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最新专利技术
  • 一种低密度高硅质陶粒支撑剂制备方法
    一种低密度高硅质陶粒支撑剂制备方法_河南祥盛陶粒有限公司_202510834854.8
    本发明公开了一种低密度高硅质陶粒支撑剂制备方法，涉及陶粒支撑剂技术领域，包括以下步骤：将铝矾土、钾长石、铁矿石、重晶石破碎后按比例混合共磨形成混合粉料；将混合粉料通过湿法造粒制得球状生坯；通过流化床在球状生坯外侧包裹复合粉；进行困料后干燥；...
    2026-01-02
  • 一种高强度低损耗的镍锌铜铁氧体材料及其制备方法
    一种高强度低损耗的镍锌铜铁氧体材料及其制备方法_横店集团东磁股份有限公司_202511064143.3
    本发明提供一种高强度低损耗的镍锌铜铁氧体材料及其制备方法，采用特定特定含量范围的Fe2O3、ZnO、NiO和CuO作为主成分，采用特定特定含量范围的Bi2O3、SnO2、SiO2和CaCO3作为添加助剂，在900～1100℃下烧结处理，制备...
    2026-01-02
  • 一种添加Al2O3-MgO复合粉体的转炉下水口及其制备方法
    一种添加Al2O3-MgO复合粉体的转炉下水口及其制备方法_马鞍山利尔开元新材料有限公司_202511068422.7
    本发明公开了一种添加Al2O3‑MgO复合粉体的转炉下水口及其制备方法，属于耐火材料技术领域。该下水口包括MAS‑76铝镁尖晶石60％‑65％和共磨粉35％‑40％，二者的重量百分比之和为100％；外加占总重量百分比为4％～5％的热固酚醛树...
    2026-01-02
  • 一种ITO粉末砂磨后去除研磨介质的方法
    一种ITO粉末砂磨后去除研磨介质的方法_芜湖映日科技股份有限公司_202411040773.2
    本发明涉及靶材技术领域，具体涉及一种ITO粉末砂磨后去除研磨介质的方法，本发明通过混合氧化铟粉末和氧化锡粉末，并使用氧化锆球作为研磨介质进行球磨，得到含有残留氧化锆的氧化铟锡粉末；随后，将含有残留氧化锆的氧化铟锡粉末分散在溶剂中，最终通过过...
    2026-01-02
  • 一种高导电高致密的氧化锡基靶材及其制备方法与应用
    一种高导电高致密的氧化锡基靶材及其制备方法与应用_索罗曼(常州)合金新材料有限公司_202511088366.3
    本发明公开了一种高导电高致密的氧化锡基靶材及其制备方法与应用，属于氧化锡靶材技术领域。按质量百分数计，该氧化锡基靶材的制备原料包括0.2%~1%的二氧化铅、0.2%~0.5%的氧化镉、0.5%~1%的铜以及1%~1.5%的三氧化二锑，余量为...
    2026-01-02
  • 一种氧化锡基复合靶材及其制备方法
    一种氧化锡基复合靶材及其制备方法_洛阳晶联光电材料有限责任公司_202511454123.7
    本发明属于靶材技术领域，具体涉及一种氧化锡基复合靶材及其制备方法。本发明提供的氧化锡基复合靶材包括氧化锡、掺杂氧化物和烧结助剂，掺杂氧化物为五氧化二锑、五氧化二钒、氧化镍和三氧化钨，烧结助剂为氧化镁和氧化钇。本发明采用五氧化二锑、五氧化二钒...
    2026-01-02
  • 一种具有宽温度稳定性和高储能密度的钛酸铋钠基陶瓷材料及其制备方法
    一种具有宽温度稳定性和高储能密度的钛酸铋钠基陶瓷材料及其制备方法_陕西科技大学_202511061041.6
    本发明公开了一种具有宽温度稳定性和高储能密度的钛酸铋钠基陶瓷材料及其制备方法，化学式为：(1‑x)(0.85Na0.5Bi0.5TiO3‑0.15CaTiO3)‑x(Li0.5La0.5)(Zr0.8Ti0.2)O3((1‑x)NBT‑CT...
    2026-01-02
  • 一种可耐高温的复合融合瓦及其制备方法
    一种可耐高温的复合融合瓦及其制备方法_中建八局第一建设有限公司_202510978197.4
    本发明提供了一种可耐高温的复合融合瓦及其制备方法，涉及融合瓦制备技术领域，包括多孔陶瓷基体层、熔融盐填充层以及密封层，多孔陶瓷基体层包括按质量份数计的90‑95份的氧化锆、5‑10份的氧化钇，多孔陶瓷基体层孔径呈蜂窝状分布，熔融盐填充层包括...
    2026-01-02
  • 一种齿科用氧化锆陶瓷快速烧结方法及氧化锆陶瓷
    一种齿科用氧化锆陶瓷快速烧结方法及氧化锆陶瓷_深圳市翔通光电技术有限公司_202511024335.1
    本发明提供了一种齿科用氧化锆陶瓷快速烧结方法及氧化锆陶瓷，齿科用氧化锆陶瓷快速烧结方法，包括：获取氧化钇稳定的氧化锆粉末制备得到的预烧结体，以及获取氧化锆粉末的标准活性烧结温度；将预烧结体在预定终烧阶段进行终烧，得到氧化锆陶瓷，预定终烧阶段...
    2026-01-02
  • YAG纳米透明陶瓷的制备方法及YAG纳米透明材料的应用
    YAG纳米透明陶瓷的制备方法及YAG纳米透明材料的应用_浙江大学_202510931956.1
    本发明涉及透明陶瓷的制备技术领域，具体公开了一种YAG纳米透明陶瓷的制备方法。所述制备方法包括如下步骤：S1、对YAG纳米粉体进行挤压成型，得到素坯；S2、对所述素坯进行高压处理，所述高压处理的压强大于或等于2GPa。本发明创新性地引入高压...
    2026-01-02
  • 一种含钐/铕/钆的氢化锆块体及其制备方法和应用
    一种含钐/铕/钆的氢化锆块体及其制备方法和应用_内蒙古科学技术研究院_202511414985.7
    本发明提供了一种含钐/铕/钆的氢化锆块体及其制备方法和应用，涉及辐射屏蔽材料技术领域。含钐/铕/钆的氢化锆块体包括以下质量百分比的元素：95%≤Zr≤99.5%，0%≤Gd≤5%，0%≤Sm≤5%，0%≤Eu≤5%，0%
    2026-01-02
  • 一种光伏热场用高纯度大规格等静压石墨的制备方法
    一种光伏热场用高纯度大规格等静压石墨的制备方法_江西宁新新材料股份有限公司_202511050028.0
    本发明涉及炭素材料技术领域，公开了一种光伏热场用高纯度大规格等静压石墨的制备方法，该方法以针状焦为骨料，以氧化石墨烯作为粘结剂前驱体，并复配纳米二氧化硅和水溶性高分子牺牲模板剂，制备成型浆料。将浆料经冷等静压成型和固化后，在惰性气氛下进行一...
    2026-01-02
  • 一种有机物复合掺杂型Ag2Se基热电材料的制备方法
    一种有机物复合掺杂型Ag2Se基热电材料的制备方法_曲阜师范大学_202511037465.9
    本发明公开属于热电材料技术领域的一种有机物复合掺杂型Ag2Se基热电材料的制备方法。该制备方法包括：将Ag粉、Se粉和有机物C20H30O2放入研钵中，混合均匀；将混合均匀的粉末冷压成块体；将冷压的块体进行高温高压合成，成型后得到有机物复合...
    2026-01-02
  • 一种热电材料及其制备方法
    一种热电材料及其制备方法_闽都创新实验室_202511104987.6
    本发明公开了一种热电材料及其制备方法，其中，所述热电材料的化学式为K2Bi8+xS13，所述热电材料为n型，其中，0＜x≤0.004。热电材料的制备方法，包括以下步骤：(1)高温熔炼步骤：在真空环境中，对按化学计量比称量的原料进行高温熔炼处...
    2026-01-02
  • 一种基于凝胶注模成型的碳化硅晶须增韧碳化硼复合材料
    一种基于凝胶注模成型的碳化硅晶须增韧碳化硼复合材料_宁波杭州湾新材料研究院_202510796261.7
    本发明属于无机非金属材料技术领域，涉及一种基于凝胶注模成型的碳化硅晶须增韧碳化硼复合材料。本发明公开了一种基于凝胶注模成型的碳化硅晶须增韧碳化硼复合材料，其具有“哑铃型”B4C‑SiCw‑B4C结构，所述结构为长径比＞50 : 1的碳化硅晶...
    2026-01-02
  • 一种碳化硅晶舟的制备方法
    一种碳化硅晶舟的制备方法_浙江吉成新材股份有限公司_202510697894.2
    本发明涉及以碳化硅为基料晶舟制备技术领域，公开了一种碳化硅晶舟的制备方法，包括依次进行以下步骤：制备碳化硅造粒粉，粉体原料采用多个粒度段的碳化硅粉混合，辅料包括聚乙二醇、聚乙烯醇、炭黑以及石墨；碳化硅造粒粉模压成型生坯单元；生坯单元烘干形成...
    2026-01-02
  • 一种碳化硅晶舟制备方法
    一种碳化硅晶舟制备方法_长春长光精瓷复合材料有限公司_202511447069.3
    本发明公开了一种碳化硅晶舟制备方法，涉及碳化硅陶瓷技术领域。该方法包括：制备预制体浆料，注入模具经振动排气、固化、脱模及干燥得到预制体部件；在连接面涂覆纳米增强粘结浆料，粘接校准后喷涂可剥离层浆料并干燥；将装配后的预制体在氩气保护下按特定曲...
    2026-01-02
  • 一种用于热风炉修复的浇注料及其应用
    一种用于热风炉修复的浇注料及其应用_中冶武汉冶金建筑研究院有限公司_202511029680.4
    本发明公开了一种用于热风炉修复的浇注料及其应用，属于浇注料技术领域。按质量百分比计，该浇注料原料组分包括：碳化硅颗粒40~60%，碳化硅粉30~50%，α‑氧化铝微粉5~10%，铝酸盐水泥2~5%，有机硅憎水剂0.5~2%，耐高温消泡剂0....
    2026-01-02
  • 碳化硅块体及其制备方法与应用
    碳化硅块体及其制备方法与应用_湖南铠欣新材料科技有限公司_202511034851.2
    本申请涉及一种碳化硅块体及其制备方法与应用。该碳化硅块体包括碳化硅形核层、碳化硅过渡层和碳化硅致密层；过渡层设于所述形核层上，致密层设于过渡层的远离形核层的表面上；形核层的晶粒尺寸小于或等于100 nm，过渡层的晶粒尺寸为140nm~200...
    2026-01-02
  • 一种以模板法原位成型仿生层状C/SiC复合陶瓷润滑材料的制备方法
    一种以模板法原位成型仿生层状C/SiC复合陶瓷润滑材料的制备方法_中国科学院兰州化学物理研究所_202511453228.0
    本发明提供了一种以模板法原位成型仿生层状C/SiC复合陶瓷润滑材料的制备方法。该方法通过给定性滤纸喷涂Si/Al2O3/SiO2和h‑BN/Al2O3/SiO2陶瓷悬浮液，以滤纸为模板及碳源，通过热压烧结原位生成无定形碳、SiC和莫来石相，...
    2026-01-02
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