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最新专利技术
  • 晶片托环、晶片承载装置及MOCVD外延设备
    晶片托环、晶片承载装置及MOCVD外延设备_一塔半导体(安徽)有限公司_202510926116.6
    本发明公开了一种晶片托环、晶片承载装置、MOCVD外延设备， 所述晶片托环包括周缘、延伸部、环状的连接部， 所述周缘沿着所述连接部的径向外端向上延伸， 所述延伸部沿着所述连接部的径向内端向下延伸， 所述延伸部径向外侧与所述连接部底部形成安装...
    2026-01-14
  • 获得高质量立方碳化硅的方法和系统
    获得高质量立方碳化硅的方法和系统_LPE公司_202510414945.6
    公开了一种方法(200)。该方法(200)包括：提供(205)碳质衬底(S)；使用前体气体混合物在碳质衬底上执行(210)化学气相沉积过程， 前体气体混合物包括：包含三氯硅烷的硅前体气体， 以及选自碳‑碳双键烃和碳‑碳三键烃的碳前体气体；通...
    2026-01-14
  • 一种AlN晶体的生长方法和AlN晶体
    一种AlN晶体的生长方法和AlN晶体_江苏第三代半导体研究院有限公司_202511211738.7
    本发明公开一种AlN晶体的生长方法和AlN晶体， 该生长方法包括：提供一坩埚组件；其中， 坩埚组件包括坩埚以及设置于坩埚内的AlN原料、掩膜片、AlN籽晶和耐高温固定件， AlN原料放置于坩埚底部， 掩膜片、AlN籽晶和耐高温固定件依次位于...
    2026-01-14
  • 分层籽晶、分层籽晶制造方法和用分层籽晶生长大体积单晶的方法
    分层籽晶、分层籽晶制造方法和用分层籽晶生长大体积单晶的方法_硅晶体有限公司_202510290654.0
    本公开涉及分层籽晶、分层籽晶制造方法和用分层籽晶生长大体积单晶的方法。用于在坩埚(1200)中沿生长方向(Y)通过气相生长生长大体积单晶的分层籽晶包括：单晶生长层(110)， 其具有用于生长大体积单晶的生长表面(112)和相对的用于将单晶生...
    2026-01-14
  • 用于单晶生长的多层籽晶、生产多层籽晶的方法、多层籽晶在生长单晶的PVT方法中的用途以及使用该多层籽晶的PVT方法
    用于单晶生长的多层籽晶、生产多层籽晶的方法、多层籽晶在生长单晶的PVT方法中的用途以及使用该多层籽晶的PVT方法_硅晶体有限公司_202510290411.7
    本发明提供了用于单晶生长的多层籽晶、生产多层籽晶的方法、多层籽晶在生长单晶的PVT方法中的用途以及使用该多层籽晶的PVT方法， 该多层籽晶被设计成提供几乎无应力的表面， 单晶可以在该表面上生长， 而没有单晶籽晶所承载的内应力的负面影响， 特...
    2026-01-14
  • 适于助熔剂法/液相法批量化生产晶体的生长装置及方法
    适于助熔剂法/液相法批量化生产晶体的生长装置及方法_中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所_202511157651.6
    本发明公开了一种适于助熔剂法/液相法批量化生产晶体的生长装置及方法。该生长方法包括：在第一生长容器内置入籽晶以及液相生长原料、在第二生长容器内置入籽晶， 将第一温区的温度保持在第一温度T1， 第二温区的温度保持在第二温度T2， 第三温区的温...
    2026-01-14
  • 一种光伏半导体拉晶中的液面调温方法及相关装置
    一种光伏半导体拉晶中的液面调温方法及相关装置_保定景欣智能科技有限公司_202511160381.4
    本申请公开一种光伏半导体拉晶中的液面调温方法及相关装置， 涉及半导体和光伏晶棒制造领域， 所述方法包括：获取第一、第二参数组；在预调温工步， 基于第一参数组中的设备运行参数， 将光伏拉晶设备控制为与预调温工步适配的状态；并基于第一参数组中的...
    2026-01-14
  • 一种锗单晶位错水平控制方法
    一种锗单晶位错水平控制方法_有研国晶辉新材料有限公司_202510943833.X
    本发明提供了一种锗单晶位错水平控制方法， 属于锗单晶位错控制技术领域， 包括制备多个无位错的锗单晶；将多个锗单晶上下分层放置于模具内， 且锗单晶与模具内壁之间具有安装间距；将模具放置于炉体内， 且模具位于炉体中的加热器中心位置；对炉体进行抽...
    2026-01-14
  • 一种可以加强底部保温的单晶炉用托杆结构
    一种可以加强底部保温的单晶炉用托杆结构_宇泽新能源(昆明)有限公司_202511042938.4
    本发明公开了一种可以加强底部保温的单晶炉用托杆结构， 涉及半导体材料制备技术领域， 包括托杆、调节杆、齿轮箱、托盘。齿轮箱外端开设有凹槽， 凹槽内转动连接有主调节齿轮， 主调节齿轮上啮合连接有多个分调节齿轮， 分调节齿轮远离主调节齿轮一端贯...
    2026-01-14
  • 一种梯度掺杂晶体材料及其生长方法
    一种梯度掺杂晶体材料及其生长方法_索罗曼(常州)合金新材料有限公司_202510950529.8
    本发明公开了一种梯度掺杂晶体材料及其生长方法， 属于晶体生长技术领域。该方法包括：将掺杂剂按预设形状压制成型后置于多晶料中的预留掺杂空间内；沿坩埚中心轴方向对多晶料和掺杂剂进行逐层熔化；将籽晶与熔体熔接并进行提拉法生长；掺杂剂的预设形状满足...
    2026-01-14
  • 一种提拉法氟化物晶体生长控制方法及控制装置
    一种提拉法氟化物晶体生长控制方法及控制装置_苏州承峻半导体设备有限公司_202511001752.4
    本发明公开了一种提拉法氟化物晶体生长控制方法及控制装置， 包括以下步骤：S1、在氟化物原料中添加氟化剂并干燥， 形成预处理原料；涉及氟化物晶体生长技术领域， 通过以第一升温速率将籽晶加热， 先释放籽晶初始加工应力， 通过分段退火的两级升温速...
    2026-01-14
  • 一种高性能半导体热电晶棒的制备方法及其应用
    一种高性能半导体热电晶棒的制备方法及其应用_香河东方电子有限公司_202510860828.2
    本发明提供了一种高性能半导体热电晶棒的制备方法及其应用， 涉及热电材料领域。通过额外添加10‑15%的Te， 协同体积比为3~5：1的Ar和H2混合气体环境中熔炼， 经摇摆、冷却、区熔及后处理得到高性能半导体热电晶棒。额外添加的Te补偿高温...
    2026-01-14
  • 一种晶体生长装置和方法
    一种晶体生长装置和方法_眉山博雅新材料股份有限公司_202410400327.1
    本说明书实施例提供一种晶体生长装置和方法， 该装置包括区熔装置和导模装置， 导模装置上开设有进料口；区熔装置包括：原料放置部， 用于放置原料棒， 原料放置部的一端与进料口相连通；第一加热装置， 设置于原料放置部的外部， 用于将原料棒的一端加...
    2026-01-14
  • 一种基于相变调控的二氧化钛棒状晶须的生长方法及其在陶瓷增强中的应用
    一种基于相变调控的二氧化钛棒状晶须的生长方法及其在陶瓷增强中的应用_中国科学院上海硅酸盐研究所_202510824016.2
    本发明涉及一种基于相变调控的二氧化钛棒状晶须的生长方法及其在陶瓷增强中的应用。所述基于相变调控的二氧化钛棒状晶须的生长方法包括以下步骤：(1)将锐钛矿二氧化钛粉体经第一步热处理， 得到二氧化钛金红石‑锐钛矿的混晶粉体；(2)对步骤(1)所得...
    2026-01-14
  • 电化学抛光装置及其抛光方法
    电化学抛光装置及其抛光方法_上海心纪元医疗科技有限公司_202511067746.9
    本发明公开了一种电化学抛光装置及其抛光方法， 该装置包括抛光槽、脉冲直流电源、阴极组件、超声波换能器及多点限位夹具， 其中阴极组件由至少两根并联阴极构成并对称布置于支架两侧；超声波换能器在抛光过程中形成空化效应；多点限位夹具通过可调插销、限...
    2026-01-14
  • 电镀装置及电镀方法
    电镀装置及电镀方法_广州广芯封装基板有限公司_202510933051.8
    本发明提供了一种电镀装置及电镀方法， 本发明实施例的电镀装置包括第一存板组件、第二存板组件、电镀组件、转移组件和控制组件， 其中， 第一存板组件具有第一存放位， 第一存放位用于存放电路板；第二存板组件具有第二存放位， 第二存放位用于存放陪镀...
    2026-01-14
  • 还原型化学厚金镀层均匀性控制方法
    还原型化学厚金镀层均匀性控制方法_深圳市虹喜科技发展有限公司_202510921502.6
    本发明涉及材料科学技术领域， 揭露了一种还原型化学厚金镀层均匀性控制方法， 包括：对清洗待镀层基材进行微蚀， 得到微蚀待镀层基材；建立微蚀待镀层基材的镀液组分数据库， 以构建微蚀待镀层基材的镀金液， 识别预设的镀槽的几何结构， 以对镀槽进行...
    2026-01-14
  • 直线电机调节系统、电镀设备及其安装方法
    直线电机调节系统、电镀设备及其安装方法_江苏无锡经纬天地半导体科技有限公司_202511277670.2
    本申请提供了一种直线电机调节系统、电镀设备及其安装方法， 涉及电镀技术领域， 解决了直线电机不平齐导致机械手的传片精度较低的技术问题。该直线电机调节系统包括：与每个直线电机模块均对应设置的至少一个直线电机调节机构， 任意相邻的两个直线电机模...
    2026-01-14
  • 一种应用于混合金属电镀的阳极装置和电镀装置
    一种应用于混合金属电镀的阳极装置和电镀装置_芯栋微(上海)半导体技术有限公司_202510773354.8
    本发明提供了一种应用于混合金属电镀的阳极装置和电镀装置， 其中阳极装置包括中心阳极和多层阳极环， 多层阳极环被多条径线划分为多个阳极段， 阳极段按预设周期被归入不同阳极段组， 每个阳极段组的工作模式被上层独立控制， 各阳极段组的各个阳极段分...
    2026-01-14
  • 一种提高旋磁基片电镀膜层厚度均匀性的方法
    一种提高旋磁基片电镀膜层厚度均匀性的方法_西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)_202510986662.9
    本发明涉及微波元器件电镀工艺技术领域， 具体涉及一种提高旋磁基片电镀膜层厚度均匀性的方法， 包括下述步骤：使用不直接与基片接触的夹具， 所述夹具包括夹具底座和导电铜圈， 通过电镀夹连接所述夹具和基片。本发明通过根据基片外形尺寸选取电镀夹具，...
    2026-01-14
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