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最新专利技术
  • 像素单元结构及其制备方法
    像素单元结构及其制备方法_上海集成电路研发中心有限公司_202410497566.3
    本发明提供一种像素单元结构及其制备方法，所述像素单元结构包括P型阱区；形成于P型阱区中且沿第一方向设置的N型沟道埋层及P型沟道阻止层；设于N型沟道埋层上且沿第二方向依次设置的寄存器栅极及输出收集栅极；第一N型掺杂区，设于寄存器栅极下方的N型...
    2025-11-30
  • 用于降低整体厚度的影像读取模块的制作方法
    用于降低整体厚度的影像读取模块的制作方法_纮华电子科技(上海)有限公司_202410458712.1
    本发明提供一种用于降低整体厚度的影像读取模块的制作方法，其包括：将一电路衬底与一暂时性承载衬底彼此靠近，以使得电路衬底被设置在暂时性承载衬底上，其中电路衬底的贯穿开口的底端被暂时性承载衬底所封闭；将一图像感测芯片容置在电路衬底的贯穿开口内且...
    2025-11-30
  • 一种图像传感器及其制作方法
    一种图像传感器及其制作方法_合肥海图微电子有限公司_202410454496.3
    本发明公开了一种图像传感器及其制作方法，属于半导体技术领域。图像传感器包括：衬底，包括并列设置光电二极管、存储节点和浮置扩散区，存储节点设置在光电二极管和浮置扩散区之间；传输管栅极，设置在光电二极管和存储节点之间；复位管栅极，设置在存储节点...
    2025-11-30
  • 一种半导体探测器的散热封装模块
    一种半导体探测器的散热封装模块_无锡鉴微华芯科技有限公司_202511016121.X
    本发明公开了一种半导体探测器的散热封装模块，涉及散热封装技术领域，包括DBC基板以及散热模块；所述半导体探测器包括适配连接的像素型探测传感器、连接器以及多个处理器芯片，其中，所述像素型探测传感器设置于DBC基板正面，所述连接器以及多个处理器...
    2025-11-30
  • 光学保护结构与其形成方法
    光学保护结构与其形成方法_采钰科技股份有限公司_202411285783.2
    本公开涉及光学保护结构与其形成方法。光学保护结构包含透明基板及第一抗反射结构，第一抗反射结构设置于透明基板的一侧之上。第一抗反射结构具有第一光路区域、第一凸起区域及第一阶梯区域，第一凸起区域围绕第一光路区域，第一阶梯区域位于第一光路区域与第...
    2025-11-30
  • 图像传感器像素及制造图像传感器像素的方法
    图像传感器像素及制造图像传感器像素的方法_半导体元件工业有限责任公司_202411184766.X
    本发明提供了图像传感器像素及制造图像传感器像素的方法。一种图像传感器像素，包括：半导体衬底，该半导体衬底具有前表面和与该前表面相对的后表面；光敏元件诸如光电二极管，该光敏元件形成在该半导体衬底的该前表面中并且被配置为感测第一波长范围中的光；...
    2025-11-30
  • 具有可见光和短波红外检测的图像传感器
    具有可见光和短波红外检测的图像传感器_半导体元件工业有限责任公司_202411155271.4
    本公开涉及具有可见光和短波红外检测的图像传感器。本发明提供了一种图像传感器像素，包括：半导体衬底，具有前表面和背表面；光敏元件，形成在该半导体衬底的该前表面中并且被配置为感测第一波长范围中的光；互连堆叠，该互连堆叠形成在该半导体衬底的该前表...
    2025-11-30
  • 一种光电二极管阵列、光学编码器接收芯片及光传感器件
    一种光电二极管阵列、光学编码器接收芯片及光传感器件_科微半导体(珠海)有限公司_202510772634.7
    本发明涉及光电技术领域，公开一种光电二极管阵列、光学编码器接收芯片及光传感器件。光电二极管阵列包括若干个光电二极管集，每个光电二极管集包括第一光电二极管组和第二光电二极管组，第一光电二极管组和第二光电二极管组具有90度相位差且被配置成两列，...
    2025-11-30
  • 基于离子注入的硅基图像传感器及其制备方法
    基于离子注入的硅基图像传感器及其制备方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511382235.6
    本发明属于半导体制造技术领域，涉及一种基于离子注入的硅基图像传感器的制备方法。本发明通过离子注入的方式将离子注入光电二极管内，有利于形成表面结构复杂的光学调控结构。制备过程中通过热处理形成的稳定的光学调控结构，能够避免因蚀刻制程中因表面态及...
    2025-11-30
  • 晶圆级光感芯片封装结构及其制备方法
    晶圆级光感芯片封装结构及其制备方法_江苏芯德半导体科技股份有限公司_202511057824.7
    本发明公开了晶圆级光感芯片封装结构及其制备方法封装结构，封装结构包括玻璃基板、光学传感器芯片、SOC功能芯片和塑封部，玻璃基板背面的凹槽内设有光学传感器芯片，玻璃基板背面设有第一再布线金属层，第一再布线金属层表面焊接SOC功能芯片；玻璃基板...
    2025-11-30
  • 双深度沟槽及背照式图像传感器的制备方法
    双深度沟槽及背照式图像传感器的制备方法_重庆芯联微电子有限公司_202510799625.7
    本发明提供一种双深度沟槽及背照式图像传感器的制备方法，通过一道光刻刻蚀工艺，形成口径不同的第一沟槽及第二沟槽，并在刻蚀加深第一沟槽的过程中，先在第一沟槽中填充牺牲层，通过牺牲层的隔离作用并结合热氧工艺在第二沟槽中形成氧化物层作为加深第一沟槽...
    2025-11-30
  • 包括光电探测器和多个阴极接触的结构
    包括光电探测器和多个阴极接触的结构_格芯新加坡私人有限公司_202510241038.6
    本公开涉及包括光电探测器和多个阴极接触的结构。包括诸如单光子雪崩二极管之类的光电探测器的结构及相关方法。该结构包括：半导体层，其具有器件区和顶表面；以及光电探测器，其包括位于器件区中的第一阱和第二阱。第一阱设置在第二阱和顶表面之间。该结构还...
    2025-11-30
  • 一种日盲紫外光感存算一体化的氧化镓光电晶体管及其制备方法
    一种日盲紫外光感存算一体化的氧化镓光电晶体管及其制备方法_西安电子科技大学杭州研究院_202511383407.1
    本发明公开了一种日盲紫外光感存算一体化的氧化镓光电晶体管及制备方法，包括衬底，衬底上设置有具备本征日盲紫外响应能力的氧化镓非故意掺杂层和N型氧化镓导电层；N型氧化镓导电层的两端通过注入掺杂离子分别形成源端离子注入重掺区和漏端离子注入重掺区，...
    2025-11-30
  • 一种锗探测器及其制备方法、应用
    一种锗探测器及其制备方法、应用_超滑科技(佛山)有限责任公司_202510982282.8
    本申请属于探测器制造技术领域，具体公开了一种锗探测器及其制备方法、应用，本申请包括硅基底，硅基底上设有二氧化硅层，二氧化硅层上方设有介质层，介质层容纳有隔离层、P+掺杂区、P++掺杂区、N+掺杂区域、N++掺杂区、锗探测层、漂移区、第一导体...
    2025-11-30
  • 一种紫外-红外双响应光电探测器、集成系统及制备方法
    一种紫外-红外双响应光电探测器、集成系统及制备方法_西安电子科技大学_202510967808.5
    本发明涉及一种紫外‑红外双响应光电探测器及相关集成系统和制备方法。光电探测器采用FET结构，包含绝缘介质层、栅电极、铁电层、黑磷沟道层、保护层、源电极和漏电极，其中，栅电极、铁电层、黑磷沟道层依次层叠，且栅电极和铁电层嵌入绝缘介质层中；源电...
    2025-11-30
  • 一种SiC/TiN NW紫外光电探测器
    一种SiC/TiN NW紫外光电探测器_陕西科技大学_202510967334.4
    本发明属于半导体紫外光探测技术领域，涉及一种SiC/TiN NW紫外光电探测器。本发明将金属氮化物TiN与SiC NW结合，制备了单根的SiC/TiN NW紫外光电探测器。在365nm光照下，在5V下器件具有8.7nA的暗电流，开关比为54...
    2025-11-30
  • 单光子雪崩二极管及其制备方法、光电检测装置及电子设备
    单光子雪崩二极管及其制备方法、光电检测装置及电子设备_阜时科技有限公司_202511011469.X
    本申请提供了一种单光子雪崩二极管及其制备方法、光电检测装置及电子设备，该单光子雪崩二极管包括基底层、第一掺杂区、第二掺杂区、隔绝区、第一电极和第二电极；第一掺杂区位于基底层上方，第二掺杂区位于第一掺杂区上方，且第一掺杂区与第二掺杂区的净掺杂...
    2025-11-30
  • 一种基于莫尔超晶格的室温宽谱红外探测器
    一种基于莫尔超晶格的室温宽谱红外探测器_浙大城市学院_202511383561.9
    本发明涉及一种基于莫尔超晶格的室温宽谱红外探测器，包括：硅衬底、TMDCs莫尔超晶格结构、半金属莫尔超晶格结构、AI2O3结构和电极；其中，沿远离硅衬底的方向依次设置TMDCs莫尔超晶格结构、半金属莫尔超晶格结构和AI2O3结构；TMDCs...
    2025-11-30
  • 基于横向异质结的光电逻辑门器件和逻辑电路
    基于横向异质结的光电逻辑门器件和逻辑电路_宁波大学_202511366302.5
    本发明提供一种基于横向异质结的光电逻辑门器件和逻辑电路，属于光电技术领域。该光电逻辑门器件包括衬底、功能层、第一电极和第二电极。其中，功能层设置在衬底上，功能层包括第一物质区和第二物质区，第一物质区包括SnS，第二物质区包括SnS2，第一物...
    2025-11-30
  • 金属纳米颗粒埋层调控的AlScN/Ga2O3日盲探测器及其制备方法
    金属纳米颗粒埋层调控的AlScN/Ga2O3日盲探测器及其制备方法_西安电子科技大学_202511019332.9
    金属纳米颗粒埋层调控的AlScN/Ga2O3日盲探测器，其特征在于，该日盲探测器结构从下往上依次为：Si衬底、AlScN薄膜、Au纳米颗粒或Al金属纳米颗粒、Ga2O3薄膜、电极；所述AlScN薄膜和Ga2O3薄膜形成异质结界面；异质结界面...
    2025-11-30
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