顺序层叠形成隧穿钝化层和包含第一掺杂原子的掺杂多晶硅层;在掺杂多晶硅层外侧形成初始介质层;利用HF溶液清洗全部去除对应于第二功...
太阳能电池及其制造方法
本公开提供了一种太阳能电池及其制造方法, 涉及太阳能电池领域。本公开是为了解决激光对绒面P区的钝化影响较大的问题。制造方法包括:提供具有第一导电类型的半导体衬底, 半导体衬底的背面包括交替设置的第一部分和第二部分, 以及位于相邻第一部分和第...
逆向气流限域生长β-Bi2O3/Bi2O2Se异质结及其光电二极管
本发明提供逆向气流限域生长β‑Bi2O3/Bi2O2Se异质结及其光电二极管, 涉及二维半导体材料及其光电器件制备技术领域。逆向气流限域生长β‑Bi2O3/Bi2O2Se异质结的制备方法, 包括以下步骤:S1.提供少层(或多层)Bi2O2S...
一种紫外光转异质结电池及其制备方法
本发明涉及电池技术领域, 具体涉及一种紫外光转异质结电池及其制备方法, 制备紫外光转层时, 在紫外光转层的两面沉积透明导电层。通过设置透明导电层能够加固保护紫外光转层, 稳定性优于胶膜。
一种多分光激光诱导烧结方法及装置
提供一种多分光激光诱导烧结方法, 在光伏电池片第一表面设置第一电极与第一栅线接触, 在光伏电池片第二表面或第一表面设置第二电极和第二栅线接触, 第一电极和第二电极分别连接电源正负极对电池片施加反向偏压, 采用多分光光斑同时对光伏电池片的不同...
使用液态金属来制造用于太阳能电池的透明电极的方法
一种用于太阳能电池的透明电极的制造方法, 其包括在基底上形成顺序排列的层:下牺牲层、保护层和上牺牲层。部分地去除所述上牺牲层以暴露所述保护层, 并在所述暴露的表面上沉积液态金属层。去除上牺牲层之后, 所述金属层仍保留特定图案。在图案化金属层...
太阳能电池制造方法及导电浆料
一种太阳能电池制造方法, 包括:提供太阳能电池半成品;进行激光开孔工艺以形成开孔;形成导电浆料于开孔中;进行烧结工艺;以及进行激光增强接触优化工艺。太阳能电池半成品包括:硅基板、设置于硅基板上的钝化层、设置于硅基板与钝化层之间的半导体掺杂层...
一种光伏硅片背面扩散工艺和TOPCon电池
本发明公开了一种光伏硅片背面扩散工艺和TOPCon电池。本发明提供的光伏硅片背面扩散工艺, 包括:对碱抛后的硅片背面进行磷扩散处理, 并氧化背面死层形成磷硅玻璃层;对带有磷硅玻璃层的硅片进行退火处理以推进磷元素在硅片背面的扩散;之后采用刻蚀...
一种TBC电池的制备方法及由其制备得到的TBC电池
本发明提供了一种TBC电池的制备方法及由其制备得到的TBC电池, 涉及光伏电池技术领域。所述TBC电池的制备方法包括以下步骤:(1)采用ALD法在双面抛光的N型晶体硅基体的背面进行沉积, 形成隧穿氧化层;(2)采用PECVD法在所述隧穿氧化...
TOPCon电池隧穿氧化层制备方法及隧穿氧化层和TOPCon电池
本发明提供了一种TOPCon电池隧穿氧化层制备方法及隧穿氧化层和TOPCon电池, 涉及TOPCon电池隧穿氧化层制备方法及隧穿氧化层和TOPCon电池的技术领域, 包括以下步骤:在混合气体氛围下, 采用热氧化法在电池片背面沉积隧穿氧化层;...
太阳能电池氢钝化的方法、制备方法和太阳能电池
本发明公开了太阳能电池氢钝化的方法、制备方法和太阳能电池, 本发明中, 在采用光注入方式对太阳能电池片进行氢钝化的同时, 将太阳能电池片的正面金属栅线和背面金属栅线通过电连接结构连通, 从而形成光生电流回路, 光生电流再次注入到太阳能电池片...
太阳能电池片的退钛方法及其应用
本发明提供了一种太阳能电池片的退钛方法及其应用, 涉及太阳能电池金属化的技术领域, 包括以下步骤:将具有钛种子层的太阳能电池片经过烧结处理后, 再在超声条件下通过退钛溶液进行退钛处理, 得到退钛后的太阳能电池片;其中, 超声条件的超声功率为...
一种硼掺杂选择性发射极的制备方法、发射极及TOPCon电池
本发明提供了一种硼掺杂选择性发射极的制备方法、发射极及TOPCon电池, 涉及TOPCon电池技术领域。所述制备方法包括:通过PECVD沉积工艺在制绒后的硅片正面沉积硼硅玻璃层;通过激光图形化工艺去除所述硅片正面的非细栅区域的硼硅玻璃层, ...
一种背板覆膜设备
本申请提供了一种背板覆膜设备, 包括承载机构、加热机构、第一铺放机构、第二铺放机构及转运机构, 其中:加热机构设在承载机构下方。第一铺放机构被将n根第一膜条铺放至承载机构上。第二铺放机构将m根垂直于第一膜的第二膜条铺放至承载机构上。转运机构...
一种N型TOPCon电池及其制备方法
本发明实施例提供了一种N型TOPCon电池及其制备方法, 其中, 本发明实施例所提供的N型TOPCon电池的制备方法, 在形成正面栅线的银浆中省却了铝粉, 但对硼扩散后的硅片正面进行激光掺杂, 并在烧结并进行光注入后进行激光诱导, 能够引发...
边缘钝化的光伏电池片的制备方法
本发明涉及一种边缘钝化的光伏电池片的制备方法, 依次包括如下步骤:1)制备整片光伏电池片;2)光伏电池小片的制备:采用激光热应力无损切割方式对整片光伏电池片进行切割, 将整片光伏电池片切片为光伏电池小片;3)对光伏电池小片进行清洗;4)对光...
一种提高无机钙钛矿CsPbI3相稳定性的缺陷调控方法
本发明公开了一种提高无机钙钛矿CsPbI3相稳定性的缺陷调控方法, 首先对CsPbI3构建不同缺陷模型, 并对缺陷模型以及初始CsPbI3结构进行结构优化, 基于优化后的结构进行相变势垒的计算, 确定原子空位缺陷浓度对稳定性的影响, 之后对...
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