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  • 本发明提供一种背面供电芯片封装结构及其制备方法,通过在背面供电芯片的信号连接层一侧形成包括N型半导体及P型半导体的PN型半导体散热组件,可利用半导体散热原理,通过PN型半导体散热组件构成具有温差的冷端及热端,以对背面供电芯片进行有效散热,从...
  • 实施方式提供一种能够实现小型化的半导体装置。实施方式的半导体装置具备具有绝缘性的基板。具备形成于基板的朝向板厚方向的一侧的第一面的多个电极。具有覆盖基板的外表面中的与第一面交叉的侧面的至少一部分的侧面覆盖部。第一面中的从板厚方向观察时未形成...
  • 本申请适用于半导体封装技术领域,提供了一种封装基板的制作方法、封装基板及电子器件,封装基板的制作方法包括提供一玻璃基板,玻璃基板具有TGV孔;在TGV孔内设置一连接层,连接层具有相对的外侧壁与内侧壁,外侧壁与TGV孔的内表面连接;填充TGV...
  • 本发明提供一种封装结构及其制备方法,包括步骤:提供一设置有多个垂直导电柱的基板,提供一中间互连结构,中间互连结构包括中间互连层、顶层介质层及多个顶层导电柱,将中间互连结构倒装键合于基板上,得到一互连基板结构;形成阻焊层于互连基板结构的相对两...
  • 本发明公开一种高可靠性增层胶膜的一体化生产制造方法,属于倒装芯片球栅格阵列封装载板领域。该方法包括步骤:胶液存储稳定性控制:对含60%以上无机填料的溶剂型树脂混合物,通过恒温存储、低速搅拌及固含量/粒度分析,确保均一性;涂布工艺优化:采用密...
  • 一种LTCC基板用共烧一体化热沉制备方法,属于电子元器件技术领域。所述一体化热沉的结构为:在LTCC基板内部,针对大功率芯片的位置,预制一个尺寸与芯片相匹配的贯通或非贯通空腔;在生瓷带叠层和烧结前,使用高热导率金属浆料进行填充,形成实心金属...
  • 一种高精度图形化镀膜陶瓷基板与盲孔结构集成制造方法,属于电子元器件技术领域。集成制造方法是:通过陶瓷基板准备、陶瓷基板双面金属化、利用光刻工艺对陶瓷基板双面金属化层进行图形化、激光制作盲孔阵列、喷砂清除残渣、粉尘清洗、切割分片等步骤,先对陶...
  • 本发明提供了一种内嵌微纳结构的液冷陶瓷基板及其制造方法,属于半导体器件封装领域,包括以下步骤:在金属板的一侧加工出微沟槽,并在微沟槽的内壁电镀第一铜微纳结构膜;在陶瓷基板的第一金属层上、与微沟槽对应的位置处电镀第二铜微纳结构膜;第二铜微纳结...
  • 本申请公开了一种半导体封装结构及其形成方法,形成方法包括:提供半导体基底,半导体基底包括器件区域和环绕器件区域的边缘区域,且半导体基底包括相对的正面和背面,以及位于正面和背面之间的侧面,器件区域中具有若干分立的通孔互连结构;沿背面刻蚀边缘区...
  • 本发明提供了一种高强度高平整度芯片封装用玻璃基板及其制备方法,涉及芯片封装玻璃技术领域,玻璃基板的原料组成包括二氧化硅、氧化铝、氧化硼、氧化镁、氧化钙、氧化钇、复合澄清剂、增强剂、表面改性剂、热稳定剂;复合澄清剂为硫酸钠和二氧化锑的混合物;...
  • 本申请实施例提供一种封装基板加工方法及封装基板,加工方法包括:在封装基板上加工盲槽;在盲槽内形成间隔分布的多个条形状干膜,多个条形状干膜之间形成间隔的多个第一待镀区域;进行第一次电镀,在多个第一待镀区域形成多个第一金属填充结构;去除多个条形...
  • 本发明公开低翘曲变形的SiC功率模块互连结构、SiC功率模块及其制备方法,涉及半导体制备领域。该低翘曲变形的SiC功率模块的制备方法,包括基板与缓冲层预处理及装配、芯片贴装与互连层烧结、电极连接与应力隔离和封装集成与稳定化处理步骤。该低翘曲...
  • 一种半导体封装(10;20),包括:引线框架(11),包括第一引线(11.1)和第二引线(11.2);衬底(12),连接在第一引线(11.1)与第二引线(11.2)之间;基板(13;23);第一半导体晶体管管芯(14),连接在基板(13;2...
  • 本发明提供一种芯片封装结构及其制造方法。芯片封装结构包括引线框架、第一芯片、第二芯片、第三芯片、软性电路板以及导电组件。引线框架包括第一承载部及第二承载部,第一承载部与第二承载部在空间上彼此分离。第一芯片与第二芯片设置于第一承载部之上。第三...
  • 本公开涉及具有可润湿侧翼的半导体封装件和相关方法。本发明公开了一种衬底的实施方式,该衬底的实施方式可包括:第一侧,该第一侧与第一多个引线耦接,该第一侧包括位于其中的第一组间隔开的通孔;和第二侧,该第二侧与第二多个引线耦接,该第二侧包括位于其...
  • 本发明涉及半导体高散热芯片封装领域,具体为一种无引脚高散热产品设计结构及封装方法,该结构引线框架包括引脚区、镀层区和基岛,引脚区靠近引线框架边缘的位置设置有Dimple孔,引线框架的基岛边缘设置半蚀刻台阶,半蚀刻台阶分别位于引线框架的背面;...
  • 本申请公开一种具有晶体管及电阻的半导体元件结构及其制造方法。此半导体元件结构包括:一基板;一晶体管及一电阻,设置在该基板中;多个隔离结构,设置在该基板中;一介电层,设置在该基板之上;以及一互连结构,设置在该晶体管及该电阻之上并且电性连接到该...
  • 本发明涉及半导体加工技术领域,具体的说是一种板级多芯片异质集成的封装结构及封装方法。一种板级多芯片异质集成的封装结构,包括玻璃基板,其特征在于:玻璃基板的正面依次贴装若干TSV硅桥芯片、异质芯片并塑封形成多芯片异质集成封装结构,玻璃基板的背...
  • 本申请实施例涉及半导体设备领域,具体涉及一种半导体结构、电子器件、电子设备及半导体结构制作方法,旨在解决半导体结构翘曲问题,该半导体结构中,芯片和介质层均设置在转接板上,介质层环绕芯片设置,盖板覆盖在芯片背离介质层的一端,盖板与介质层之间具...
  • 实施方式的半导体装置提高半导体装置的特性。实施方式的半导体装置包括:布线基板,其具有第一贯通孔;第一基板,其包括第一导电层、所述第一导电层上的第一绝缘层和所述第一绝缘层上的第二导电层,且设置在所述第一贯通孔内;第一半导体芯片,其在所述第一贯...
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