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  • 一种CVD涂层刀具的涂层结构及其制备方法,涉及涂层刀具加工技术领域,该涂层结构包括由内到外依次设置的耐磨层、复合过渡层和热障层,耐磨层为MT‑TiCN涂层,热障层为α‑Al2O3涂层;复合过渡层包括由内到外依次设置的过渡层A1、过渡层A2和...
  • 本申请公开了一种半导体工艺设备,所公开的半导体工艺设备包括工艺腔室、分流管路和供流管路;工艺腔室的底部设有开口,分流管路设于工艺腔室内,且至少与工艺腔室的顶面贴合,分流管路设有多个喷气孔;供流管路伸入工艺腔室内,且与分流管路连通,供流管路用...
  • 本申请提供了一种反应腔室及薄膜沉积设备,该反应腔室包括:盖板;底板,底板与盖板之间形成有沿第一方向延伸的第一气道,第一气道在第二方向上具有宽度,第一气道的宽度范围为4mm~7mm;其中,第一方向与第二方向相交。通过第一气道的宽度设计优化了反...
  • 本发明提供了一种缓冲罐、薄膜沉积设备、缓冲罐的控制方法以及计算机可读存储介质。缓冲罐包括:罐体,其第一端连接气源,而其第二端连接工艺腔室;气压规,位于所述罐体;流量调节机构,设于所述罐体与所述气源之间的第一管路;以及控制器,被配置为:经由所...
  • 本发明公开了一种用于气体分布装置的锁紧组件及其使用方法,其属于半导体设备制造技术领域,所述锁紧组件包括设置在气体分布装置上方的顶盖,所述顶盖中部开设有安装孔,所述安装孔设有插入气体分布装置内的第二锁紧螺丝,所述第一锁紧螺丝的上方设有端盖,所...
  • 本申请公开了一种PECVD载台、PECVD设备、PECVD载台设计方法,PECVD载台包括:载台本体,所述载台本体的表面开设有若干个放置槽,所述放置槽至少有两种不同尺寸,用于放置不同尺寸的晶圆。本申请提供的PECVD载台可以放置至少两个不同...
  • 本发明提供了一种基座及一种半导体器件的加工设备。所述基座包括:基座本体,其上设有进气口;喷淋板,连接所述基座本体,并设有多个第一通气孔;以及挡板,设于所述基座本体与所述喷淋板之间,与所述基座本体保持第一匀气间隙,并与所述喷淋板保持第二匀气间...
  • 本发明公开了一种具有硬度梯度复合结构的透明导电薄膜及柔性电子器件,涉及柔性电子技术领域;透明导电薄膜包括柔性基底、梯度缓冲层和金属氧化物导电层,梯度缓冲层形成有自柔性基底到金属氧化物导电层的方向递增的硬度梯度;梯度缓冲层以甲烷、硅烷和氧化亚...
  • 本发明公开了一种贯穿式双面V槽的制作方法,所述制作方法具体包括S1、选择基底并进行正面加工;S2、复合膜层沉积;S3、进行背面加工;本发明通过标准化设备参数与流程联动设计,减少工序冗余,成品率提升至 90% 以上,可直接适配工业化量产;复合...
  • 本发明涉及等离子体物理工程及表面科学领域,尤其涉及基于MPCVD平板型表面波等离子体制备超双疏膜层的装置及方法。所述装置具备:内部形成为反应腔室的反应单元;以与所述反应腔室连通的形式连接从而抽取反应单元内气体的抽气单元;通过供给管路与所述反...
  • 本申请涉及金刚石生长技术领域,公开了一种过渡处理的单晶金刚石二次生长方法、系统、MPCVD设备及介质,所述过渡处理的单晶金刚石二次生长方法包括:对样品进行预处理,得到清洁样品,其中,所述样品为首次生长后的单晶金刚石半成品毛坯;对所述优化样品...
  • 一种压力控制方法、半导体工艺设备及存储介质,本说明书实施例提供了一种压力控制方法,该方法综合当前时刻的开度增量(第二开度增量)和下一时刻的开度增量(第一开度增量),基于下一时刻的期望压力提前预判所需执行的开度动作,满足半导体工艺过程对于压力...
  • 本发明提供了容器、半导体加工设备、液态反应物的控制方法及存储介质。容器包括流量传感器、加热单元及控制器。所述流量传感器设于所述容器的出气口。所述加热单元设于所述容器的外部,用于向所述容器提供热量,以将所述容器内部的液态反应物汽化为气态反应物...
  • 本申请提供了一种液态源存储装置和液态源存储装置的气压控制方法,涉及半导体技术领域。液态源存储装置包括:存储容器,所述存储容器内包括弹性隔膜,所述弹性隔膜将所述存储容器分隔为第一空间和第二空间;与所述第一空间连通的调节气体传输管路;与所述第二...
  • 本发明涉及一种适用于微米级通道的化学镀工装及操作方法,其中化学镀工装包括镀液槽,所述镀液槽内固设有放置目标零件的支撑架,所述支撑架上开设有与目标零件的微米级通道相对的贯通通道,支撑架的下方设有与所述贯通通道连通的集液腔,所述集液腔连通有循环...
  • 本发明公开了铝基碳化硅表面复合镀层工艺,旨在解决现有技术为单一化学镍镀层,只具备化学镍镀层的特性,其中磷含量无法均匀的分布在镀层中,对后续的焊接工艺造成较大的不确定性的问题。其技术方案要点是:铝基碳化硅表面复合镀层工艺,工艺流程包括以下步骤...
  • 本发明公开了一种电池保护芯片封装用引线框架的镀金方法,涉及电池保护芯片封装领域。电池保护芯片封装用引线框架的镀金方法,包括以下步骤:预镀金:将依次镀制有镍和钯的引线框架浸入化学预镀金液中进行预镀金;主镀金:将预镀金后得到的引线框架水洗干燥后...
  • 本发明公开了一种钝化液及其制备方法以及金属复合涂层的施工工艺,要解决的问题是热喷涂阳极金属涂层后裸露的钢铁基体表面的有效钝化处理问题,针对钢铁基体及其表面同时存在的热喷涂阳极金属涂层在钝化阶段发生的双金属原电池效应问题,本钝化液综合利用植酸...
  • 本发明提供耐腐蚀合金丝卷材一体钝化工艺,本发明涉及金属表面处理技术领域,包括如下步骤:S1、根据卷筒尺寸朝着容纳槽内添加钝化液体,控制钝化液体淹没第一承载轨道上端卷筒表面的合金丝卷材;S2、通过夹持调压装置改变卷筒中空内部压强大小;S3、预...
  • 本发明涉及特种表面处理技术领域,具体涉及一种轴承抗电蚀特种表面处理方法及轴承,处理方法包括特种表面处理与活化、黑化处理、硅烷偶联剂微孔修饰、130‑140℃高温浸油、水性聚氨酯可控聚合封膜、表面精整与均化及电阻率测试。该设计无需大幅改动轴承...
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