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最新专利技术
  • 半导体器件及其制造方法、电子设备
    半导体器件及其制造方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202410533836.1
    一种半导体器件及其制造方法、电子设备，涉及半导体技术领域，所述半导体器件包括：多个存储单元，分布于不同层、沿垂直于衬底的方向堆叠分布；贯穿不同层的存储单元的读字线和写字线；沿垂直于衬底的方向延伸的第一半导体层和多个第二半导体层，第一半导体层...
    2025-11-29
  • 半导体装置
    半导体装置_爱思开海力士有限公司_202511032724.9
    本申请涉及半导体装置。一种用于制造半导体装置的方法包括：形成包括互连件的下部结构；形成联接到互连件的第一接触插塞；在第一接触插塞和下部结构之上形成介电层和牺牲层的交替层叠物。该方法还包括：形成贯穿交替层叠物并暴露第一接触插塞的开口；在开口中...
    2025-11-29
  • 半导体器件及其制备方法、存储器系统
    半导体器件及其制备方法、存储器系统_长江存储科技有限责任公司_202410533640.2
    本申请实施方式提供一种半导体器件及其制备方法、存储器系统，半导体器件包括叠层结构和多个接触结构。叠层结构包括沿第一方向层叠设置的多个栅极层。多个接触结构分别与多个位于不同层叠高度处的栅极层连接，其中栅极层沿第二方向由叠层结构的第一区延伸至叠...
    2025-11-29
  • 存储器件及其形成方法
    存储器件及其形成方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202511073683.8
    一种存储器件及其形成方法，衬底；位于衬底上的有源条形柱，有源条形柱包括第一区和第二区，两者之间具有隔离间隙；位于有源条形柱内的隔离柱，隔离柱将第二区分割为第一沟道部和第二沟道部，隔离间隙暴露出隔离柱；位于衬底上的隔离层，隔离层填充满有源条形...
    2025-11-29
  • 一种半导体器件、制造方法及存储器系统
    一种半导体器件、制造方法及存储器系统_长江存储科技有限责任公司_202410469729.7
    本公开实施例提供一种半导体器件、制造方法及存储器系统。半导体器件包括：叠层结构，所述叠层结构包括交替堆叠的层间绝缘层和导电层；沟道结构，所述沟道结构沿堆叠方向贯穿所述叠层结构；所述沟道结构包括存储功能层和沟道层，其中，沿垂直于所述堆叠方向的...
    2025-11-29
  • 具有结晶薄膜铁电层的半导体器件及其制造方法
    具有结晶薄膜铁电层的半导体器件及其制造方法_爱思开海力士有限公司_202510114832.4
    本公开涉及具有结晶薄膜铁电层的半导体器件及其制造方法。一种半导体器件包括：第一互连线，其在第一水平方向上延伸；第二互连线，其在第二水平方向上延伸，第一水平方向和第二水平方向彼此相交；以及存储单元，其设置在第一互连线和第二互连线之间。存储单元...
    2025-11-29
  • 基于应力调控的低工作电压AlScN铁电电容存储器及制备方法
    基于应力调控的低工作电压AlScN铁电电容存储器及制备方法_西安电子科技大学杭州研究院_202511369587.8
    本方案提供了一种基于应力调控的低工作电压AlScN铁电电容存储器及制备方法，包括以下步骤：S1：清洗并干燥硅片衬底；S2：在硅片衬底上沉积第一厚度的底层金属薄膜；S3：在底层金属薄膜上生长第二厚度的AlScN薄膜，且第一厚度的底层金属薄膜诱...
    2025-11-29
  • 阻变存储器的制备方法及阻变存储器
    阻变存储器的制备方法及阻变存储器_复旦大学_202511048613.7
    本发明提供了一种阻变存储器的制备方法及阻变存储器，通过在衬底上形成N层底电极复合层，N层底电极复合层中第i层底电极复合层包括第i底电极以及重叠在第i底电极上的第i绝缘层；在衬底上形成图形化的第i光刻胶层，在第i光刻胶层的开口区内选择性生长第...
    2025-11-29
  • 存储器器件的制造方法
    存储器器件的制造方法_长江存储科技有限责任公司_202410537509.3
    本申请实施例提供一种存储器器件的制造方法，该存储器器件的制造方法包括：形成第一半导体结构；第一半导体结构包括存储单元阵列；形成第二半导体结构，第二半导体结构至少包括多个第一控制电路及分布在多个第一控制电路的间隙处的至少部分外围电路；第一半导...
    2025-11-29
  • 存储器器件
    存储器器件_长江存储科技有限责任公司_202410546500.9
    本申请实施例提供一种存储器器件，该存储器器件包括：第一半导体结构，包括存储单元阵列；第二半导体结构，至少包括多个第一控制电路及分布在多个第一控制电路的间隙处的至少部分外围电路；第一半导体结构与第二半导体结构层叠设置且连接；第一互联层，位于第...
    2025-11-29
  • 半导体存储器装置
    半导体存储器装置_爱思开海力士有限公司_202511025923.7
    本申请涉及半导体存储器装置。该半导体存储器装置包括：栅极层叠结构，其包括在垂直方向上交替地层叠在基板上的层间绝缘层和导电图案；多个沟道结构，所述多个沟道结构穿透栅极层叠结构，所述多个沟道结构中的每一个的一个端部突出超过栅极层叠结构的边界；以...
    2025-11-29
  • 电感结构及制备方法、芯片封装结构及制备方法
    电感结构及制备方法、芯片封装结构及制备方法_长电科技管理有限公司_202510878569.6
    本申请提供一种电感结构及制备方法、集成电感的芯片封装结构及制备方法，本申请的电感形成在塑封层中的空槽内，利用基板的第一电感图案结构、垂直键合线和第二电感图案结构组成竖直方向的平面电感或立体电感，并填充电感磁胶层，和传统水平方向的平面电感相比...
    2025-11-29
  • 变容器结构
    变容器结构_联华电子股份有限公司_202410469264.5
    本发明公开一种变容器结构。上述变容器结构包括衬底、第一导电层、第二导电层、第一介电层、第二介电层、第一掺杂区与第二掺杂区。第一导电层位于衬底上。第二导电层位于第一导电层上。第一介电层位于衬底与第一导电层之间。第二介电层位于第一导电层与第二导...
    2025-11-29
  • 一种交指电容以及模数转换电路
    一种交指电容以及模数转换电路_华为技术有限公司_202510717384.7
    一种交指电容以及模数转换电路，该交指电容包括：至少一个第一金属层，每个第一金属层中设置有第一电极、与第一电极连接的至少一个第一叉指金属，以及第二电极，与第二电极连接的多个第二叉指金属，与第二电极连接的至少一个第三叉指金属。其中，至少一个第一...
    2025-11-29
  • 半导体器件及其形成方法
    半导体器件及其形成方法_格科半导体(上海)有限公司_202511082213.8
    一种半导体器件及其形成方法，其中，所述形成方法包括：提供基底，所述基底内形成有第一导电区和第二导电区，所述基底、第一导电区和第二导电区表面具有金属互连介质层；对所述金属互连介质层进行刻蚀以形成第一通孔，所述第一通孔暴露所述第一导电区；在所述...
    2025-11-29
  • 半导体器件及其形成方法
    半导体器件及其形成方法_格科半导体(上海)有限公司_202511082300.3
    一种半导体器件及其形成方法，其中，所述形成方法包括：提供基底，所述基底内形成有第一导电区和第二导电区，所述基底、第一导电区和第二导电区表面具有金属互连介质层；对所述金属互连介质层进行刻蚀以同时形成第一通孔和第二通孔，所述第一通孔暴露所述第一...
    2025-11-29
  • 半导体器件及其形成方法
    半导体器件及其形成方法_格科半导体(上海)有限公司_202511082313.0
    一种半导体器件及其形成方法，其中，所述形成方法包括：提供基底，所述基底内形成有第一导电区，所述基底和第一导电区的表面具有第一金属互连介质层；在所述第一导电区上制备得到功能器件，所述功能器件包括与所述第一导电区电连接的导电层，所述导电层暴露于...
    2025-11-29
  • 一种基于氟等离子体钝化提升β-Ga2O3肖特基二极管性能的方法
    一种基于氟等离子体钝化提升β-Ga2O3肖特基二极管性能的方法_合肥工业大学_202511044307.6
    本发明公开了一种基于氟等离子体钝化提升β‑Ga2O3肖特基二极管性能的方法，该二极管包括具有相对设置的正面与背面的β‑Ga2O3单晶衬底，在β‑Ga2O3单晶衬底的正面设置有β‑Ga2O3外延层，利用SF6/Ar混合气体，采用ICP等离子体...
    2025-11-29
  • 辐射增强的双极晶体管
    辐射增强的双极晶体管_德克萨斯仪器股份有限公司_202511008055.1
    本申请公开一种辐射增强的双极晶体管，所公开的示例包括集成电路和双极晶体管(100)，该双极晶体管(100)具有在衬底(102, 104)中的第一导电类型的第一区(106)、设置在衬底(102, 104)中的第二导电类型的集电极区(114)以...
    2025-11-29
  • 一种砷化镓基异质结双极型晶体管及其制备方法
    一种砷化镓基异质结双极型晶体管及其制备方法_广东先导微电子科技有限公司_202511045990.5
    本发明半导体器件领域，具体公开一种砷化镓基异质结双极型晶体管及其制备方法。本发明的GaAs基HBT器件采用倒置的结构，且将加工工艺当中的半导体衬底作为导电的N型半导体层参与器件的导电，可以使得GaAs基HBT器件具有P型GaAs基极和N型I...
    2025-11-29
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