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最新专利技术
  • 用于半导体部件的半导体结构
    用于半导体部件的半导体结构_AMS-欧司朗国际有限公司_202480042555.4
    提出一种用于半导体部件的半导体结构(1)，其中半导体结构(1)包括第一n型掺杂半导体层(4)，该第一n型掺杂半导体层具有n型掺杂(cnn)，该n型掺杂由第一n型掺杂剂的第一掺杂剂浓度(cAA)和第二n型掺杂剂的第二掺杂剂浓度(cBB)组成，...
    2026-01-30
  • 具有多个发光二极管芯片的发光二极管封装的结构
    具有多个发光二极管芯片的发光二极管封装的结构_科锐LED公司_202380096086.X
    公开了包括发光二极管(LED)的固态照明装置，并且更具体地公开了具有多个LED芯片的LED封装的结构。LED封装结构包括以下中的一者或多者的布置：具有用于LED芯片的多个腔体的主体结构、具有与多个腔体配准的透镜的包封体、以及至少部分地位于主...
    2026-01-30
  • 紫外线辐射源以及确定改善紫外线辐射源视觉外观所需荧光材料必要剂量的方法
    紫外线辐射源以及确定改善紫外线辐射源视觉外观所需荧光材料必要剂量的方法_FLOWIL国际照明(控股)有限公司_202380099526.7
    紫外线辐射源(2)，特别是LED发射器或LED装置，包括至少一个LED元件(4)，其主带隙辐射的波长小于或等于380nm，以及一个优选的半透明基底(6)，所述至少一个LED元件(4)设置在所述半透明基底(6)上；其中，所述至少一个LED元件...
    2026-01-30
  • 发光装置和照明装置
    发光装置和照明装置_沃思电子埃索斯有限责任两合公司_202480038852.1
    本发明提供一种发光装置(1)，具有：至少一个LED芯片(3)，所述至少一个LED芯片用于产生具有初级光谱的初级光(P)；和至少一个转换元件(Kii)，所述至少一个转换元件用于将所述初级光(P)转换为具有与所述初级光谱不同的次级光谱的次级光(...
    2026-01-30
  • 背板焊盘
    背板焊盘_维耶尔公司_202480043287.8
    本发明公开了将选定的一组微装置从供体衬底转移到受体/系统衬底。本发明进一步公开了将微装置集成到系统衬底(或背板)中的短路挑战，通过提供一种用于将倒装芯片装置集成到背板中来将焊盘短路的风险最小化的新颖方法和设备。本发明进一步公开了一种用于在将...
    2026-01-30
  • 照明装置
    照明装置_昕诺飞控股有限公司_202480042592.5
    照明装置包括布置在载体上的相应的多个第一和第二发光二极管M‑LED、N‑LED。M‑LED包括具有第一表面区域SA1的管芯，该第一表面区域SA1具有至多(100)微米的最大空间范围SE1。N‑LED包括具有第二表面区域SA2的管芯，该第二表...
    2026-01-30
  • 照明装置
    照明装置_昕诺飞控股有限公司_202480043023.2
    照明装置包括布置在载体上的相应的多个第一和第二发光二极管M‑LED、N‑LED。每个M‑LED包括具有第一表面积SA1的管芯，该第一表面积SA1具有至多100微米的最大空间范围SE1。N‑LED被布置在载体上，每个N‑LED包括具有第二表面...
    2026-01-30
  • 显示面板及显示装置
    显示面板及显示装置_京东方科技集团股份有限公司_202480001014.7
    一种显示面板(100)及显示装置(1000)，显示面板具有显示区(A)和围绕显示区的周边区(B)，周边区包括第一边框区(B1)；显示面板包括衬底(10)、多个子像素(20)、第一初始化信号线(VL1)、多个第一类绑定引脚(60)和第一初始化...
    2026-01-30
  • 显示装置
    显示装置_三星显示有限公司_202480041723.8
    根据实施方式的显示装置包括：衬底，包括显示区域和非显示区域；发光元件层，设置在显示区域上并且包括像素电极、有机发光层和公共电极；电路单元，设置在非显示区域上并且包括多个电路晶体管；以及像素限定层，从显示区域延伸到电路单元，其中，像素限定层包...
    2026-01-30
  • 钙钛矿器件
    钙钛矿器件_南洋理工大学_202480043516.6
    本发明涉及器件，该器件包含钙钛矿层、空穴传输层、电子传输层以及布置在衬底上的透明导电层，该钙钛矿层包含式(I)的钙钛矿化合物：CsaaFAbbMAccPbddSn(1‑d)(1‑d)X33 ‑‑式(I)，其中Cs表示铯；FA表示‑CH(NH...
    2026-01-30
  • 介电元件及其制造方法
    介电元件及其制造方法_国立研究开发法人产业技术综合研究所_202480043375.8
    该介电元件具备衬底；基底层，配置于衬底上；以及氮化物薄膜，配置于基底层上，基底层由选自稀土元素中的任一种元素构成，氮化物薄膜含有钪、以及周期表中的第十三族元素和第十五族元素。
    2026-01-30
  • 基板接合装置
    基板接合装置_株式会社斯库林集团_202480042487.1
    基板接合装置1具有：等离子体处理单元2p；负载锁定室12，被搬入应在等离子体处理单元2p处理的基板W；解除负载锁定室14，被搬入已经被等离子体处理单元2p处理过的基板W；第一搬运机器人R1，将第一基板W1以及第二基板W2同时搬入负载锁定室1...
    2026-01-30
  • 氧化物半导体层、氧化物半导体层的制造方法、半导体装置及半导体装置的制造方法
    氧化物半导体层、氧化物半导体层的制造方法、半导体装置及半导体装置的制造方法_株式会社半导体能源研究所_202480043132.4
    提供电特性良好的晶体管。提供通态电流大的晶体管。提供寄生电容小的晶体管。提供能够实现微型化或高集成化的晶体管、半导体装置或存储装置。一种包含铟、锌及元素M的氧化物半导体层，元素M为镓、锡和钇中的一个以上，氧化物半导体层包括第一区域、第一区域...
    2026-01-30
  • 晶圆结构体的激光热处理方法及应用其的半导体器件的制备方法
    晶圆结构体的激光热处理方法及应用其的半导体器件的制备方法_RNR实验室公司_202480042535.7
    公开晶圆结构体的激光热处理方法及应用其的半导体器件的制备方法。所公开的晶圆结构体的激光热处理方法可包括如下步骤：准备整体结构为圆形或至少一部分结构为圆形的晶圆结构体；利用掩膜部件暴露所述晶圆结构体的一面部并掩蔽所述晶圆结构体的周围区域，所述...
    2026-01-30
  • 等离子体处理方法以及等离子体处理装置
    等离子体处理方法以及等离子体处理装置_东京毅力科创株式会社_202480042358.2
    本发明高效地对腔室内的配件进行清洁。一种由等离子体处理装置执行的等离子体处理方法，该等离子体处理装置具备：腔室；基板支承部，配置在所述腔室的内部；上部电极，与所述基板支承部的基板支承面对置；电磁铁，配置在所述腔室的上部；等离子体源，构成为在...
    2026-01-30
  • 基板处理方法
    基板处理方法_株式会社斯库林集团_202480042432.0
    提供一种可有效地降低图案的倒塌率的技术。基板处理方法具备保持工序、液体供给工序、干燥液供给工序及干燥工序。在保持工序中，保持具有形成有图案的第1主面及与第1主面相反侧的第2主面的基板。在液体供给工序中，对基板的上述第1主面供给处理液。在干燥...
    2026-01-30
  • 处理系统和处理方法
    处理系统和处理方法_东京毅力科创株式会社_202480042828.5
    一种处理系统，对第一基板和第二基板接合而成的重合基板进行处理，该处理系统包括：激光照射装置，其对所述重合基板进行处理；以及搬送装置，其搬送所述重合基板，其中，所述激光照射装置包括探测机构，所述探测机构在与所述搬送装置之间进行所述重合基板的交...
    2026-01-30
  • 电子部件的搭载装置以及电子部件的搭载方法
    电子部件的搭载装置以及电子部件的搭载方法_株式会社村田制作所_202480042889.1
    本发明提供一种电子部件的搭载装置以及电子部件的搭载方法。电子部件(60)的搭载装置(10)具备工作台(11)、搭载头(21)、红外线相机(41)以及第一红外线源(31)。工作台(11)具有能够载置基板(50)的主面(11A)。搭载头(21)...
    2026-01-30
  • 基于重迭误差测量的基板应力均匀性管理
    基于重迭误差测量的基板应力均匀性管理_应用材料公司_202480043493.9
    一种方法包括透过处理装置取得指示基板的重迭误差的第一数据。所述方法进一步包括基于所述第一数据产生指示所述基板的第一应力均匀性的第二数据。所述方法进一步包括基于所述第二数据实行校正动作。
    2026-01-30
  • 工艺条件测量装置的制造及实施方法
    工艺条件测量装置的制造及实施方法_科磊股份有限公司_202480043680.7
    一种工艺条件测量装置可包含由底部衬底、间隔件及盖制成的衬底。所述工艺条件测量装置可包含组件。所述组件可安置于由所述底部衬底界定的腔及由所述间隔件界定的通孔内。所述盖可安置于所述组件上方且覆盖所述组件。所述盖可为全盖或部分盖。所述组件也可安置...
    2026-01-30
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