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最新专利技术
  • 用于太赫兹行波管的盒型输能窗、太赫兹行波管及方法
    用于太赫兹行波管的盒型输能窗、太赫兹行波管及方法_北京真空电子技术研究所(中国电子科技集团公司第十二研究所)_202510753084.4
    本发明提供一种用于太赫兹行波管的盒型输能窗、太赫兹行波管及方法，该盒型输能窗包括由两端向内依次同中心轴设置的矩形波导腔、圆波导腔和窗片；各圆波导腔的直径沿远离窗片的方向逐渐变小。该盒型输能窗能够有效改善输能窗内部的宽带阻抗匹配特性，降低内部...
    2026-01-22
  • 半导体自动植球设备及方法
    半导体自动植球设备及方法_浙江甚湖科技有限公司_202510747890.0
    本申请的实施例公开了一种半导体自动植球设备及方法，植球设备包括输送机、筛网、第一阻挡件以及第二阻挡件。筛网为圆筒状，能够绕其自身轴线转动。第一阻挡件和筛网围设形成容置多个锡球的容置腔。第二阻挡件用于阻挡网孔中的锡球在重力作用下脱离网孔。其中...
    2026-01-22
  • 一种应用于增强型氮化镓功率器件有源钝化层的慢速刻蚀修复方法
    一种应用于增强型氮化镓功率器件有源钝化层的慢速刻蚀修复方法_智诚尚芯(安徽)半导体有限公司_202510751033.8
    本发明公开了一种应用于增强型氮化镓功率器件有源钝化层的慢速刻蚀修复方法，涉及慢速刻蚀修复技术领域，本发明提供的慢速刻蚀修复方法步骤包括：基于含p‑GaN外延层的基片通过光刻定义栅下刻蚀区域，采用BCl₃等离子体干法刻蚀去除绝大部分p‑GaN...
    2026-01-22
  • 一种用于晶圆键合设备的加热冷却系统
    一种用于晶圆键合设备的加热冷却系统_文天精策仪器科技(苏州)有限公司_202510754290.7
    本发明涉及一种用于晶圆键合设备的加热冷却系统，包括基础单元、加热单元和冷却单元，基础单元包括上盘、加热仓和下盘，加热仓用于容置待键合的晶圆并为其提供真空环境；上盘和下盘可被驱动的相互靠近以以对晶圆施加设定的压力；加热单元的上加热器和下加热器...
    2026-01-22
  • 一种碳化硅芯片的切割方法
    一种碳化硅芯片的切割方法_广东芯粤能半导体有限公司_202510754539.4
    本发明提供一种碳化硅芯片的切割方法，碳化硅芯片具有多个芯片形成区域和分隔多个芯片形成区域的划片道区，且划片道区中设有胶材料层，切割方法包括：采用激光工艺对胶材料层进行预切割，形成至少贯穿胶材料层厚度的切槽；基于切槽，通过划线轮和预设应力对碳...
    2026-01-22
  • 一种用于强化沸腾传热的减材蚀刻微纳多级粗糙结构铜表面及其制备方法
    一种用于强化沸腾传热的减材蚀刻微纳多级粗糙结构铜表面及其制备方法_北京工业大学_202510756640.3
    一种用于强化沸腾传热的减材蚀刻微纳多级粗糙结构铜表面及其制备方法，涉及微纳复合结构强化相变传热技术领域。所述蚀刻微纳多级粗糙结构完全覆盖于铜衬底表面，微纳多级粗糙结构包括微米级凹腔、纳米级凹腔/孔洞、以及纳米级颗粒状凸起，三者共同构成多级结...
    2026-01-22
  • 一种低应力玻璃基板与重布线层的封装结构
    一种低应力玻璃基板与重布线层的封装结构_芯爱科技(南京)有限公司_202510749264.5
    本发明公开了一种低应力玻璃基板与重布线层的封装结构，包括：玻璃基板；介质层，设置于所述玻璃基板的上表面；至少两个芯片，设置于所述介质层的上表面，且至少两个所述芯片相互之间进行连接；所述芯片的连接区域位于所述介质层的两侧；多个应力释放槽，设置...
    2026-01-22
  • 一种负极表面膜层及其制备方法和应用
    一种负极表面膜层及其制备方法和应用_重庆新型储能材料与装备研究院_202510754320.4
    本发明涉及镁一次电池技术领域，公开了一种负极表面膜层，包括镁基体，镁基体的表面生成有复合膜层，复合膜层包括植酸分子、Mg2+形成的磷酸骨架、氟化镁、少量氧化镁和氢氧化镁；一种负极表面膜层的制备方法，具体步骤为：首先采用...
    2026-01-22
  • VO2(B)@碳量子点纳米棒及其制备方法、正极材料和锌离子电池
    VO<Sub>2</Sub>(B)@碳量子点纳米棒及其制备方法、正极材料和锌离子电池_郑州轻工业大学_202510753727.5
    本发明涉及电化学技术领域，具体涉及VO2(B)@碳量子点纳米棒及其制备方法、正极材料和锌离子电池。制备方法：将聚丙烯酸、乙二胺和水混合并进行水热反应，得到碳量子点溶液；将VO2(B)纳米棒和碳量子...
    2026-01-22
  • 一种钠离子电池正极材料及其制备方法和应用
    一种钠离子电池正极材料及其制备方法和应用_东北大学秦皇岛分校_202510750276.X
    本发明提供了一种钠离子电池正极材料及其制备方法和应用，属于钠离子电池技术领域。所述正极材料的化学式为：NamAxByCzFe0.5‑x‑
    2026-01-22
  • 超晶格特征富锂锰基正极材料及其制备方法和锂离子电池
    超晶格特征富锂锰基正极材料及其制备方法和锂离子电池_方亮_202510755479.8
    本发明涉及锂离子电池技术领域，尤其涉及超晶格特征富锂锰基正极材料及其制备方法和锂离子电池。所述超晶格特征富锂锰基正极材料的X射线衍射图谱中，在布拉格角度为20.7°±0.3°呈现Li2MnO3的超...
    2026-01-22
  • 一种自驱动高孔隙率快充电极、其制备方法及电池
    一种自驱动高孔隙率快充电极、其制备方法及电池_杭州科技职业技术学院_202510755053.2
    本发明提供了一种自驱动高孔隙率快充电极的制备方法，包括以下步骤：A)将电极活性浆料的制备原料与添加剂混合，得到电极浆料；所述添加剂包括异丙醇铝和/或异丙醇镁；B)将电极浆料涂布于集流体表面，得到电极极片；C)将所述电极极片与电解液组装，得到...
    2026-01-22
  • 锂离子二次电池
    锂离子二次电池_珠海冠宇电池股份有限公司_202510757019.9
    本发明涉及锂离子电池技术领域，公开了一种锂离子二次电池，包括电解液和卷绕式电芯，电解液包括腈类添加剂，腈类添加剂含量Awt％，1≤A≤10；卷绕式电芯包括正极片、隔膜和负极片，正极片包括正极活性层和正极集流体，负极片的负极活性层包括负极活性...
    2026-01-22
  • 锂离子二次电池
    锂离子二次电池_珠海冠宇电池股份有限公司_202510762347.8
    本发明涉及电池技术领域，具体涉及一种锂离子二次电池。锂离子二次电池包括层叠卷绕设置的正、负极片和隔膜，并具有圆弧区和位于圆弧区之间的平直区；负极片包括硅基材料；正极片包括正极集流体和位于正极集流体至少一侧表面的含正极活性材料的正极活性层；圆...
    2026-01-22
  • 一种改进的浸没式电池包及其热管理方法
    一种改进的浸没式电池包及其热管理方法_哈尔滨工业大学(威海)_202510752704.2
    本发明提供一种改进的浸没式电池包及其热管理方法，属于电池包领域。为解决完全浸没式电池包存在启动阶段需要更多的功来达到工作状态，对化学稳定性要求更高；部分浸没式电池包存在冷却效果不好，电池温度均匀性差，影响电池使用寿命的问题。本发明将完全浸没...
    2026-01-22
  • 电芯及电池
    电芯及电池_珠海冠宇电池股份有限公司_202510761192.6
    本发明涉及电池技术领域，公开了电芯及电池，包括：电芯本体，包括正极片、隔膜和负极片，隔膜的至少一侧边缘延伸出负极片的对应边缘；第一绝缘层分别粘接第一表面、第二表面和侧面；粘接结构，将至少两层隔膜的超出负极片的边缘的部分相互粘接，并形成粘接区...
    2026-01-22
  • 一种用于无线微波输能的2.45GHz和5.8GHz双频柔性天线阵列
    一种用于无线微波输能的2.45GHz和5.8GHz双频柔性天线阵列_重庆大学_202510749980.3
    本发明属于无线传能领域，公开了一种用于无线微波输能的2.45GHz和5.8GHz双频柔性天线阵列，包括介质基板、贴片阵列、馈电接口、等效接地板、超表面层、EBG电磁带隙结构；所述天线结构印刷在介质基板的一侧，并通过同轴馈电方式进行激励，两块...
    2026-01-22
  • 一种宽带广角度极化不敏感超材料吸波器
    一种宽带广角度极化不敏感超材料吸波器_重庆邮电大学_202510749315.4
    本发明公开了一种宽带广角度极化不敏感超材料吸波器，该超材料吸波器包括三层结构，自上而下依次叠加的微结构单元层、FR‑4衬底层和金属底板层；微结构单元层整体呈轴对称，包括4层结构，由内向外依次包括矩形金属谐振片、4个扇形金属谐振片、第一开口金...
    2026-01-22
  • 一种多子阵数字波束形成方法、装置、设备及存储介质
    一种多子阵数字波束形成方法、装置、设备及存储介质_中国电子科技集团公司第二十九研究所_202510752211.9
    本申请公开了一种多子阵数字波束形成方法、装置、设备及存储介质，首先将包含M个阵元的天线阵列划分为K个子阵，为每个子阵生成一组通道置乱序列，将K个子阵中每个子阵的P个通道按照通道置乱序列输入K个合路器，每个合路器对K个子阵的置乱后通道信号进行...
    2026-01-22
  • 一种桌面机器人回充装置
    一种桌面机器人回充装置_武汉研众科技有限公司_202510753083.X
    本发明公开了一种桌面机器人回充装置，涉及机器人充电技术领域，本发明包括配重底座和固定安装在配重底座上方一侧的控制模块，所述配重底座的上方另一侧设置有接电组件；所述接电组件包括设置在配重底座上方的伸缩节组件、设置在伸缩节组件内部的电动缸模组，...
    2026-01-22
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