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最新专利技术
  • 晶体管及其制备方法
    晶体管及其制备方法_京东方华灿光电(浙江)有限公司_202510802519.X
    本公开提供了一种晶体管及其制备方法。晶体管包括：沟道层、势垒层、第一介质层、第一金属层、第二介质层和第二金属层；势垒层、第一介质层、第一金属层、第二介质层和第二金属层依次层叠在沟道层上；第二介质层包括至少2个介质子层，介质子层为采用PECV...
    2025-11-29
  • 高电子迁移率晶体管、制备方法、功率放大/开关器
    高电子迁移率晶体管、制备方法、功率放大/开关器_华为技术有限公司_202410504231.X
    一种高电子迁移率晶体管及其制备方法、功率放大器和功率开关器，涉及半导体技术领域。高电子迁移率晶体管包括依次层叠连接的衬底、GaN层、AlGaN层和GaN帽层，GaN帽层背向AlGaN层的表面具有间隔设置的第一离子注入区和第二离子注入区，第一...
    2025-11-29
  • 改善沟道载流子迁移率的方法及半导体结构
    改善沟道载流子迁移率的方法及半导体结构_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511375883.9
    本发明公开了一种改善沟道载流子迁移率的方法及半导体结构，属于半导体领域，首先在半导体衬底的有源区刻蚀第一凹槽，之后在第一凹槽内填充压电材料，形成压电材料层；在压电材料层中刻蚀第二凹槽；在第二凹槽内外延与该有源区的阱区类型相同的半导体材料，形...
    2025-11-29
  • 一种改善MOSFET漏电的方法
    一种改善MOSFET漏电的方法_四川广义微电子股份有限公司_202511097085.4
    本发明公开了一种改善MOSFET漏电的方法，涉及半导体技术领域，包括以下步骤：在衬底表面的外延层上生长氧化层，并进行光刻、刻蚀和离子注入，再退火处理形成耐压结；其中，退火处理包括：将晶圆放入730‑770℃的炉管中，在氮气和氧气氛围下，先升...
    2025-11-29
  • 增强屏蔽栅沟槽MOSFET器件安全工作区能力的结构及制备方法
    增强屏蔽栅沟槽MOSFET器件安全工作区能力的结构及制备方法_华羿微电子股份有限公司_202511076669.3
    本申请公开了一种增强屏蔽栅沟槽MOSFET器件安全工作区能力的结构及制备方法，本方案通过在MOSFET器件的有源区沟槽中形成厚栅极氧化层和薄栅极氧化层区域，从而形成高阈值电压元胞和低阈值电压元胞，使得器件使用过程中当栅源电压较小时，低阈值电...
    2025-11-29
  • 一种抗单粒子辐射功率MOSFET的制造方法
    一种抗单粒子辐射功率MOSFET的制造方法_中国电子科技集团公司第五十八研究所_202511018991.0
    本发明公开一种抗单粒子辐射功率MOSFET的制造方法，属于半导体器件领域。本发明在接触孔腐蚀之后、金属淀积之前，实施氦离子注入以引入缺陷；氦离子注入使用接触孔刻蚀的掩蔽层，为自对准注入；在金属淀积、金属刻蚀后，实施退火以稳定缺陷。缺陷的位置...
    2025-11-29
  • 半导体器件结构及其形成方法
    半导体器件结构及其形成方法_上海新微半导体有限公司_202510983574.3
    本发明提供一种半导体器件结构的制备方法及半导体器件结构，所述半导体器件的制备方法包括：提供器件片和支撑片，所述器件片包括自中心至边缘依次分布的中心区域、中间区域和边缘区域；在所述支撑片的正面和背面中的至少一者上形成导热环；将所述器件片的正面...
    2025-11-29
  • 一种高压LDMOS器件及制作方法
    一种高压LDMOS器件及制作方法_重庆芯联微电子有限公司_202510967180.9
    本发明提供一种高压LDMOS结构及制作方法，在漏端第一漂移区中设置分段式的STI结构，能够在器件表面形成低阻电流路径，提升器件电流密度，在N型漏端第一漂移区中设置有P型注入区，优化电场分布，能够提高器件击穿电压；并且，将位于分段式STI结构...
    2025-11-29
  • 半导体器件结构及相关方法
    半导体器件结构及相关方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510775845.6
    本公开涉及半导体器件结构及相关方法。用于执行隔离图案化工艺的方法和结构包括限定在俯视图中沿第一方向延伸的多个有源区。该方法还包括在多个有源区之上形成多个虚设栅极结构，该多个虚设栅极结构在俯视图中沿第二方向延伸，第二方向垂直于第一方向。该方法...
    2025-11-29
  • 半导体装置及其制造方法
    半导体装置及其制造方法_株式会社东芝_202411127565.6
    一种能够使动作稳定化的半导体装置及其制造方法，具备：在包括第一、第二绝缘膜及半导体部分的构造体上形成包括第一电极部分及第二电极部分的电极，第一电极部分在第一方向上延伸并横穿半导体部分的正上方区域，第二电极部分从第一电极部分起向与第一方向交叉...
    2025-11-29
  • 高性能鳍式晶体管的形成方法
    高性能鳍式晶体管的形成方法_格科微电子(上海)有限公司_202410526667.9
    本发明公开了一种高性能鳍式晶体管的形成方法，沿鳍式晶体管沟道长度方向，在鳍式晶体管栅极两端边界位置，存在覆盖鳍式沟道截面的晕环(Halo)注入区，分隔轻掺杂漏(LDD)注入区和鳍式晶体管沟道；所述Halo注入区与所述鳍式晶体管沟道的掺杂类型...
    2025-11-29
  • 半导体结构形成方法、半导体结构及电子装置
    半导体结构形成方法、半导体结构及电子装置_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410525477.5
    本申请公开了半导体结构形成方法、半导体结构及电子装置，该方法先对鳍结构进行横向刻蚀以在鳍结构的相邻沟道材料层之间形成空洞，接着在该空洞中形成内间隔件并于鳍结构的源/漏极开口中形成外延源/漏极区，进而去除横跨在鳍结构上的伪栅极结构以及去除剩余...
    2025-11-29
  • 半导体结构的制作方法以及半导体结构
    半导体结构的制作方法以及半导体结构_长鑫科技集团股份有限公司_202410520029.6
    一种半导体结构的制备方法以及半导体结构，该半导体结构的制作方法包括：提供衬底；于所述衬底表面形成鳍结构；形成掺杂层，所述掺杂层至少包覆所述鳍结构的顶表面和侧壁表面；于所述鳍结构的外周形成保护层，所述掺杂层至少部分位于所述鳍结构与所述保护层之...
    2025-11-29
  • 半导体结构的形成方法
    半导体结构的形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410513425.6
    一种半导体结构的形成方法，方法包括：提供衬底，衬底包括第一区以及与其相邻的第二区；在第二区的衬底顶部形成第一介电层，第一介电层与衬底之间具有刻蚀选择比；形成第一介电层之后，在第一区的衬底顶部形成第一沟道层；去除第一介电层，形成由第一沟道层的...
    2025-11-29
  • 半导体结构的形成方法
    半导体结构的形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410497619.1
    本发明提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底；在所述衬底上形成若干分立排布的鳍部，所述鳍部包括第一牺牲层以及位于所述第一牺牲层表面的若干层重叠的复合层，所述复合层包括第二牺牲层以及位于所述第二牺牲层表面的沟道层；在所述衬底上形成横跨所...
    2025-11-29
  • 双沟道鳍式晶体管的形成方法
    双沟道鳍式晶体管的形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410453098.X
    一种双沟道鳍式晶体管的形成方法，方法包括：提供基底，基底包括第一区以及与其相邻的第二区，第一区的基底顶部凸立有第一鳍部，第二区的基底顶部凸立有第二鳍部，且第一鳍部的被刻蚀速率小于第二鳍部的被刻蚀速率；对第一鳍部和第二鳍部的表面进行第一改性处...
    2025-11-29
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_无锡华润上华科技有限公司_202410452541.1
    本发明涉及一种半导体器件及其制造方法，所述方法包括：在晶圆的衬底上形成栅极结构；在晶圆正面形成光刻胶，并进行第一体区光刻，使光刻胶露出第一注入窗口；对晶圆正面进行离子注入，在第一注入窗口的下方形成体区的第一注入区；去除光刻胶，然后在晶圆的第...
    2025-11-29
  • 半导体器件及其制备方法、电力装置
    半导体器件及其制备方法、电力装置_清华大学_202510781650.2
    本申请公开了一种半导体器件及其制备方法、电力装置，半导体器件包括发射极群、第一基区与第二基区，发射极群包括第一发射极及第二发射极，第一发射极与第二发射极的导电类型相反；第一基区沿第一方向设置于第一发射极与第二发射极之间，第一基区与第一发射极...
    2025-11-29
  • 一种单片集成的PGaN栅控的Cascode结构GaN IGBT
    一种单片集成的PGaN栅控的Cascode结构GaN IGBT_西安电子科技大学_202510862183.6
    本发明公开了一种单片集成的PGaN栅控的Cascode结构GaN IGBT，涉及半导体器件技术领域，将表面的第三P‑GaN层用作E‑mode器件的栅极区域，并将刻蚀第二P‑GaN层、势垒层、沟道层和部分漂移层形成的沟槽用作D‑mode器件的...
    2025-11-29
  • 一种砷化镓基异质结双极型晶体管及其制备方法
    一种砷化镓基异质结双极型晶体管及其制备方法_广东先导微电子科技有限公司_202511045990.5
    本发明半导体器件领域，具体公开一种砷化镓基异质结双极型晶体管及其制备方法。本发明的GaAs基HBT器件采用倒置的结构，且将加工工艺当中的半导体衬底作为导电的N型半导体层参与器件的导电，可以使得GaAs基HBT器件具有P型GaAs基极和N型I...
    2025-11-29
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