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最新专利技术
  • 一种半导体器件及其制造方法
    一种半导体器件及其制造方法_芯联越州集成电路制造(绍兴)有限公司_202511005007.7
    本申请提供一种半导体器件及其制造方法， 该半导体器件包括：衬底， 衬底中形成有间隔设置的光电二极管和浮置扩散区， 浮置扩散区用于接收光电二极管响应于入射光产生的光生电荷；PIP电容， 位于衬底上并至少部分地位于光电二极管上方， 包括自下而上...
    2025-11-22
  • 一种紫外成像CMOS图像传感器的制造工艺
    一种紫外成像CMOS图像传感器的制造工艺_浙江大学_202510826980.9
    本发明公开一种紫外成像CMOS图像传感器的制造工艺。本发明是在硅基CMOS图像传感器的感光区上方形成后道介质层；刻蚀去除所述后道介质层， 以暴露感光区；然后在暴露的感光区上方利用磁控溅射技术沉积Ga2O3薄膜， 形成紫外光吸收层；对所述Ga...
    2025-11-22
  • 一种多层沟道p-GaN/AlGaN/n-GaN结构的光电探测器
    一种多层沟道p-GaN/AlGaN/n-GaN结构的光电探测器_革点科技(深圳)有限公司_202510869425.4
    一种多层沟道p‑GaN/AlGaN/n‑GaN结构的光电探测器， 包括依次从下向上堆叠且结构对称的衬底、沟道层和p型GaN层；沟道层由多层势垒层和多层n型GaN层即n‑GaN交替堆叠而成；本发明通过在单层p‑GaN/AlGaN/n‑GaN结...
    2025-11-22
  • 单光子雪崩二极管、制造方法及电子设备
    单光子雪崩二极管、制造方法及电子设备_杭州海康威视数字技术股份有限公司_202510899221.5
    一种单光子雪崩二极管、制造方法及电子设备， 属于半导体技术领域， 通过包括衬底、掺杂层、第一掺杂区、第二掺杂区、第一电极、第二电极和第三电极；第一掺杂区从掺杂层的上表面延伸至掺杂层内部；第二掺杂区间隔环绕第一掺杂区且从掺杂层的上表面延伸至掺...
    2025-11-22
  • 一种GaN基梯度掺杂极紫外探测器及其制备方法
    一种GaN基梯度掺杂极紫外探测器及其制备方法_中国科学院长春光学精密机械与物理研究所_202511361899.4
    本发明涉及半导体技术领域， 提供一种GaN基梯度掺杂极紫外探测器及其制备方法。GaN基梯度掺杂极紫外探测器， 包括衬底、GaN缓冲层、n‑GaN层、i‑GaN层、n型电极、梯度掺杂p‑GaN层、p型电极， 由梯度掺杂p‑GaN层靠近p型电极...
    2025-11-22
  • 一种高速率宽光谱响应光电探测器、外延结构及其制备方法
    一种高速率宽光谱响应光电探测器、外延结构及其制备方法_成都西交杰睿光电科技有限公司_202511340867.6
    本发明提出了一种高速率宽光谱响应光电探测器、外延结构及其制备方法， 涉及光电芯片制造加工领域。该外延结构包括在衬底上依次生长的‌InP缓冲层、‌InxGayAs缓冲层、‌Inx1Gay1As缓冲层、‌N‑Inx2Gay2As接触层、‌Inx...
    2025-11-22
  • 一种基于氧化锌绝缘层的MIS光电二极管及其制备方法和应用
    一种基于氧化锌绝缘层的MIS光电二极管及其制备方法和应用_哈工大苏州研究院_202511022668.0
    一种基于氧化锌绝缘层的MIS光电二极管及其制备方法和应用。本发明属于光电二极管半导体领域。本发明的目的在于提供一种基于氧化锌绝缘层的MIS光电二极管及其制备方法和应用。所述MIS光电二极管包括自下而上依次设置的欧姆接触层、半导体层、绝缘层和...
    2025-11-22
  • 一种紫外探测器及其制备方法
    一种紫外探测器及其制备方法_西交利物浦大学_202511016659.0
    本发明公开了一种紫外探测器及其制备方法， 该紫外探测器包括衬底、外延层、至少一个紫外感光结构、第一电极和第二电极。外延层位于衬底的一侧；外延层包括至少一个凹槽；紫外感光结构位于凹槽内；第一电极和第二电极， 位于外延层背离衬底的一侧表面。本发...
    2025-11-22
  • 日盲紫外检测器及其制备方法
    日盲紫外检测器及其制备方法_广东纳米智造产业创新中心有限公司_202411704501.8
    本申请实施例提供了一种日盲紫外检测器及其制备方法。该日盲紫外检测器包括：基底， 基底的材料为铌酸锂， 基底的上表面开设有两个相对的垂直沟槽；第一电极， 设置于其中一个垂直沟槽；第二电极， 设置于另一个垂直沟槽；第一电极和第二电极之间施加有电...
    2025-11-22
  • 日盲紫外检测器及其制备方法
    日盲紫外检测器及其制备方法_广东纳米智造产业创新中心有限公司_202411704497.5
    本申请实施例提供了一种日盲紫外检测器及其制备方法。该日盲紫外检测器包括：SiO2/Si基底；电极层， 设置在SiO2/Si基底之上；吸收层， 设置在电极层之上， 吸收层的材料为铌酸锂；透明导电层， 设置在吸收层之上， 透明导电层与电极层之间...
    2025-11-22
  • 光伏组件及其制造方法
    光伏组件及其制造方法_嘉兴阿特斯技术研究院有限公司_202511358099.7
    本申请实施例涉及光伏领域， 提供一种光伏组件及其制造方法， 光伏组件包括：多个光伏电池；焊带， 电连接相邻两个光伏电池；单个光伏电池包括：基底；位于基底的表面且沿第一方向间隔排布的多个第一电极和沿第二方向间隔排布的多个第二电极， 基底的表面...
    2025-11-22
  • 电池组件及其制备方法、光伏组件和建筑物
    电池组件及其制备方法、光伏组件和建筑物_晶澳(扬州)太阳能科技有限公司_202511179710.X
    本申请提供一种电池组件及其制备方法、光伏组件和建筑物， 其中， 电池组件包括电池串， 电池串包括多个太阳能电池和导电组件， 多个太阳能电池沿着第一方向并排布置， 导电组件设置于多个太阳能电池的厚度方向的至少一面， 并包括多个导电件， 多个导...
    2025-11-22
  • 一种电池组件及光伏系统
    一种电池组件及光伏系统_浙江爱旭太阳能科技有限公司_202511157298.1
    本发明适用于光伏技术领域， 提供了一种电池组件及光伏系统， 该电池组件包括：若干依次排列的三端叠层电池， 三端叠层电池包括顶部电池和设置在顶部电池下方的底部电池， 顶部电池上设置有第一电极， 底部电池上分别设置第二电极和第三电极， 第一电极...
    2025-11-22
  • 一种背接触光伏组件
    一种背接触光伏组件_晶澳(扬州)新能源有限公司_202511049623.2
    本发明公开一种背接触光伏组件， 该背接触光伏组件包括电池片以及设置于电池片背面的焊带和绝缘增强区域；绝缘增强区域沿着电池片四周的至少一部分设置， 若电池片的第一边设有绝缘增强区域， 则位于第一边的绝缘增强区域还设有第一限位槽或/和第二限位槽...
    2025-11-22
  • 光伏组件的制备方法、光伏组件及光伏设备
    光伏组件的制备方法、光伏组件及光伏设备_内蒙古晶澳太阳能光伏科技有限公司_202511019907.7
    本申请涉及光伏组件的制备方法、光伏组件及光伏设备， 包括：将多个电池片通过互联条连接成电池串；将电池串用第一汇流条拼接成电池方阵；依次敷设透光层、第一胶膜层和电池方阵；在电池方阵的第一汇流条上焊接第二汇流条；在电池方阵上依次敷设第二胶膜层、...
    2025-11-22
  • 太阳能电池组件
    太阳能电池组件_晶科能源股份有限公司_202510977085.7
    本申请涉及光伏领域， 提供一种太阳能电池组件， 包括：多个背接触太阳能电池， 背接触太阳能电池包括基底和位于基底的背光面的电极结构层， 电极结构层包括副栅线和导电连接部， 多个导电连接部间隔设置， 且导电连接部与副栅线连接；助焊层， 位于电...
    2025-11-22
  • 光伏组件及光伏系统
    光伏组件及光伏系统_嘉兴隆基光伏科技有限公司_202510828898.X
    本发明公开了一种光伏组件及光伏系统， 光伏组件包括电池片和互联件， 电池片具有电极， 互联件串联相邻的电池片， 互联件与电极之间通过导电材料层固定并电连接；互联件沿第一方向的至少一侧粘附有粘结物， 粘结物位于导电材料层背离电池片的一侧， 且...
    2025-11-22
  • 一种光伏焊带、电池串及光伏组件制备方法
    一种光伏焊带、电池串及光伏组件制备方法_正泰新能科技股份有限公司_202410481182.2
    本申请公开了一种光伏焊带、电池串及光伏组件制备方法， 属于光伏组件技术领域。该光伏焊带包括：所述导电基带的焊接面设置有第一导电磁吸触点；所述焊接面是所述导电基带用于与电池片的栅线焊接的一侧表面， 所述第一导电磁吸触点用于将所述导电基带磁吸连...
    2025-11-22
  • 一种高耐候V0阻燃增强光伏背板及其制备方法
    一种高耐候V0阻燃增强光伏背板及其制备方法_安徽海丰新材料科技有限公司_202510816615.X
    本申请实施例提供一种高耐候V0阻燃增强光伏背板， 光伏背板包括依次层叠设置的第一阻燃耐候材料、第一胶粘层、阻燃耐候聚酯薄膜、第二胶粘层和第二阻燃耐候材料。还包括一种高耐候V0阻燃增强光伏背板的制备方法。采用本申请实施例中提供的一种高耐候V0...
    2025-11-22
  • 一种适用于柔性CIGS太阳能电池的复合阻水导电前膜及制备方法
    一种适用于柔性CIGS太阳能电池的复合阻水导电前膜及制备方法_浙江尚越新能源开发有限公司_202511143669.0
    本发明涉及柔性CIGS太阳能电池技术领域， 具体涉及一种适用于柔性CIGS太阳能电池的复合阻水导电前膜及制备方法。具体的， 复合阻水导电前膜包括基底， 基底上表面沉积有无机阻水层， 基底下表面通过粘结胶膜层固定有铜网， 无机阻水层、基底、粘...
    2025-11-22
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