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  • 实施方式的半导体装置提高半导体装置的特性。实施方式的半导体装置包括:布线基板,其具有第一贯通孔;第一基板,其包括第一导电层、所述第一导电层上的第一绝缘层和所述第一绝缘层上的第二导电层,且设置在所述第一贯通孔内;第一半导体芯片,其在所述第一贯...
  • 一种半导体器件通过一个或多个电容器安装到印刷电路板。电容器提供电支撑和机械支撑半导体器件的双重功能。多个半导体器件形成在衬底的面板上。支撑过孔形成在相邻衬底实例之间的锯道中、处于每个衬底实例的角部处。当从该面板分割出这些器件时,这些支撑过孔...
  • 提供了电子组件嵌入式基底和制造电子组件嵌入式基底的方法。所述电子组件嵌入式基底可包括:至少一个电子组件,包括第一端子表面和第一端子电极,第一端子电极在第一端子表面上;第一导电层,面对第一端子表面;绝缘层,在第一导电层与第一端子表面之间,绝缘...
  • 本发明提供了一种半导体结构。该半导体结构包括一个基板。该基板包括一个具有第一顶表面和第一底表面的第一核心。第一介电层设置在该第一核心的第一顶表面和第一底表面上。该基板具有一个穿过该第一核心的第一孔。此外,该基板具有一个穿过该第一核心和该第一...
  • 本发明提供一种半导体结构及形成方法,其中半导体结构包括:衬底;贯穿所述衬底的互连通孔结构;位于所述衬底内的第一保护层,所述第一保护层位于所述互连通孔结构的侧壁与所述衬底的侧壁之间;位于所述第一保护层表面、所述第一保护层同侧的所述衬底表面以及...
  • 本发明属于柔性电子技术领域,尤其涉及一种辅助液态金属填充软衬底通孔的垂直互连结构及其制备方法。该结构包括具有通孔的软衬底,沉积于通孔侧壁的金属中间层,以及通过电镀工艺填充于通孔的液态金属层。通过引入金属中间层作为电镀基底与浸润过渡层,并利用...
  • 能抑制因热应力产生裂缝的半导体装置,其具备衬底。衬底具有:第1外表面;第2外表面;焊垫;四层或五层导电层;多个绝缘层,分别介置在导电层中相邻两层间;多个通孔,分别连接导电层的至少两层;导电层数量分别为四层、五层时,第1外表面与第2外表面之间...
  • 提供了包含具有横向偏移接地通孔和金属球的基板结构的半导体装置。半导体装置可以包括基板、多个第一接地通孔和多个第一金属球。多个第一接地通孔可以形成在基板内并围绕多个信号通孔。多个第一金属球可以设置在基板上并电连接到多个第一接地通孔。一个第一金...
  • 本发明公开一种具有无源元件的玻璃中介层堆叠基板及半导体封装结构,该玻璃中介层堆叠基板,将传统玻璃封装基板拆分为至少两个独立玻璃子基板,每个子基板包含带导电通孔的玻璃芯板、两侧重布线结构(含层间无源元件)及金属键合层,通过金属键合堆叠并填充导...
  • 本申请涉及柔性电子产品技术领域,尤其涉及一种可弯曲电子结构及电子器件,该可弯曲电子结构包括基板组件、电子元件组件和导电胶层;基板组件包括系统基板和第一引脚,第一引脚设于系统基板的表层;电子元件组件包括元件基板、电子元件、第二引脚和封装层,第...
  • 本申请提供一种封装基板及制作方法,其中,所述封装基板包括:主体区和边缘区,所述边缘区环绕设于所述主体区的外围;所述封装基板包括:芯板层;至少两个线路层,沿第一方向设置于所述芯板层的至少一侧,所述第一方向垂直于所述芯板层;连接部,设置于所述边...
  • 本发明公开了一种集成无源器件的扇出封装结构及封装方法,封装结构包括玻璃基板、金属层、芯片、重布线结构层、无源器件和保护层。玻璃基板具有相对的第一表面和第二表面,玻璃基板上设置有贯穿第一表面和第二表面的通槽;金属层连续覆盖通槽的侧壁和底部,形...
  • 本发明公开了一种可提升COF载带抗弯折的结构与制备工艺,涉及COF载带技术领域,包括PI基层、化锡层和油墨层,所述PI基层的表面设置有铜电路层,所述化锡层之间设置有弯折区,所述油墨层其于弯折区上表面的高度低于其位于化锡层上表面的高度,即所述...
  • 本发明提供芯基板及其制造方法、以及布线基板,提供用于抑制在玻璃制的芯基板产生的裂纹对包含该芯基板的布线基板整体造成的影响的技术。在本发明的芯基板中,该芯基板为玻璃制,具有多个贯通孔和填充于该多个贯通孔的多个贯通导体,其中,所述多个贯通孔包含...
  • 本发明公开一种晶圆接合方法,包括:将元件晶圆设置于载体晶圆上,以形成元件晶圆与载体晶圆的界面,以及相对于界面的元件晶圆的背表面;形成台阶结构于元件晶圆的背表面的上部边角处,以使元件晶圆的背表面具有外部高于内部的轮廓;以及利用蚀刻液对元件晶圆...
  • 本发明公开一种半导体结构及其制造方法,其中半导体结构包括基底、深沟槽隔离结构与基底穿孔。基底包括元件区。深沟槽隔离结构穿过基底。深沟槽隔离结构围绕元件区。基底穿孔位于深沟槽隔离结构中。基底穿孔直接接触深沟槽隔离结构。基底穿孔穿过基底。
  • 本发明涉及一种用于在基座(10)上烧结一个或多个结构的系统和方法。所述系统包括至少一个烧结单元(50),被配置为在基座(10)上烧结结构。烧结单元(50)还被配置为将至少一个薄膜层(522)设置在基座(10)上的结构附近,并对薄膜层(522...
  • 本申请涉及一种用于形成金属顶METTOP集成电路的势垒层的制造工艺。一个实例包含一种用于制造集成电路IC装置(100)的方法。所述方法包含制造包括METTOP结构(102)的半导体裸片,以及在所述METTOP结构上方形成势垒层(108)以覆...
  • 一种半导体装置及其制造方法。半导体装置包括相对于多个晶体管垂直设置并电性耦接这些晶体管的多个金属化层。各该金属化层包括金属线和金属穿孔。各该金属线和各该金属穿孔耦接至阻障层。金属线和金属穿孔各自基本上由包含铜(Cu)、银(Ag)和碳(C)的...
  • 一种形成半导体封装的方法,包括:提供包括管芯焊盘和多个引线的金属引线框架;将高电压管芯安装在管芯焊盘的上表面上,使得高电压管芯的负载端子电连接到管芯焊盘;将电隔离焊盘安装在管芯焊盘上;以及将低电压管芯安装在电隔离焊盘上,其中安装高电压管芯、...
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