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最新专利技术
  • 一种自清洁畜牧养殖喂料装置
    一种自清洁畜牧养殖喂料装置_郓城县畜牧服务中心_202510263035.2
    一种自清洁畜牧养殖喂料装置，属于清洁装置技术领域，包括槽体、回收箱，回收箱位于槽体的一侧，槽体底端安装高度调节机构，槽体前端固定安装导轨，导轨内滑动安装遮挡机构，槽体的一侧开设开口，开口处滑动安装封堵机构，清理结束后，高度调节机构将槽体的一...
    2026-01-18
  • 一种高度自适应玉米去雄机头单元
    一种高度自适应玉米去雄机头单元_公主岭市华玺农业机械制造有限公司_202510259179.0
    本发明提供一种高度自适应玉米去雄机头单元，属于农业机械领域，包括去雄支架和控制模块，去雄支架上固定安装有两个去雄盘，去雄支架包括支架液压缸和光感支杆液压缸，去雄支架前端还设有反光板机构和光感探头机构，光感探头机构可探测玉米雄穗的高度并将信号...
    2026-01-18
  • 一种复合溶磷菌剂促进小麦生长的应用
    一种复合溶磷菌剂促进小麦生长的应用_广东工业大学_202510264359.8
    本发明涉及环境领域和农业生物技术领域，具体涉及一种复合溶磷菌剂促进小麦生长的应用，该复合溶磷菌剂促进小麦生长的应用通过先培育出发芽小麦，然后将发芽小麦放入拌有复合溶磷菌剂的土壤中进行培育，进而利用复合溶磷菌剂中的霍氏肠杆菌HS6、成团泛菌C...
    2026-01-18
  • 一种蒙古栎夏块菌菌根苗的培育方法及应用
    一种蒙古栎夏块菌菌根苗的培育方法及应用_通辽市林业和草原科学研究所_202510259364.X
    本发明公开了一种蒙古栎夏块菌菌根苗的培育方法及应用。属于块菌培育技术领域。本发明首次确定了蒙古栎与夏块菌的共生关系，采用夏块菌接种液、假单孢菌、枯草芽孢杆菌、赤霉素、葡萄糖和生物炭去制备夏菌块接种液，并将其接种到特定生长阶段的蒙古栎幼苗根系...
    2026-01-18
  • 一种果树树床的栽培和加工方法
    一种果树树床的栽培和加工方法_山东益美佳生态农业科技有限公司_202510262433.2
    本发明涉及果树栽培技术领域，具体涉及一种果树树床的栽培和加工方法，步骤包括：挖取树坑、栽培树床树苗；设置树床框架，将树床树苗的枝干固定在树床框架上；对固定在树床框架上的树床树苗进行培育、修剪和维护；将树床树苗培育为成年树床果树，结果后进行收...
    2026-01-18
  • 高寒矿山生态修复方法
    高寒矿山生态修复方法_成都理工大学_202510261187.9
    本发明涉及一种高寒矿山生态修复方法，属于生态修复技术领域。本发明的高寒矿山生态修复方法包括：采用灌木+草本植物A+草本植物B的植被配置对高寒矿山进行生态修复；所述草本植物A包括披碱草、老芒麦、高羊茅、早熟禾、紫花针茅、黑麦草、冻原白蒿、小嵩...
    2026-01-18
  • 基于空中机械臂平台的采摘装置、采摘设备及方法
    基于空中机械臂平台的采摘装置、采摘设备及方法_山东大学_202510263979.X
    本发明公开了基于空中机械臂平台的采摘装置、采摘设备及方法，解决了现有技术中采摘装置通过剪切方式剪切时需要准确找准果实/种子的根部的问题，具有方便对果实或种子进行采摘的有益效果，具体方案如下：一种基于空中机械臂平台的采摘装置，包括采摘基座，采...
    2026-01-18
  • 提升退化荒漠草地土壤质量的方法
    提升退化荒漠草地土壤质量的方法_宁夏大学_202510259619.2
    本发明公开了一种提升退化荒漠草地土壤质量的方法，包括：将草种与生物有机肥均匀混合，以免耕补播的方式均匀施入退化荒漠草地中；其中，草种的补播量为3～4kg/亩，草种组合为50～60wt％牛枝子、40～50wt％蒙古冰草、0～10wt％沙打旺；...
    2026-01-18
  • 显示面板及其制作方法、显示装置
    显示面板及其制作方法、显示装置_厦门天马显示科技有限公司_202510268080.7
    本申请提供了一种显示面板及其制作方法、显示装置。该显示面板的制作方法包括：提供基板；于基板的一侧形成金属叠层，金属叠层包括沿远离基板的方向依次叠置的第一金属层、第二金属层和第三金属层；金属叠层的第一部分位于隔离区内且围绕开孔区设置，金属叠层...
    2026-01-18
  • 具有热激子通道的低功耗高性能OLED及其制备方法
    具有热激子通道的低功耗高性能OLED及其制备方法_重庆邮电大学_202510268158.5
    本发明涉及一种具有热激子通道的低功耗高性能OLED及其制备方法，属于有机发光二极管领域。本发明包括：获取洁净的基底，放入真空腔体中；采用真空蒸镀法在基底上蒸镀HAT‑CN材质的空穴注入层；在空穴注入层上蒸镀TBRb材质的空穴传输兼发光层；在...
    2026-01-18
  • 一种基于P(VDF-TrFE-CTFE)/PHPS双绝缘层的有机场效应晶体管存储器及其制备方法
    一种基于P(VDF-TrFE-CTFE)/PHPS双绝缘层的有机场效应晶体管存储器及其制备方法_上海工程技术大学_202510269858.6
    本发明属于存储器领域，具体涉及一种基于P(VDF‑TrFE‑CTFE)/PHPS双绝缘层的有机场效应晶体管存储器及其制备方法。本发明有机场效应晶体管存储器包括衬底、栅电极、P(VDF‑TrFE‑CTFE)绝缘层、PHPS衍生绝缘层、有机半导...
    2026-01-18
  • 一种Mini LED分选方法
    一种Mini LED分选方法_佛山市国星半导体技术有限公司_202510269989.4
    本发明公开了一种Mini LED分选方法，所述Mini LED分选方法包括：在掩膜版上设置有三个以上的对比图案，并设置对比图像的预设坐标值；基于分选设备设置所述掩膜版与晶圆进行对比分析，输出掩膜版和晶圆的匹配坐标值；在MES系统内将预设坐标...
    2026-01-18
  • 一种基于凹模板填充的钙钛矿量子点图案化方法
    一种基于凹模板填充的钙钛矿量子点图案化方法_广东省科学院半导体研究所_202510266202.9
    本发明公开了一种基于凹模板填充的钙钛矿量子点图案化方法，属于全彩化显示技术领域。该方法包括：以第一凸模板为基础，制备第一图案化PDMS凹模板；将第一钙钛矿量子点浆料填充于第一图案化PDMS凹模板的凹坑中，加热固化，以形成第一钙钛矿量子点聚合...
    2026-01-18
  • 基于锑化铟胶体量子点的中波红外光电探测器及其制备方法
    基于锑化铟胶体量子点的中波红外光电探测器及其制备方法_国科大杭州高等研究院_202510268312.9
    本发明公开了一种基于锑化铟胶体量子点的中波红外光电探测器及其制备方法，制备方法包括：(1)在衬底上制备电极；(2)将锑化铟胶体量子点溶液涂覆至电极表面；(3)将涂覆好的锑化铟胶体量子点层浸没于含氯化氢配体交换溶液中进行配体交换，冲洗、干燥；...
    2026-01-18
  • 一种制备掺氧微晶硅薄膜的方法及设备
    一种制备掺氧微晶硅薄膜的方法及设备_江西汉可泛半导体技术有限公司_202510266384.X
    本发明涉及一种制备掺氧微晶硅薄膜的方法，包括：将硅片衬底进行制绒，获得双面制绒的制绒硅片；在制绒硅片的两面上分别沉积本征硅层，获得第一结构；将第一结构置于热丝化学气相沉积设备中，并通入H2进行硅片表面的氢刻蚀，然后控制...
    2026-01-18
  • 一种低功耗的智能半导体器件及开关电源芯片
    一种低功耗的智能半导体器件及开关电源芯片_苏州博创集成电路设计有限公司_202510270993.2
    本申请涉及半导体技术领域，特别是涉及一种低功耗的智能半导体器件及开关电源芯片。所述低功耗的智能半导体器件，包括集成在衬底上的采样管、主功率管、启动管和启动电阻；其中，所述启动电阻从所述主功率管的漏极引出后依次经过第一类金属场板下方和第二类金...
    2026-01-18
  • 一种半导体结构及其制备方法
    一种半导体结构及其制备方法_上海积塔半导体有限公司_202510272209.1
    本发明提供一种半导体结构及其制备方法，方法包括：于半导体衬底上依次生长第一应变材料层、第二应变材料层，设置隔离槽贯穿第二应变材料层和第一应变材料层并延伸至半导体衬底内，形成交替间隔分布的N型有源区和P型有源区；在P型有源区上方的第一应变材料...
    2026-01-18
  • 一种纳米结构的自由基氧化方法
    一种纳米结构的自由基氧化方法_北京理工大学_202510267312.7
    本发明涉及微纳加工领域，本发明提出了一种纳米结构的自由基氧化方法，该方法的步骤如下：首先对晶圆表面进行清洗处理；接着在清洗后的晶圆表面制备用于金属氧化物半导体场效应晶体管的纳米结构；随后将制备好纳米结构的晶圆放入具备产生等离子体功能的相关设...
    2026-01-18
  • 一种顶端带纳米草的纳米柱的结构及制造方法
    一种顶端带纳米草的纳米柱的结构及制造方法_北京理工大学_202510267066.5
    本发明涉及微纳米表面领域，本发明提出了一种顶端带纳米草的纳米柱的结构及制造方法。所述结构由纳米草结构体和纳米柱结构体两部分构成，且纳米草结构体位于纳米柱结构体的顶端。该结构的制造方法为：对晶圆表面进行清洗处理；通过旋涂光刻胶和曝光等手段在晶...
    2026-01-18
  • 一种金刚石高热导率衬底上自对准阳极超宽禁带半导体二极管整流器件及其制备方法
    一种金刚石高热导率衬底上自对准阳极超宽禁带半导体二极管整流器件及其制备方法_西安电子科技大学_202510268109.1
    一种金刚石高热导率衬底上自对准阳极超宽禁带半导体二极管整流器件及其制备方法，所述器件包括金刚石衬底上氧化镓外延片，其上方一端设有离子注入区，离子注入区上方制备有阴极电极，金刚石衬底上氧化镓外延片上方另一端制备有阳极电极，离子注入区降低阴极电...
    2026-01-18
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