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最新专利技术
  • 层叠体及层叠体的制造方法
    层叠体及层叠体的制造方法_富士胶片株式会社_202480058535.6
    一种层叠体及层叠体的制造方法，该层叠体具备：密封层，其包括具有电路的部件和密封材料；再配线层A，其与上述密封层的一个面接触且与上述部件的电路连接；及再配线层B，其与上述密封层的另一个面接触且与上述部件的电路不直接连接，上述再配线层A及再配线...
    2026-04-23
  • 半导体封装及半导体封装的制造方法
    半导体封装及半导体封装的制造方法_富士胶片株式会社_202480058540.7
    一种半导体封装及其制造方法，该半导体封装具有：密封层，其包括至少1个半导体晶粒和密封材料；再配线层A，其与上述半导体晶粒中的至少1个接触且与上述半导体晶粒的电路连接；导电性连接部，其与上述再配线层A连接；及基板，其与上述导电性连接部连接，上...
    2026-04-23
  • 集成电路器件
    集成电路器件_微芯片技术股份有限公司_202480059518.4
    一种集成电路(IC)器件包括管芯(102)，该管芯包括具有热膨胀系数(CTE硅)的硅区域(104)，以及第一管芯的第一侧上的导电触点(106)。与第一管芯的硅区域横向相邻的包封体(120)具有热膨胀系数(CTE包封体)，其中CTE硅与CTE...
    2026-04-23
  • 层叠体及层叠体的制造方法
    层叠体及层叠体的制造方法_富士胶片株式会社_202480059544.7
    一种层叠体及层叠体的制造方法，该层叠体具备：密封层，其包括具有电路的部件和密封材料；再配线层A，其与上述密封层的一个面接触且与上述部件的电路连接；及再配线层B，其与上述密封层的另一个面接触且与上述部件的电路不直接连接，上述再配线层A及再配线...
    2026-04-23
  • 包括具有腔体的基板和位于基板的腔体中的集成器件的封装件
    包括具有腔体的基板和位于基板的腔体中的集成器件的封装件_高通股份有限公司_202480058251.7
    一种封装件包括：第一基板；第一集成器件，该第一集成器件通过至少第一多个焊料互连件耦合到第一基板；第二基板，该第二基板通过至少第二多个焊料互连件耦合到第一基板，其中该第二基板包括腔体；和包封层，该包封层至少位于第一基板和第二基板之间，其中该包...
    2026-04-23
  • 基板和发光装置
    基板和发光装置_日亚化学工业株式会社_202480059317.4
    本发明的课题在于提供散热性优异的基板和发光装置。本公开的一实施方式涉及的基板具备：具有从上面向下面贯通的贯通孔的第1构件，以及配置于上述贯通孔的内侧的第2构件，上述第2构件具备：包含石墨的第1区域；第2区域，其为俯视时，配置于上述第1区域的...
    2026-04-23
  • 陶瓷刻划基板、陶瓷刻划基板的制造方法、陶瓷基板的制造方法及陶瓷电路基板的制造方法
    陶瓷刻划基板、陶瓷刻划基板的制造方法、陶瓷基板的制造方法及陶瓷电路基板的制造方法_株式会社特殊陶业材料_202480060080.1
    本发明提供一种分割时的毛刺和缺口少的可获得多个的陶瓷刻划基板。为具有边刻划线和角刻划线的陶瓷刻划基板，在角刻划线与边刻划线的交点附近，形成沿着边刻划线与所述交点交叉的辅助刻划线。辅助割划线的长度为0.5mm以上且15.0mm以下，边割划线和...
    2026-04-23
  • 具有锥形侧壁的直接混合焊盘
    具有锥形侧壁的直接混合焊盘_艾德亚半导体接合科技有限公司_202480042038.7
    公开了一种元件、包括该元件的接合结构及其形成方法。该元件可以包括非导电场区，该非导电场区具有限定该元件的接合表面的至少一部分的表面。非导电场区的表面被准备用于直接接合。该元件还可以包括导电特征，该导电特征具有限定元件的接合表面的至少一部分的...
    2026-04-23
  • 半导体封装中的模塑料层
    半导体封装中的模塑料层_苹果公司_202480045808.3
    公开了集成电路(IC)管芯封装的各种实施方案。IC管芯封装包括IC管芯、电连接到IC管芯的中介层结构、第一键合结构、第二键合结构和模塑料层。第一键合结构包括设置在IC管芯上的第一电介质层和设置在第一电介质层中的第一导电插塞。第二键合结构包括...
    2026-04-23
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