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最新专利技术
  • 一种滩涂互花米草治理装置及其治理方法
    一种滩涂互花米草治理装置及其治理方法_江苏省海洋地质调查院_202511152958.7
    本发明公开了一种滩涂互花米草治理装置及其治理方法， 装置包括机体、动臂、斗杆、深挖筒、推动组件、刈割组件和压实组件， 所述动臂活动设置在机体上， 所述斗杆铰接设置在动臂端部， 所述深挖筒连接设置在斗杆端部， 所述推动组件安装设置在斗杆上且与...
    2025-11-08
  • 一种农业多功能除草旋耕机
    一种农业多功能除草旋耕机_郑州航空工业管理学院_202511106631.6
    本发明涉及除草旋耕机领域， 具体为一种农业多功能除草旋耕机， 包括车体， 所述车体的前侧固定设置有两个固定架， 两个固定架的内部均滑动连接有承载架， 所述承载架包括承载板和后侧板， 所述承载板的后侧与后侧板的底部固定连接， 所述车体的前侧设...
    2025-11-08
  • 一种带有识别功能的果蔬采摘机器人
    一种带有识别功能的果蔬采摘机器人_四川省先进智能农机装备有限公司_202510846963.1
    本发明涉及果蔬采摘技术领域， 且公开了一种带有识别功能的果蔬采摘机器人， 包括安装机构， 包括安装箱、设置于所述安装箱背面的收纳组件、设置于所述安装箱外侧的移动组件、固定安装于所述安装箱顶部的安装件、固定安装于所述安装件顶部的采摘部件。该带...
    2025-11-08
  • 一种犁底层土壤改良用松土装置
    一种犁底层土壤改良用松土装置_湖北省烟草科学研究院_202511215492.0
    本发明涉及松土装置技术领域， 且公开了一种犁底层土壤改良用松土装置， 包括基体组件， 所述基体组件的顶端固定安装有驱动组件， 该犁底层土壤改良用松土装置， 通过设置有第一松土组件和第二松土组件， 利用两者横竖交错的布置方式， 能够实现对土壤...
    2025-11-08
  • 一种筑埂机
    一种筑埂机_广州澜湖科技有限公司_202511195221.3
    本发明公开了一种筑埂机， 涉及农业机械技术领域， 包括中心连接座， 中心连接座的外表面设置有多个安装座， 中心连接座的后表面固定连接有两个连接柱。本实施例中， 筑埂机通过中心连接座固定于动力机构， 单侧作业时：非工作侧推杆一提供支撑， 液压...
    2025-11-08
  • 一种液压控制的废膜捡拾机
    一种液压控制的废膜捡拾机_民勤县成达顺圆农机具制造有限公司_202511258303.8
    本发明公开一种液压控制的废膜捡拾机， 属于农田残膜捡拾技术领域， 包括用于将所述废膜捡拾机与动力设备连接的牵引组件、用于捡拾并输送地面残膜的残膜运送总成、用于将所述残膜运送总成输送的残膜卷绕成卷的卷辊总成、用于收集在卷膜过程中散落的残膜及玉...
    2025-11-08
  • 一种大豆小区育种种植自动化间苗机
    一种大豆小区育种种植自动化间苗机_东北农业大学_202511303879.1
    一种大豆小区育种种植自动化间苗机属于农业机械；在自走动力底盘上固装自控式纵向丝杠滑台、电源及微型处理器， 在自控式纵向丝杠滑台上安装带有吊挂臂的自控式横向丝杠滑台， 在吊挂臂上固装带有步进电机和自动控制器的座板， 凸台式圆柱齿轮固装在步进电...
    2025-11-08
  • 用于微耕机的快拆杆件结构和微耕机
    用于微耕机的快拆杆件结构和微耕机_重庆大江动力设备制造有限公司_202511050446.X
    本发明公开了一种用于微耕机的快拆杆件结构和微耕机， 包括：多个杆体， 多个所述杆体依次插接， 相邻两所述杆体之间通过第一锁止组件或第二锁止组件连接， 以使相邻两所述杆体可拆卸连接。本发明解决了现有技术中存在的存放空间大、杆件易松动或解体的问...
    2025-11-08
  • 一种压力可调式农用镇压机
    一种压力可调式农用镇压机_扬州大学_202511307095.6
    本发明涉及农用机械技术领域， 公开了一种压力可调式农用镇压机， 包括主体组件， 包括支撑梁， 支撑梁一侧固定有支撑杆， 支撑梁一侧还固定有支撑件， 支撑杆端部设置有镇压件；连接组件， 设置于支撑梁内， 包括设置于支撑梁内的连接件， 包括滑动...
    2025-11-08
  • 一种基于节能型电动机的兔饲料生产用原料加工设备
    一种基于节能型电动机的兔饲料生产用原料加工设备_河南肥乐多生物科技集团有限公司_202510463746.4
    本发明涉及饲料粉碎的技术领域， 公开了一种基于节能型电动机的兔饲料生产用原料加工设备， 包括伺服电机， 设置于伺服电机驱动端上的转子环， 所述转子环的外壁上安装有生产单元， 所述生产单元包括设置于转子环外壁上的防滞留部件；通过设置防滞留部件...
    2025-11-08
  • 基于代理模型的海上风机支撑结构优化设计方法及系统
    基于代理模型的海上风机支撑结构优化设计方法及系统_华能灌云清洁能源发电有限责任公司_202111130009.0
    本发明公开基于代理模型的海上风机支撑结构优化设计方法及系统， 方法基于Kriging代理模型建立不同容量大小海上风电机组的支撑结构设计参数与优化设计的结构性能响应之间的关系， 同时对塔架和单桩基础进行优化设计以找到整体支撑结构质量最轻的优化...
    2025-11-08
  • 有机发光器件
    有机发光器件_株式会社LG化学_202480017877.3
    本说明书提供一种有机发光器件， 其包括：阳极；阴极；设置在上述阳极与上述阴极之间的第一有机物层和第二有机物层， 上述第一有机物层包含化学式1的化合物， 上述第二有机物层包含化学式2的化合物。在上述化学式1中， 咔唑基的N与胺基通过亚联苯基的...
    2025-11-08
  • 发光器件及其制备方法、显示面板、显示装置
    发光器件及其制备方法、显示面板、显示装置_京东方科技集团股份有限公司_202480000287.X
    提供了一种发光器件及其制备方法、显示面板、显示装置， 属于显示技术领域。该发光器件中， 第一颜色的发光层包括第一主体层和第二主体层。第一主体层包括第一主体材料和第一客体材料， 第二主体层包括第二主体材料和第二客体材料。因第一主体材料为电子传...
    2025-11-08
  • 光电转换元件和包含该光电转换元件的太阳能电池
    光电转换元件和包含该光电转换元件的太阳能电池_西铁城时计株式会社_202480017187.8
    光电转换元件依次层叠有透明导电层、空穴传输层、光吸收层、电子传输层和电极， 上述光吸收层包含含有卤离子的材料， 上述电极は从上述电子传输层侧起依次层叠有Bi层、Ti层或Cr层、以及Au层。上述光吸收层中含有的上述材料优选进一步含有银离子和铋...
    2025-11-08
  • 光检测装置
    光检测装置_索尼半导体解决方案公司_202480016847.0
    [问题]本发明提供一种能够维持高饱和电荷量Qs、抑制调制能力的劣化并执行适当的像素分离的光检测装置。[解决方案]所述光检测装置包括：半导体层， 其包括累积根据入射光的光量的电荷的第一光电转换区域和第二光电转换区域；和传输晶体管， 其配置在所...
    2025-11-08
  • 外延片及SOI晶圆以及它们的制造方法
    外延片及SOI晶圆以及它们的制造方法_信越半导体株式会社_202480019709.8
    本发明提供一种外延片， 其为在电阻率为10Ω·cm以上且5000Ω·cm以下的硅单晶基板上具有硅外延膜的外延片， 其特征在于， 所述硅外延膜中的碳原子浓度为5×1017个原子/cm3以上且小于2×1019个原子/cm3， 并且所述硅外延膜中...
    2025-11-08
  • 具有自对准沟槽屏蔽区的栅极沟槽功率半导体器件及相关方法
    具有自对准沟槽屏蔽区的栅极沟槽功率半导体器件及相关方法_沃孚半导体公司_202380095424.8
    一种形成半导体器件的方法， 包括在半导体层结构上形成包括纵向延伸的第一开口的第一掩模， 所述第一开口具有第一宽度。在第一掩模的被第一开口暴露的侧壁上形成间隔物以形成第二掩模， 其中第一掩模和第二掩模包括具有纵向延伸的第二开口的掩模结构， 所...
    2025-11-08
  • 包括降低导通电阻的分段支撑屏蔽结构的功率半导体装置的掩埋屏蔽结构及相关制造方法
    包括降低导通电阻的分段支撑屏蔽结构的功率半导体装置的掩埋屏蔽结构及相关制造方法_沃孚半导体公司_202380095124.X
    第一导电类型的区和位于漂移区上方的第二导电类型的阱区， 位于半导体层结构上与阱区相邻的栅极， 以及位于阱区下方且通过漂移区的一部分与阱区分离的第二导电类型的掩埋屏蔽结构， 或者第二导电类型的接触屏蔽结构， 所述接触屏蔽结构从阱区竖直地延伸到...
    2025-11-08
  • 半导体装置的制造方法
    半导体装置的制造方法_株式会社东芝_202380094998.3
    实施方式的半导体装置的制造方法具有第一成膜工序、第二成膜工序和氧化工序。在第一成膜工序中， 在由碳化硅形成的基材的表面上形成由硅形成的第一被膜。在第二成膜工序中， 在第一被膜的表面形成第二被膜。在氧化工序中， 使第一被膜从表面侧热氧化而形成...
    2025-11-08
  • 晶体管的选择性栅极过驱动
    晶体管的选择性栅极过驱动_英飞凌科技加拿大公司_202480016248.9
    对功率场效应晶体管进行过驱动。当检测到功率场效应晶体管已进入饱和区时， 对功率场效应晶体管的栅极节点施加更高的电压进行过驱动。对功率场效应晶体管是否在饱和区内的检测是通过感测场效应晶体管来完成的。该感测场效应晶体管与功率场效应晶体管共用相同...
    2025-11-08
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