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多功能电饭煲
本发明涉及厨具领域,具体提供一种多功能电饭煲,旨在解决现有的淘米之后煲饭导致米饭口感变差及淘米仓会发霉的问题。为此目的,本发明的电饭煲包括精米装置、淘米装置、烘干装置及烹饪堡;精米装置设置有出米仓,其连接于淘米装置,精米装置用于对米进行去皮...
多功能电饭煲的控制方法
本发明涉及厨具领域,具体提供一种多功能电饭煲的控制方法,旨在解决现有的淘米之后煲饭导致米饭口感变差及无法保证米卫生条件的问题。为此目的,本发明的电饭煲包括基座、锅盖、顶升装置、精米装置、淘米装置及烹饪堡;锅盖设置在基座上,基座上设置有容纳仓...
多功能电饭煲
本发明涉及厨具领域,具体提供一种多功能电饭煲,旨在解决现有的淘米之后煲饭导致米饭口感变差,及无法保证米卫生条件的问题。为此目的,本发明的多功能电饭煲包括精米装置、淘米装置及烹饪堡;精米装置的出料口连接于淘米装置的进米口,淘米装置的排米口连接...
多功能电饭煲
本发明涉及厨具领域,具体提供一种多功能电饭煲,旨在解决现有的淘米之后煲饭导致米饭口感变差,及无法保证米卫生条件的问题。为此目的,本发明的多功能电饭煲包括基座、锅盖、顶升装置、精米装置、淘米装置、烘干装置及烹饪堡;锅盖设置在基座上,基座上设置...
一种纯乳脂免打发奶盖及其制备方法
本发明提供一种纯乳脂免打发奶盖及其制备方法。本发明的奶盖,按重量百分比计,包括原料:稀奶油30%~40%、奶油奶酪10%~20%、牛奶30%~40%、炼乳5%~10%、白砂糖2~6%、麦芽糖浆5~10%、食用盐0.5%~1.0%、复配乳化稳...
一种厚乳饮品基底及其制备方法、包含其的厚乳饮品
本发明提供一种厚乳饮品基底及其制备方法、包含其的厚乳饮品,包括以下原料:生牛乳20~60重量份;水20~60重量份;混合油脂10~30重量份;所述混合油脂中以重量百分数计包括92%~95%的酯交换油脂,以及5%~8%的分提油脂;乳化剂0.1...
细胞的冻存方法、复苏方法和培养方法
本发明涉及细胞培养领域,尤其涉及细胞的冻存方法、复苏方法和培养方法。本发明提供了细胞的冻存方法,取待冻存的细胞与冻存保护剂混合,预冻存后,冻存,获得冻存后的细胞;所述预冻存的温度为‑86℃~‑70℃,时间为1hour~1month;所述预冻...
稳定的N,N-二乙基-对苯二胺溶液以及用于检测氯的方法
一种用于氯分析的试剂包含N,N‑二乙基‑对苯二胺(DPD)、浓度为0.5 M以上的无机氯化物盐和水。此外,一种用于检测含水样品中的氯的方法包括对测试样品进行光度测定。所述测试样品包含:含水样品;以及DPD试剂,所述DPD试剂包含DPD、浓度...
显示面板及显示装置
本申请涉及一种显示面板及显示装置。其中,显示面板,包括:多个像素驱动电路。多个像素驱动电路用于驱动对应的像素发光。像素驱动电路包括驱动晶体管,驱动晶体管用于控制供给到像素的像素驱动电流。驱动晶体管包括有源层,有源层包括互相连通第一有源部与第...
一种板上芯片封装面光源及其抗静电等级的提升方法
本发明涉及一种板上芯片封装面光源及其抗静电等级的提升方法,该面光源包括外壳(2)以及外壳(2)内的电路板(1);该电路板(1)上设有瞬变电压抑制二极管(11)和发光二极管(12),该发光二极管(12)并联连接瞬变电压抑制二极管(11),一同...
光学封装结构及其光学芯片
本申请公开一种光学封装结构及其光学芯片。所述光学封装结构包含一基板、设置于所述基板的一光学芯片、设置于所述光学芯片的一环形支撑层、设置于所述环形支撑层的一透光层及形成于所述基板的一封装体。所述光学芯片的内部形成有一稳压通道,其两端分别形成于...
一种发光芯片外延层及制作方法、发光芯片
本申请涉及一种发光芯片外延层及制作方法、发光芯片,发光芯片外延层包括:依次生长的第一半导体层、有源层、第二半导体层;所述有源层包括依次层叠的第一量子阱垒层、插入层、第二量子阱垒层,所述第一量子阱垒层、所述第二量子阱垒层中的阱层和垒层依次层叠...
阵列基板及包含其的显示装置
一种阵列基板及包含其的显示装置。阵列基板具有几何中心及通过几何中心的虚拟中线,且包含基板、第一金属层、第二金属层、多个主动元件及遮蔽图案层。第一金属层设置于基板上且包含多条第一信号线。第二金属层设置于第一金属层上且包含多条第二信号线。这些主...
半导体器件及CMOS器件的制备方法
本发明提供一种半导体器件的制备方法,通过执行第二离子注入过程,以补偿第一离子注入过程时穿透第一图形化的光刻胶层在其覆盖的阱预形成区的离子注入损伤区注入的离子,即通过第二离子注入过程可补偿由于第一图形化的光刻胶层厚度减薄导致第一离子注入过程穿...
高电子迁移率晶体管的半导体结构
一种高电子迁移率晶体管的半导体结构体包含通道层、阻障层、栅极、N型材料结构以及金属电极,阻障层形成于通道层上,二维电子气体沿通道层与阻障层间的界面形成于通道层中;栅极形成于阻障层上;N型材料结构与阻障层接触;金属电极为漏极或源极,且设置于栅...
高电子迁移率晶体管
一种高电子迁移率晶体管包括半导体结构、阶梯状沟槽、电极以及栅极。半导体结构包括阻障层及通道层。阻障层设置于通道层上,在通道层中二维电子气体形成于通道层与阻障层间的界面。阶梯状沟槽设置于半导体结构中。电极设置于阶梯状沟槽。栅极设置于阻障层上。...
一种非对称半导体结构及其制作方法
本发明提供一种非对称半导体结构及其制作方法,该方法基于第一光罩形成第一、第二N型漂移区,基于第二光罩形成第一、第二P型漂移区,其中第二N型漂移区包括在第一N型漂移区指向第二N型漂移区的方向上依次且邻接设置的主体区域与扩展区域,第二P型漂移区...
异质结双极晶体管的基区制作方法和异质结双极晶体管
本申请公开了一种异质结双极晶体管的基区制作方法,其包括在衬底上的绝缘层的集电区窗口中形成集电区;在所述集电区上的基区窗口内形成富碳抑制结构的第一部分;在所述富碳抑制结构的所述第一部分内形成内基区核心部分;在所述内基区核心部分上形成所述富碳抑...
微发光二极管显示装置和其制作方法
本发明公开了一种微发光二极管显示装置和制作微发光二极管显示装置的方法。微发光二极管显示装置包含柔性基板以及多个像素单元。所述多个像素单元设置于所述柔性基板上,且各所述像素单元包含微发光二极管以及像素电路。所述像素电路位于所述柔性基板与所述微...
一种半导体结构及其制作方法
本发明提供一种半导体结构及其制作方法,该方法通过两次不同深度及不同剂量的第一导电类型离子注入形成位于高压器件区域第一、第二、第三、第四漂移区,并基于同一光罩对半导体层进行第二导电类型离子注入以形成位于中压器件区域的轻掺杂源漏区及位于第一、第...
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